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[发明专利]一种高效肖特基接触超势垒整流器-CN202310821634.2在审
发明人：徐向涛;张澳航;张成方;陈文锁;王航;张力 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。
一种高效肖特基接触超势垒整流器

[发明专利]一种GaN基准垂直结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202310967926.7在审
发明人：王冲;李永鑫;马晓华;李昂;刘凯;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基准垂直结势垒肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：衬底层、缓冲层、N+传输层、N‑漂移层、阴极、阳极凹槽、P+二次外延层、介质层和阳极。本发明所制备的阳极肖特基金属深入阳极凹槽中并被P+二次外延层包围，竖状阳极肖特基金属可以有效分散器件反向偏置时的电场，提高二极管的反向耐压能力，减小反向漏电；N‑漂移层的斜面可以有效分散器件反向偏置时阳极附近的电场，增强二极管的反向耐压能力；P+二次外延层与介质层形成PiN结构，具有开启电压低、反向漏电小、耐压高和开关速率高的优点的同时，介质层可以减少漏电通路，进一步降低器件的反向漏电。
一种 gan 基准垂直结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种漂移区非均匀掺杂的氧化镓基TMBS器件-CN202310996455.2在审
发明人：贾仁需;程怡;元磊;王正华;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种漂移区非均匀掺杂的氧化镓基TMBS器件，包括：衬底层；N‑漂移区，N‑漂移区包括第一N‑漂移子区和第二N‑漂移子区，第一N‑漂移子区设置于衬底层上，第二N‑漂移子区设置于部分第一N‑漂移子区上；介质层，设置于第二N‑漂移子区两侧的第一N‑漂移子区的上表面和第二N‑漂移子区的两侧面；阳极，设置于介质层和第二N‑漂移子区上，阳极与第二N‑漂移子区的界面为肖特基接触；阴极，设置于衬底层中远离N‑漂移区的下表面，阴极与衬底层的界面为欧姆接触；N‑漂移区的掺杂浓度从阳极与第二N‑漂移子区的界面至第一N‑漂移子区与衬底层的界面线性增加。本发明通过优化漂移区的掺杂以获得均匀垂直的电场，可以最大化电场分布的面积，从而得到给定沟槽深度下的电压。
一种漂移均匀掺杂氧化 tmbs 器件

[发明专利]一种N极性肖特基势垒二极管及其制备方法和应用-CN202310823090.3在审
发明人：李国强;吴昌桐;曹犇;邢志恒;吴能滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种N极性肖特基势垒二极管及其制备方法和应用。本发明的N极性肖特基势垒二极管的组成包括依次层叠设置的衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、AlGaN沟道层、GaN势垒层和钝化层，还包括阳极金属电极、阳极金属场板和阴极金属电极，InGaN背势垒层中的In含量沿着远离衬底的方向逐渐增加。本发明的N极性肖特基势垒二极管具有漏电流较小、导带连续性好、势垒高度低、欧姆接触电阻小、响应速度快、抗击穿性能好、可靠性高等优点，适合进行大规模推广应用。
一种极性肖特基势垒二极管及其制备方法应用

[发明专利]合并PiN肖特基(MPS)二极管与其制造方法-CN202210738672.7在审
发明人：陈伟梵;蔡国基 -专利权人：力拓半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种合并PiN肖特基(MPS)二极管，包括基板、第一导电类型的第一外延层、第二导电类型的数个掺杂区、第一导电类型的第二外延层以及肖特基金属层。第一外延层设置于基板的第一表面。掺杂区设置于第一外延层的表面，其中掺杂区由第一部分和第二部分组成，第一部分是电浮动的，且第二部分电连接至顶部金属。第二外延层设置于第一外延层的表面，其中有沟槽形成于第二外延层中，以暴露出掺杂区的第二部分。肖特基金属层共形沉积于第二外延层以及掺杂区中露出的第二部分上。
合并 pin 肖特基 mps 二极管与其制造方法

[发明专利]一种P沟道肖特基势垒二极管及其制作方法-CN202311194818.7在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种P沟道肖特基势垒二极管及其制作方法，属于半导体器件领域，二极管包括衬底、阳极和阴极，衬底之上从下往上依次设置有GaN缓冲层、AlGaN势垒层、p‑GaN层和BeO层，BeO层为在p‑GaN层的（0001）面上生长的（0001）BeO膜；阳极穿过BeO层及p‑GaN层到达AlGaN势垒层，且与p‑GaN层的侧面肖特基接触；阴极穿过BeO层与p‑GaN层欧姆接触。AlGaN/p‑GaN形成异质结时产生一定浓度的二维空穴气，BeO层提升二维空穴气的浓度，从而使器件的P沟道导通电流增大，由此得到高性能的P沟道肖特基势垒二极管。
一种沟道肖特基势垒二极管及其制作方法

[发明专利]一种横向高压功率半导体器件及生产工艺-CN202310673174.3在审
发明人：张銮喜;王珩宇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向高压功率半导体器件及生产工艺，包括衬底、漂移区、位于漂移区顶部的第二导电类型高掺杂阱区、第二导电类型横向掺杂顶层区、第一导电类型高掺杂阱区、位于漂移区上的场氧化层、阴极金属层、阳极金属层以及器件顶部的钝化层，阳极金属层与第二导电类型高掺杂阱区之间形成阳极欧姆接触层，阳极金属层与漂移区之间形成阳极肖特基接触层，阴极金属层与第一导电类型高掺杂阱区之间形成阴极欧姆接触层，场氧化层与第二导电类型横向掺杂顶层区相接触，第二导电类型横向掺杂顶层区内形成窄槽，窄槽内填充有电介质。本发明优化了横向器件的表面电场分布，有效抑制了表面电场的掉落，在保证较低比导通电阻的同时提高了器件的耐压性能。
一种横向高压功率半导体器件生产工艺

[发明专利]半导体器件-CN202010678491.0有效
发明人：江口浩次;熊泽辉显;山下侑佑 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：肖特基二极管；半导体基板(10)，其包括第一表面(10a)和与第一表面相反的第二表面(10b)；肖特基电极(30)，其放置在第一表面上并且与半导体基板肖特基接触；放置在肖特基电极上的第一电极(50)；和第二电极(70)，其被放置在第二表面上并连接到半导体基板。肖特基电极由柱状晶体的金属材料制成。在所述肖特基电极的至少一部分区域中，所述肖特基电极上的碳含量小于6×1019cm‑3。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201810972334.3有效
发明人：杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体，将得到的半导体装置用于功率器件等。
半导体装置

[实用新型]一种具有MIS势垒的多级沟槽肖特基二极管-CN202223606853.9有效
发明人：袁俊;郭飞;王宽;徐东;魏强明;黄俊;杨冰;吴畅 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，提供一种具有MIS势垒的多级沟槽肖特基二极管，包括阳极、外延片、阴极及绝缘介质层；外延片包括半导体基底和半导体外延层，半导体外延层设于半导体基底上；阴极与半导体基底背离半导体外延层的一侧欧姆接触；阳极与半导体外延层背离半导体基底的一侧接触；半导体外延层背离半导体基底的一侧设有深沟槽，深沟槽沿第一方向延伸，深沟槽的内壁覆盖设有绝缘介质层，阳极沿第一方向延伸填充于深沟槽内，以构建形成金属‑绝缘介质层‑半导体(MIS)结构。本实用新型提供的多级沟槽肖特基二极管能够利用MIS势垒降低金属‑半导体接触界面的电场，提高肖特基势垒高度，提高了器件的击穿电压和长期工作的可靠性。
一种具有 mis 多级沟槽肖特基二极管

[实用新型]一种碳化硅肖特基二极管器件-CN202321111554.X有效
发明人：童彤;刘韵吉;乔纳森·莫尔特;杨敏红 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种碳化硅肖特基二极管器件，包括基底和N‑外延层，在N‑外延层上分布PN结；功率SiC型肖特基二极管(SBD)是多单胞结构并联结构，每个单胞均为PN结，PN结分别为肖特基金属区和欧姆接触金属区，欧姆接触金属区、肖特基金属区分别有其面积；肖特基金属区：PN结欧姆接触金属区面积比即SBD:PiN＝3.0:3.25。
一种碳化硅肖特基二极管器件

[实用新型]一种无截断环碳化硅二极管器件-CN202321111590.6有效
发明人：童彤;刘韵吉;乔纳森·莫尔特;杨敏红 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种无截断环碳化硅二极管器件，包括：自下至上依次为N型衬底20，采用4H‑SiC，N‑外延层，外延层上分布PN结，外延层上PN结旁侧还设有肖特基金属和宽阻止环、P+阻止环；宽阻止环在P+阻止环与PN结之间；P+阻止环上设有活性氧化层、第一钝化层、第二钝化层，外延层的最边缘部位设有外阻止层、PN结上直接设有欧姆接触金属作为电极。
一种截断碳化硅二极管器件

[发明专利]一种沟槽肖特基二极管及其制备方法-CN202010244326.4有效
发明人：王艳春;周亮 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽肖特基二极管，包括形成于N型重掺杂半导体衬底上的N型轻掺杂半导体外延层，形成于所述N型轻掺杂半导体外延层的上部的多个沟槽，所述沟槽的底部形成有P型掺杂区；形成于所述沟槽的侧壁栅氧化层，覆盖在所述沟槽侧壁的栅氧化层和沟槽圆弧形底部的P型掺杂区的多晶硅，形成于势垒源区的浅层P型掺杂区，形成于所述N型轻掺杂半导体外延层上的绝缘层，形成于所述势垒源区和所述绝缘层之上的势垒金属层，形成于所述势垒金属层之上的阳极金属层，以及形成于所述N型重掺杂半导体衬底之下的阴极金属层。本发明可有效改善沟槽底部电场分布以及晶圆正面的表面态，在提高反向击穿电压的同时降低了正向导通电压。
一种沟槽肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN202280016967.1在审
发明人：有马润;藤田实;川崎克己;平林润 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于，防止使用氧化镓的肖特基势垒二极管的绝缘击穿。本发明的肖特基势垒二极管(11)具备：设置在半导体基板(20)上的漂移层(30)、阳极电极(40)和阴极电极(50)。设置在漂移层(30)的外周沟槽(61)的宽度(W1)比中心沟槽(62)的宽度(W2)宽。外周沟槽(61)的外周壁(S1)具有随着朝向外侧而接近垂直的弯曲形状，外周沟槽(61)的内周壁(S2)比外周壁(S1)更接近垂直。由此，在施加了逆向电压的情况下，在外周沟槽(61)的外周底部产生的电场被缓和。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基二极管-CN202310962661.1在审
发明人：黄大海 -专利权人：思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明揭示了一种肖特基二极管，所述肖特基二极管包括P型衬底、位于P型衬底内的N型阱区、位于N型阱区内的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区之间通过第一隔离结构电气隔离，所述第一掺杂区旁侧的N型阱区上形成有第一肖特基金属层，所述第一肖特基金属层与第一掺杂区通过第二隔离结构电气隔离。本发明通过第二隔离结构断开肖特基结和PN结的连接，并对PN结进行限流或阻断，从而减小了衬底注入电流。
肖特基二极管

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