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[发明专利]一种肖特基二极管的元胞结构-CN202310392327.7在审
发明人：朱涛;张丙可;魏晓光;李嘉琳;李玲;周行;赵万利;葛欢;常树丞;阎海亮;李青岭 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种肖特基二极管的元胞结构，属于半导体技术领域，元胞区平面区域包括高掺杂区、肖特基势垒接触区和高肖特基势垒接触区；所述高掺杂区为P型或N型；所述高肖特基势垒接触区不在所述高掺杂区；所述高肖特基势垒接触区与所述肖特基势垒接触区相邻；所述肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基接触的肖特基势垒高度低于所述高肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基势垒。本发明通过在常规肖特基势垒接触区域之间引入高肖特基势垒接触区域，减少其漏电流，同时此区域面积较小且易穿通，对正向导通压降的影响较小。
一种肖特基二极管结构

[发明专利]肖特基传感器系统-CN201810470725.5有效
发明人：李舟;孟建平;李虎;赵璐明;王华英;石波璟;谈溥川 -专利权人：北京纳米能源与系统研究所
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种肖特基传感器系统，包括：肖特基传感器；以及摩擦纳米发电机，与所述肖特基传感器连接，用于提供改变所述肖特基传感器的肖特基势垒的脉冲电压，以调节所述肖特基传感器的灵敏度。本公开肖特基传感器系统，适用于任何类型的肖特基传感器，能显著提高肖特基传感器检测的灵敏度和响应恢复时间，结构简单，成本低。
肖特基传感器系统

[发明专利]调节肖特基器件的肖特基势垒的方法-CN201810470723.6有效
发明人：李舟;赵璐明;李虎;孟建平;王华英;封红青;张潇 -专利权人：北京纳米能源与系统研究所
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本公开提供了一种调节肖特基器件的肖特基势垒的方法，包括：将所述肖特基器件与摩擦纳米发电机连接；以及在所述摩擦纳米发电机上施加外力作用，使摩擦纳米发电机产生脉冲电压，以调节所述肖特基器件的肖特基势垒。本公开调节肖特基器件的肖特基势垒的方法，操作简单，成本低，安全性高，易于实现，可更精确、方便的调节肖特基势垒，从而改变肖特基器件的电性能。
调节肖特基器件肖特基势垒方法

[实用新型]一种沟槽肖特基管结构及半导体器件-CN201520461970.1有效
发明人：余强;张小辛;郑晨焱 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种沟槽肖特基管结构及半导体器件，所述沟槽肖特基管结构至少包括：分区域制备于外延片表层的第一沟槽型肖特基结构和第二沟槽型肖特基结构；其中，所述第一沟槽型肖特基结构包括岛状肖特基结阵列及围绕于各岛状肖特基结周围的连续网状沟槽单元；所述第二沟槽型肖特基结构包括分离沟槽单元阵列及围绕于各分离沟槽单元周围的连续网状肖特基结。本实用新型的沟槽肖特基管结构降低了沟槽总面积，使得沟槽型功率肖特基器件的有效面积增加，同时具有高反向击穿电压，低正向压降和高电流通过能力。
一种沟槽肖特基管结构半导体器件

[发明专利]一种集成沟槽肖特基的MOSFET-CN201610490386.8在审
发明人：李泽宏;李爽;陈文梅;陈哲;曹晓峰;李家驹;罗蕾;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，特别涉及一种集成沟槽肖特基的MOSFET。本发明的集成沟槽肖特基的MOSFET为在MOSFET中集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，肖特基结具有位于表面的平面肖特基结及体内的槽型肖特基结，在占用相同的芯片面积的条件下，增加了肖特基结的面积在槽型肖特基结的下方还设有多个P型重掺杂环，体二极管导通时，较低电压时，肖特基二极管开启，形成导电通路；电压增大时，超过0.5V，则槽型肖特基结下的P型重掺杂环向N型漂移区内注入少子，减小肖特基结正向导通压降本发明的方法，可降低MOSFET的体二极管导通损耗，同时，P型减小肖特基二极管的反向漏电。
一种集成沟槽肖特基 mosfet

[发明专利]一种基于肖特基势垒的气体计量计-CN201811202917.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于肖特基势垒的气体计量计,包括气体流通的通道,通道的外围设置有N极磁铁，S极磁铁，N极磁铁与S极磁铁对应设置，通道的内部设置有肖特基结，肖特基结的外围包裹有绝缘层，并且该肖特基结的两极通过导线电连接；通道的进气端为绝缘口；该基于肖特基势垒的气体计量计，扩展了肖特基结的功能，通过给待测气体携带电子，再由磁场改变电子的流动方向，使得通道内形成与肖特基结内部电场相反或者相同的电场，从而使得肖特基结的肖特基势垒发生变化，通过外接电源检测肖特基势垒的变化，来反应气体的流速，以便计算气体的流量，该基于肖特基势垒的气体计量计不仅结构简单，而且扩展了肖特基结的功能，使用方便，操作简单。
肖特基结肖特基势垒气体计量绝缘层外接电源检测外围导线电连接待测气体反应气体内部电场内部设置气体流通电场进气端绝缘口磁场两极携带流动

[实用新型]一种基于肖特基势垒的气体计量计-CN201821674547.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于肖特基势垒的气体计量计,包括气体流通的通道,通道的外围设置有N极磁铁，S极磁铁，N极磁铁与S极磁铁对应设置，通道的内部设置有肖特基结，肖特基结的外围包裹有绝缘层，并且该肖特基结的两极通过导线电连接；通道的进气端为绝缘口；该基于肖特基势垒的气体计量计，扩展了肖特基结的功能，通过给待测气体携带电子，再由磁场改变电子的流动方向，使得通道内形成与肖特基结内部电场相反或者相同的电场，从而使得肖特基结的肖特基势垒发生变化，通过外接电源检测肖特基势垒的变化，来反应气体的流速，以便计算气体的流量，该基于肖特基势垒的气体计量计不仅结构简单，而且扩展了肖特基结的功能，使用方便，操作简单。
肖特基结肖特基势垒气体计量绝缘层外接电源检测外围本实用新型导线电连接待测气体反应气体内部电场内部设置气体流通电场进气端绝缘口磁场两极携带流动

[发明专利]肖特基势垒二极管及其使用方法-CN200680043862.6无效
发明人：中村智宣;土田秀一;三柳俊之 -专利权人：财团法人电力中央研究所
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：在肖特基电极和焊线电极之间，设置有中间金属膜，该中间金属膜和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度，大于等于肖特基电极和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度。因此，焊线电极和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度，即使小于肖特基电极和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度时，也可抑制通过针孔的电流。
肖特基势垒二极管及其使用方法

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法-CN201710980467.0在审
发明人：李诚瞻;吴煜东;戴小平;史晶晶;王弋宇 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法。所述碳化硅肖特基二极管包括复合肖特基接触结构，所述复合肖特基接触结构包括碳化硅外延层、肖特基金属层以及设置在所述碳化硅外延层与肖特基金属层之间的石墨烯层，所述石墨烯层用以阻挡所述碳化硅外延层的碳化硅原子和所述肖特基金属层的金属原子之间互相渗透，从而减小所述复合肖特基接触结构的漏电流。
碳化硅碳化硅外延层肖特基二极管肖特基金属层肖特基接触石墨烯层复合金属原子漏电流减小制造阻挡

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管芯片、电路板组件和电子设备-CN202310485922.5在审
发明人：张爱忠 -专利权人：深圳市至信微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本申请提供一种碳化硅肖特基二极管芯片、电路板组件和电子设备，该碳化硅肖特基二极管芯片所述碳化硅肖特基二极管芯片包括多个肖特基二极管单元；对于每个所述肖特基二极管单元，所述肖特基二极管单元包括：阴极金属层通过形成多个有等同的过流能力的肖特基二极管单元，存在失效点的肖特基二极管单元不影响其他肖特基二极管单元，减少碳化硅肖特基二极管芯片由于失效点完全失效的可能性。
一种碳化硅肖特基二极管芯片电路板组件电子设备

[发明专利]一种低反向漏电流的肖特基二极管与制备方法-CN202310394327.0在审
发明人：李嘉琳;朱涛;魏晓光;张丙可;李玲;赵万利;周行;葛欢;常树丞;孙俊敏;白雪 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低反向漏电流的肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括元胞区，元胞区包括衬底层、外延层、高掺杂区、高肖特基势垒接触区域、中肖特基势垒接触区域、正面电极层、背面电极层；所述外延层位于所述衬底层之上本发明通过在常规肖特基势垒面积较大的区域加入部分高肖特基势垒区域，此区域导通开启电压小，但具有高肖特基势垒，在正向通流能力损失较少的情况下，减少肖特基势垒二极管和结势垒肖特基二极管部分因肖特基区域镜像力导致反向阻断漏电过大的问题
一种反向漏电肖特基二极管制备方法

[发明专利]双胞封装肖特基二极管芯片的双芯隔离结构及制造方法-CN202010149296.9有效
发明人：陈烨;陈晓伦;徐永斌;叶新民;朱瑞;曹益 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明还提供一种双胞封装肖特基二极管芯片的双芯隔离结构及制造方法，包括重掺杂衬底上设有第一导电类型的轻掺杂硅外延层，在外延层的顶部设有两个具有间距的第一导电类型的重掺杂区、且设有二氧化硅层，两个重掺杂区的部分区域及之间区域的正上方的连续二氧化硅层被去除，形成肖特基整流接触窗口，在肖特基整流接触窗口上设有肖特基势垒金属层，肖特基势垒金属层与两个重掺杂区形成肖特基欧姆接触，以构成截止等位环结构，肖特基势垒金属层与外延层形成肖特基整流接触，在肖特基势垒金属层上设置有电极金属层，两重掺杂区之间的轻掺杂硅外延层与肖特基势垒金属层形成了肖特基结，在轻掺杂硅外延层内形成了肖特基的空间电荷区。
双胞封装肖特基二极管芯片隔离结构制造方法

[发明专利]一种优化芯片与封装制程匹配的肖特基二极管-CN201510094260.4在审
发明人：王杨;陶春晓 -专利权人：上海格好电子科技有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管；该肖特基二极管是一种将肖特基势垒芯片、切割、封装制程匹配整合优化的肖特基二极管，较传统的肖特基二极管，整体制程优化，整合了肖特基二极管制造的前、后道制程，降低了加工成本，使本发明的肖特基二极管具有竞争优势
一种优化芯片封装匹配肖特基二极管

[实用新型]一种优化芯片与封装制程匹配的肖特基二极管-CN201520124570.1有效
发明人：王杨;陶春晓 -专利权人：上海格好电子科技有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基二极管；该肖特基二极管是一种将肖特基势垒芯片、切割、封装制程匹配整合优化的肖特基二极管，较传统的肖特基二极管，整体制程优化，整合了肖特基二极管制造的前、后道制程，降低了加工成本，使本实用新型的肖特基二极管具有竞争优势。
一种优化芯片封装匹配肖特基二极管

[发明专利]无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法及肖特基芯片-CN201810876774.9在审
发明人：薛涛;关仕汉 -专利权人：淄博汉林半导体有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法及肖特基芯片，属于半导体制造技术领域。其特征在于：包括如下步骤：步骤a，形成外延层（5）；步骤b，形成耐压环沟槽（2）；步骤c，进行热氧化；步骤d，填充绝缘材料（1）；步骤e，将外延层（5）表面的绝缘材料（1）去除；步骤f，形成肖特基界面（3）；步骤g，去除绝缘材料（1）表面的肖特基界面（3）；步骤h，根据切割线（9）对肖特基芯片进形切割。在本无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法及肖特基芯片，省略了肖特基芯片制造过程中的光刻步骤，大大减少了工艺复杂程度和成本，同时提高了肖特基芯片的耐压性能。
肖特基光刻芯片芯片制造绝缘材料外延层去除半导体制造技术填充绝缘材料芯片制造过程耐压性能切割线热氧化耐压省略切割

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