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[发明专利]双层外延片的制备方法、设备及双层外延片-CN201811451037.0在审
发明人：陈海波 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层外延片的制备方法及双层外延片，制备方法：在衬底上生长缓冲层，然后在缓冲层上生长耐压层，在生长缓冲层和生长耐压层的两个过程中分别使用独立的管路提供掺杂气源。本发明研究双层外延片的耐压层过渡区宽的问题，其原因是缓冲层生长完成后，外延机台的气体管路中仍会残留该层生长使用的高浓度掺杂气体，如磷烷、硼烷等，从而导致在低浓度生长的耐压层的过渡区宽，本发明在缓冲层生长时和耐压层生长时分别使用独立的掺杂气源输送管道
生长双层外延片缓冲层耐压层制备过渡区掺杂气源输送管道机台高浓度掺杂气体管路衬底磷烷硼烷气源残留研究

[发明专利]双层外延片的生长方法及双层外延片-CN201811451021.X有效
发明人：陈海波;陈建纲 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层外延片的生长方法及双层外延片，生长方法为：在衬底上生长缓冲层，然后在缓冲层上生长耐压层；在缓冲层生长后、耐压层生长前，进行吹扫，吹扫的时间大于等于120s且小于等于300s。本发明研究双层外延片的耐压层过渡区宽的问题，其原因是缓冲层生长完成后，外延机台的气体管路中仍会残留该层生长使用的高浓度掺杂气体，如磷烷、硼烷等，从而导致在低浓度生长的耐压层的过渡区宽，本发明将标准吹扫时间的
双层外延生长方法

[发明专利]一种基于双层诱导技术制备红荧烯薄膜的方法-CN201510691763.X在审
发明人：王丽娟;张玉婷;孙丽晶;王勇;李占国 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明设计了一种双层诱导红荧烯薄膜生长的制备方法，即通过增加有效诱导层的层数来诱导红荧烯薄膜生长，在高质量双层诱导层上外延生长高有序、高结晶性的红荧烯薄膜，通过调控外延层生长行为、结晶度和薄膜微结构，实现有机—有机外延生长关系，构筑高有序、高结晶性的多晶形态的红荧烯薄膜，达到提高其迁移率的目的。
一种基于双层诱导技术制备红荧烯薄膜方法

[发明专利]一种降低LED外延翘曲应力的方法-CN201210051923.0无效
发明人：彭昀鹏;潘尧波 -专利权人：上海蓝光科技有限公司
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种降低LED外延翘曲应力的方法，在蓝宝石衬底上外延一GaN缓冲层，而后在GaN缓冲层上三维生长GaN层，形成具有岛状表面的GaN外延片；降温后，在岛状表面的GaN外延片上外延包括GaN层和Al1-xGaxN层的双层薄膜，然后多次重复外延双层薄膜，以形成所述岛状表面GaN外延片上的超晶格；在超晶格上二维生长GaN层，完成在蓝宝石衬底上GaN基础层的制备。本发明采用超晶格插入层结构，调节释放二维生长的GaN外延层与蓝宝石衬底之间的翘曲应力，进而改善外延片生长发光层时的翘曲程度，从而降低生长发光层后外延片中心部分和边缘部分的波长差，改善外延片的波长均匀性，进而提高外延片的波长良品率。
一种降低 led 外延应力方法

[发明专利]一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置-CN200410069190.9无效
发明人：孙国胜;王雷;赵万顺;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-07-07 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置，特别涉及一种基于铜螺旋管射频加热的竖直式冷壁高温大功率碳化硅(SiC)外延材料制造装置。该装置，包括双层石英外延生长室、样品交接室、样品传递与支撑装置、波纹管调节器、插板隔断阀，其双层石英外延生长室、插板隔断阀、样品交接室、波纹管调节器、以及样品传递与支撑架上下依次连接在一条垂直轴线上；样品传递与支撑架位于共同垂直轴线上本发明采用了竖直结构的水冷双层石英生长室，具有轴对称性，易于控制气流状态，加热效率高，不发生辉光现象；且可扩展性强，通过增大石英管的直径，可以外延生长尺寸更大或小尺寸多片的碳化硅(SiC)外延材料。
一种竖直高温大功率碳化硅外延材料制造装置

[发明专利]一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法-CN201310284344.5有效
发明人：袁肇耿;薛宏伟;赵丽霞;田中元;许斌武;李永辉;侯志义 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法，与常规双层硅外延片的制造方法相比，其具有如下特点：第一层硅外延片生长前使用HCl抛光工艺去除硅片表面微损伤；第一层硅外延片生长完成后取出硅片对系统进行刻蚀处理；第二层生长前硅片进行清洗保证表面清洁且使用HCl抛光工艺去除表面微损伤，抛光后使用H2进行除杂质处理。所述方法插入了反应室刻蚀步骤，保证外延层电阻率的均匀性和重复性，从而保证了器件的性能和成品率。
一种双极型晶体管用双层外延制造方法

[发明专利]一种MOS器件结构用双层外延的制备方法-CN202010341315.8有效
发明人：唐发俊;李明达;王楠;赵扬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种MOS器件结构用双层外延的制备方法，向硅外延炉反应腔体内通入氯化氢气体；将主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入硅外延炉反应腔体；向反应腔体内基座上装入硅衬底片；通入主工艺氢气对反应腔体进行吹扫；主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入反应腔体；稀释氢气携带磷烷气体组成混合气；进行第一层硅外延层的生长；通入主工艺氢气对硅外延炉反应腔体进行吹扫；进行第二层硅外延层的生长；第二层硅外延层生长完成，降温后从基座上取出；所制硅外延层的总厚度5点均值为20.5~21.5µm，第二层硅外延层的电阻率5点均值为27~29Ω·cm。本发明实现了对双层外延的总体厚度和电阻率均匀性的控制。
一种 mos 器件结构双层外延制备方法

[发明专利]P++衬底上P-层硅外延片的制备方法-CN201310152949.9有效
发明人：侯志义;袁肇耿;薛宏伟;赵丽霞;田中元;许斌武;李永辉 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种P++衬底上P-层硅外延片的制备方法，属于硅外延片技术领域。其包括下述步骤：（1）选用P+〈111〉/Boron单面抛光片；（2）HCl抛光；（3）吹扫；（4）双层外延生长：采用高纯度SiHCl3沉积，生长电阻率渐变层，然后生长电阻率掺杂层。本发明采用二次生长工艺来提高外延层电阻率均匀性一致性；通过低速率生长浓度渐变层，有效改善外延层失配位错的形成，有效的改善了外延层失配位错的形成，从而提高了外延电特性的稳定性和重复性，保证了器件的可靠性和成品率
衬底外延制备方法

[实用新型]双层外延片的制造设备-CN201821995486.7有效
发明人：陈海波 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C30B31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双层外延片的制造设备，包括：第一掺杂气源管道和第二掺杂气源管道，第一掺杂气源管道用于缓冲层生长时的掺杂气源输送，第二掺杂气源管道用于耐压层生长时的掺杂气源输送，第一掺杂气源管道和第二掺杂气源管道分别独立设置本实用新型研究双层外延片的耐压层过渡区宽的问题，其原因是缓冲层生长完成后，外延机台的气体管路中仍会残留该层生长使用的高浓度掺杂气体，如磷烷、硼烷等，从而导致在低浓度生长的耐压层的过渡区宽，本实用新型在缓冲层生长时和耐压层生长时分别使用独立的掺杂气源输送管道
掺杂气源管道生长耐压层本实用新型双层外延片缓冲层气源输送制造设备过渡区机台气源输送管道高浓度掺杂独立设置气体管路磷烷硼烷残留研究

[发明专利]双层外延工艺方法-CN201710734293.X有效
发明人：伍洲 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层外延工艺方法，包括步骤：进行第一次外延生长工艺在半导体晶圆表面形成第一外延层；对外延工艺腔进行降温并取出半导体晶圆，在降温过程中，外延工艺腔中的残余工艺气体继续反应在第一外延层表面形成电阻率不匹配外延层；形成第一部分器件结构；将半导体晶圆放置到外延工艺腔中并升温；通入HCL进行外延层刻蚀将第一外延层表面的电阻率不匹配外延层去除；之后进行第二次外延生长工艺形成第二外延层并叠加形成电阻率匹配的双层外延结构；在第二外延层中形成第二部分器件结构。本发明能提高两个叠加的外延层的界面特性，从而提高器件的击穿电压和性能。
双层外延工艺方法

[发明专利]一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法-CN202211207916.5在审
发明人：杨青慧;李涵;张鼎;俞靖彦;张元婧;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B19/10 文献下载
摘要：一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，属于液相外延单晶厚膜制备技术领域。包括：1)在石榴石单晶衬底上形成双层石墨烯结构；2)在双层石墨烯结构上生长石榴石籽晶层；3)退火、清洗；4)生长石榴石晶片层；5)对生长有石榴石晶片层的衬底进行剥离处理。本发明采用衬底/双层石墨烯/籽晶层/晶片层的复合膜结构，双层石墨烯作为单晶膜释放层，使得衬底对单晶膜生长基元或结晶的取向可透过的石墨烯层通过表面静电场传递，影响籽晶层生长基元的排列取向，传递晶格常数；双层石墨烯之间、以及石墨烯层与籽晶层和晶片层之间仅存在范德华力，并非化学键合，可使用胶带等外力吸附轻松地转移厚膜，实现石榴石衬底的重复使用。
一种外延生长重复使用石榴石衬底方法

[发明专利]硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜及其生长方法-CN202210500579.2有效
发明人：吴春艳;鲁德;朱晨岳;周昆楠;戴一航;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜及其生长方法，是在Si衬底上利用金属有机气相化学沉积的方法外延生长基于AlGaN/GaN异质结的HEMT外延薄膜。本发明通过在Si衬底上生长缓冲层控制Al组分渐变，并且加入AlGaN/AlN超晶格和AlN/GaN超晶格的双层超晶格缓冲层来降低晶格失配和热失配，实现大尺寸硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜的生长
硅基 algan gan hemt 外延薄膜及其生长方法

[发明专利]硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺-CN202010381767.9在审
发明人：康宏;王作义;雒林生;石广宁;韩立琼 -专利权人：四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺，包括以下步骤：1)、选择衬底片：采用重掺硼或重掺砷衬底片，所述衬底片为P型掺杂；2)、衬底片抛光：采用HCl进行气相抛光；3)、气流吹扫：衬底片抛光后采用H2进行吹扫；4)、外延生长：硅源用SiHCl3，先进行反型外延生长，生长温度为1080‑1100℃，生长速率为0.8‑1.0um/min，再进行双层外延生长，生长温度为1120‑1150℃，生长速率为1.2‑1.6um/min；所述硅源与衬底片接触之前先进行恒温预热处理；5)、外延生长完成后反应炉降温，取片。本发明所述制备工艺通过合理控制参数，提高了硅外延片厚度均匀性、电阻率均匀性。
英寸大功率元器件外延制备工艺

[发明专利]一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料及其制备方法-CN201910920569.2有效
发明人：张科军;刘剑敏;戴建明;朱雪斌;孙玉平 -专利权人：荆楚理工学院
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C01G45/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料，其生长在衬底上，所述双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料的化学式为La1‑xCaxMnO3，0.35＜x≤1，其双层结构由一层沿着衬底外延生长的0‑40 nm厚的连续层和垂直于连续层的纳米柱层构成，所述纳米柱层沿着连续层外延生长本发明还公开了一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料的制备方法及其应用。本发明的材料具有显著的垂直磁异向性和可调的、具有宽的工作温度范围的低场磁阻效应。
一种具有垂直排列纳米结构双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料及其制备方法

[发明专利]制作双层栅沟槽MOS的工艺方法-CN201110340130.6有效
发明人：金勤海;张力;卢志远 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作双层栅沟槽MOS的工艺方法，包括以下步骤：第一步，形成第一轻掺杂外延层；第二步，形成屏蔽栅；第三步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第四步，形成光刻胶图形；第五步，刻蚀；第六步，选择性生长加横向生长第二外延层本发明使得双层栅沟槽MOS的形成变得容易实现和控制，并且能够在屏蔽栅沟槽MOS有两层外延时，精确控制沟槽相对于外延层的位置，从而能够通过分别优化控制两层外延的掺杂浓度，使器件的击穿电压和通态电阻得到优化
制作双层沟槽 mos 工艺方法

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