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- [发明专利]提高测试仪同测芯片数的方法-CN202310798041.9在审
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朱渊源
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-06-30
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2023-10-27
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G06F11/22
- 本发明提供一种提高测试仪同测芯片数的方法，包括：提供测试仪，测试仪包括多个数字IO通道；提供若干待测的芯片，芯片包括一个信号IO管脚，对于每个芯片的信号IO管脚都分配两个数字IO通道，第一数字IO通道直接连接到信号IO管脚上，第二数字IO通道串联一个电阻连接到信号IO管脚上；利用第一数字IO通道做输出驱动和输入比较测试；利用第二数字IO通道通过不同的状态测试芯片的输入输出信号，输出信号包括电流负载能力。第二数字IO通道串联一个电阻连接到信号IO管脚，第二数字IO通道通过不同的状态起到负载电流的作用。在测试仪包含的通道中，不是所有通道都具备电流负载测试功能的工况下，提升芯片CP测试的同测能力。
- 提高测试仪芯片方法
- [发明专利]双栅SGT半导体器件的制造方法-CN202310830954.4在审
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李昊
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-07-07
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2023-10-27
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H01L21/336
- 本发明公开了一种双栅SGT半导体器件的制造方法,包括：步骤一、形成屏蔽栅，包括：步骤11、形成具有第一深度的第一沟槽。步骤12、形成屏蔽介质层。步骤13、填充屏蔽栅导电材料层。由填充于第一沟槽中的屏蔽介质层和屏蔽栅导电材料层组成屏蔽栅。步骤二、形成沟槽栅，包括：步骤21、形成硬质掩膜层以保护屏蔽栅。步骤22、形成具有第二深度的第二沟槽，第二沟槽位于各第一沟槽之间的半导体衬底中；第二深度小于第一深度。步骤23、形成栅介质层。步骤24、填充栅极导电材料层；由填充于第二沟槽中的栅介质层和栅极导电材料层组成沟槽栅。本发明能在对光罩层数进行很好控制，能提高工艺质量、降低工艺难度并增加工艺可控性。
- 双栅sgt半导体器件制造方法
- [发明专利]时序测试电路及其测试方法-CN202310952489.1在审
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高璐
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-07-31
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2023-10-27
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G11C29/56
- 本发明提供一种静态存储器时序测试电路，包括逻辑控制模块、模式控制模块、延时计算模块、延时测试电路和SRAM存储单元；SRAM存储单元包括待测试SRAM，待测试SRAM包括输入数据寄存器时钟clk_i输入端、SRAM时钟clk_m输入端和输出寄存器时钟clk_o输入端；SRAM时序测试电路的工作模式为存储器测试模式、延时测试模式及延时计算模式；逻辑控制模块用于在存储器测试模式下根据SRAM的第一算法产生SRAM的地址、数据及控制信号，根据SRAM的输出数据产生测试结果，测试结果包括测试通过和测试失败，将测试结果传输至模式控制模块。本发明通过逻辑控制模块产生SRAM的地址、控制信号及数据，通过延时测试电路测试并计算延时，达到精确地自动化测试SRAM时序的目的，可简化测试程序，提高测试效率。
- 时序测试电路及其方法
- [发明专利]半导体监控结构及其监控方法-CN202310946002.9在审
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周俊杰;梁肖;段新一
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-07-28
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2023-10-24
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H01L23/544
- 本发明提供了一种半导体监控结构及其监控方法。本发明提出了一种适用于监控具有不同浅沟槽隔离STI结构密度的多个区域的绝缘材料层在同一D‑STI CMP工艺过程中的研磨厚度的半导体监控结构，其包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括三个器件密度不同的浅沟槽隔离STI结构区；多个STI结构，分别位于所述浅沟槽隔离STI结构区中，每个所述STI结构均包括形成在所述半导体衬底内的沟槽以及填充在所述沟槽内的绝缘材料层，而三个所述浅沟槽隔离STI结构区中所包含的所述沟槽的数目相互不同；刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖在所述形成的任意相邻两个所述STI结构之间所暴露出的所述半导体衬底的表面上，且所述绝缘材料层的顶面高于所述刻蚀停止层的顶面。
- 半导体监控结构及其方法
- [发明专利]MEMS三轴AMR磁力传感器及其制造方法-CN202110191336.0有效
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王俊杰
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2021-02-20
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2023-10-24
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B81B7/02
- 本发明公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器，Z轴AMR磁力传感器形成在沟槽的侧面上，Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘位于沟槽的顶部并延伸到沟槽外的第一介质层的表面，Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘位于沟槽的底部表面上；Z轴电极的第一侧宽度边缘位于沟槽的顶部并延伸到Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘外的第一介质层的表面，Z轴电极的第二侧宽度边缘位于沟槽的底部的Z轴AMR磁力传感器上且位于Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘的内侧。本发明还公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器的制造方法。本发明能防止Z轴电极的刻蚀工艺在沟槽的底部形成微沟槽并同时能提高工艺窗口，能防止形成弱点区域并防止由于弱点区域而使器件失效，能提高产品良率。
- memsamr磁力传感器及其制造方法
- [发明专利]沟槽栅器件的栅极串联电阻-CN202010326494.8有效
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李昊
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2020-04-23
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2023-10-24
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H01L29/423
- 本发明公开了一种沟槽栅器件的栅极串联电阻，沟槽栅器件的有源区中形成有多个并联的沟槽栅，沟槽栅包括第一沟槽和形成于第一沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅通过对应的栅极总线连接到栅极焊盘；栅极总线包括多级，所需的栅极串联电阻设置在两级相邻的栅极总线之间并实现两级栅极总线之间的连接，栅极串联电阻包括第二沟槽、形成于第二沟槽内的隔离氧化层和多晶硅电阻；多晶硅栅通过顶部对应的接触孔连接到对应的栅极总线；多晶硅电阻通过顶部对应的接触孔连接到对应的栅极总线。本发明不需要增加额外的光罩来定义栅极串联电阻，从而能降低成本。
- 沟槽器件栅极串联电阻
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