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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]浅槽金属氧化物半导体二极管-CN201010519680.X无效
发明人：李泽宏;唐文雄 -专利权人：深圳市芯威科技有限公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅槽金属氧化物半导体二极管，要解决的技术问题是降低二极管的正向导通压降，提高反向击穿电压并且减小泄漏电流。本发明与现有技术相比，采用具有电子积累层结构和结型场效应管结构，可以获得非常低的导通压降，大大提高了击穿电压并且降低了泄漏电流，在反向电压下薄栅氧化层加速了半导体表面导电沟道的夹断，更好地实现了正向导通压降与反向恢复时间之间的折衷，使得本发明具有更好的正向导通压降和反向击穿电压之间的折衷。
金属氧化物半导体二极管

[发明专利]一种具有载流子存储层的槽型SOI LIGBT-CN201710328752.4有效
发明人：罗小蓉;孙涛;黄琳华;邓高强;刘庆;魏杰;欧阳东法;周坤;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明相对于传统结构，具有以下几个特点：一、具有高浓度的载流子存储层，其在正向导通时起阻挡空穴的作用，使界面附近的空穴浓度增大，根据电中性原理，更多的电子注入漂移区，电导调制效应增强，进而降低器件的正向导通压降同时，引入介质槽，在物理上阻挡空穴被阴极收集，起到进一步降低正向导通压降的作用，更重要的是，在正向阻断时起到辅助耗尽载流子存储层的作用，使得在高浓度载流子存储层的情况下器件保持高耐压；二、采用三栅结构，
一种具有载流子存储 soi ligbt

[发明专利]一种航空继电器触点状态测试装置及其测试方法-CN201910982449.5在审
发明人：王纬国;刘良勇;王洪涛;黄磊;刘国;李金猛;周秀华 -专利权人：国营芜湖机械厂
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明涉及一种航空继电器触点状态测试装置，包括继电器、用于通讯控制的上位机电脑、为继电器供电的程控电源，还包括为继电器触点提供负载测试电流并测量触点两端压降的正向压降测试仪、与程控电源及正向压降测试仪连接且用于固定继电器的继电器夹具
继电器继电器触点测试装置程控电源正向压降测试仪航空机载电子设备固定继电器航空继电器继电器夹具上位机电脑性能可靠性测量触点测试过程触点状态服役周期负载测试航空维修航空装备通讯控制有效保障准确评估维修压降测试供电预测

[发明专利]LED灯丝及LED灯-CN201811032350.0在审
发明人：安普松;刘文文;陈明;刘毅 -专利权人：上海强凌电子有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：后导通回路与先导通回路并联设置；先导通回路中的第一LED晶元数目少于后导通回路中的第二LED晶元数目；在LED灯丝接通电源时，先导通回路先于后导通回路导通，点亮第一LED晶元；随着电源输出电流的逐步加大，调节元器件使先导通回路的正向压降逐渐升高至与后导通回路的正向压降相同本发明提供的LED灯丝及LED灯中，调节元器件能使先导通回路的正向压降逐渐升高，先导通回路与后导通回路能实现先后导通点亮。
后导先导正向压降元器件回路导通点亮串联升高电源输出电流回路并联接通电源导通点发光

[发明专利]LED灯丝及LED灯-CN201811618061.9在审
发明人：安普松;刘文文;陈明;刘毅 -专利权人：上海强凌电子有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：后导通回路与先导通回路并联设置；先导通回路中的第一LED晶元数目少于后导通回路中的第二LED晶元数目；在LED灯丝接通电源时，先导通回路先于后导通回路导通，点亮第一LED晶元；随着电源输出电流的逐步加大，元器件使先导通回路的正向压降逐渐升高至与后导通回路的正向压降相同本发明提供的LED灯丝及LED灯中，元器件能使先导通回路的正向压降逐渐升高，先导通回路与后导通回路能实现先后导通点亮。
后导先导正向压降元器件回路导通点亮串联升高电源输出电流回路并联接通电源导通点发光

[发明专利]一种双极型功率半导体器件及其制备方法-CN201810948820.1有效
发明人：张金平;殷鹏飞;罗君轶;刘竞秀;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明在保持传统双极型功率半导体器件阴极结构不变的前提下，通过在器件阳极区引入一个阳极沟槽栅结构及源极区和/或基区，在不影响器件正常工作和开通的情况下,通过控制阳极沟槽栅结构，旁路阳极二极管的正向导通压降，从而达到降低功率半导体器件正向导通压降的效果。本发明改善了整个N型漂移区的载流子浓度分布以及正向导通压降和开关损耗的折中；并且器件的制作方法不需要增加额外的工艺步骤，与传统器件制作方法兼容。
一种双极型功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种横向双极型功率半导体器件及其制备方法-CN201810949847.2有效
发明人：张金平;殷鹏飞;赵阳;刘竞秀;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明在保持传统双极型功率半导体器件阴极结构不变的前提下，通过在器件阳极区引入一个阳极沟槽栅结构及源极区和/或基区，在不影响器件正常工作和开通的情况下,通过控制阳极沟槽栅结构，旁路阳极二极管的正向导通压降，从而达到降低功率半导体器件正向导通压降的效果。本发明改善了整个N型漂移区的载流子浓度分布以及正向导通压降和开关损耗的折中；并且器件的制作方法不需要增加额外的工艺步骤，与传统器件制作方法兼容。
一种横向双极型功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种RC-IGBT器件及其制备方法-CN201610594277.0有效
发明人：张金平;熊景枝;廖航;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体提供一种逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC‑IGBT)及其制备方法，用于获得更好的器件特性、提高RC‑IGBT的可靠性；本发明RC‑IGBT器件在正向IGBT工作模式下完全消除了snapback现象，并且由于采用了两种浓度和厚度不同的P型集电区，可获得更低的IGBT正向导通压降与更好的正向导通压降和关短损耗的折中；在反向二极管续流工作模式下具有小的导通压降；同时由于不需要采用在正面多个
一种 rc igbt 器件及其制备方法

[实用新型]微睡眠损耗的逆变装置-CN201120228747.4有效
发明人：陆元成;洪伟弼 -专利权人：纽福克斯光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H02M7/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微睡眠损耗的逆变装置，其包括直流/交流逆变器、采样电路、电压电流转换电路、隔离电路以及电子启动开关，主要通过利用采样电路中第一二极管与第二二极管这两个反向并联二极管的正向压降，使得无负载时第一二极管的正向压降阻止电压电流转换电路的第一三极管的导通，有负载时第二二极管上的正向压降导致第一三极管的导通，而第一二极管与第二二极管反向并联后串联在第二交流输出端对逆变装置的交流输出几乎无影响，进而实现了本实用新型逆变装置无负载时的微功耗，而一旦有负载则可即刻启动
睡眠损耗装置

[实用新型]LED灯丝及LED灯-CN201822225091.5有效
发明人：安普松;刘文文;陈明;刘毅 -专利权人：上海强凌电子有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：后导通回路与先导通回路并联设置；先导通回路中的第一LED晶元数目少于后导通回路中的第二LED晶元数目；在LED灯丝接通电源时，先导通回路先于后导通回路导通，点亮第一LED晶元；随着电源输出电流的逐步加大，元器件使先导通回路的正向压降逐渐升高至与后导通回路的正向压降相同本实用新型提供的LED灯丝及LED灯中，元器件能使先导通回路的正向压降逐渐升高，先导通回路与后导通回路能实现先后导通点亮。
后导先导正向压降元器件本实用新型回路导通点亮串联升高电源输出电流回路并联接通电源导通点发光

[发明专利]功率器件老炼试验的参数测量方法、装置及电子设备-CN202111437412.8在审
发明人：牛姜枫;刘龙超;赵杰;李涛 -专利权人：北京京瀚禹电子工程技术有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本申请涉及功率器件老炼试验的参数测量方法、装置及电子设备，属于测试生产技术领域，本申请的方法包括，获取试验中功率器件在加流测压情况下的正向压降数据；根据所述正向压降数据，基于输入的器件K系数数据，采用K
功率器件试验参数测量方法装置电子设备

[发明专利]一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件-CN201810761857.3在审
发明人：张猛;梁令荣 -专利权人：伯恩半导体(深圳)有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件，包括通过电连接关系连接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；其中降容管D3提供正向电流通路；D1与T1构成PNPN结构本发明设计合理，实现的单向大骤回SCR结构的保护器件，通过双沟槽工艺，实现了极低电容的SCR结构保护器件，能够满足当前低残压保护需求，且该器件具有低电容、低钳位和大浪涌通流能力等特点。
容管保护器件低电容残压电连接关系防护器件放电通道开启电压通流能力正向电流双沟槽肖特基大浪低容钳位正向

[发明专利]一种基于Pyraformer模型的二极管可靠性分析方法-CN202310773439.7在审
发明人：芮二明;刘沛;付琬月;刘超铭;霍明学;高乐 -专利权人：中国航天标准化研究所
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Pyraformer模型的二极管可靠性分析方法，属于微电子技术领域；选择反向漏电流、正向导通电流和正向导通压降作为特征数据；对特征数据进行异常值的处理；对特征数据进行降噪处理；对特征数据进行特征缩放处理；对特征数据进行集合划分；扩大训练集的规模；建立Pyrafomer模型；获得高精度Pyraformer模型；判断高精度Pyraformer模型是否建立完成；将后续采集的正向导通电流和正向导通压降作为高精度
一种基于 pyraformer 模型二极管可靠性分析方法

[发明专利]N沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管-CN201410036513.8有效
发明人：孙伟锋;陈健;郭超;杨卓;祝靖;钟锐;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：在正向导通时，高的N型体区掺杂浓度或厚度，抬高了空穴的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低了器件的正向导通压降并获得了更好的正向导通压降和关断损耗的折中关系，同时提高了器件的饱和电流能力在正向阻断时，多晶硅栅相当于一个场板，导致器件耐压由第一P型体区与N型外延层耗尽决定，因此N型体区浓度可以大幅提高，且不会影响器件的耐压。
沟道注入效率增强绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]P沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管-CN201410035881.0有效
发明人：孙伟锋;杨卓;陈健;郭超;祝靖;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：在正向导通时，高的N型体区掺杂浓度或厚度，抬高了电子的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低了器件的正向导通压降并获得了更好的正向导通压降和关断损耗的折中关系，同时提高了器件的饱和电流能力在正向阻断时，多晶硅栅相当于一个场板，导致器件耐压由第一N型体区与P型外延层耗尽决定，因此P型体区浓度可以大幅提高，且不会影响器件的耐压。
沟道注入效率增强绝缘栅双极型晶体管

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