专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于2x-thru直通结构的二极管在片去嵌方法-CN202310947983.9在审
  • 姚三锋;郭志清 - 湖南芯引向科技有限责任公司
  • 2023-07-31 - 2023-10-27 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种基于2x‑thru直通结构的二极管在片去嵌方法,包括步骤如下:将待测二极管左右两侧对称设置的两个夹具直接相连,构建出2x‑thru直通校准件;在待测二极管的集成电路输入输出端上分别外接直流偏置器;测量不同偏置下待测二极管的S参数以及2x‑thru校准件的S参数;求解金属互连和焊盘引起的夹具误差盒的八项误差参数;根据求解所得的夹具误差盒的八项误差参数完成二极管S参数的去嵌;该方法可以消除砷化镓集成电路在高频下因焊盘金属互连线路对二极管造成的影响,获取在不同偏置条件下二极管的本征S参数。本发明方法具有校准件少、设计简单、计算资源占用低以及在0‑40GHz的超宽频带内去嵌精确等优点。
  • 一种基于thru直通结构二极管片去嵌方法
  • [发明专利]一种碳化硅器件老化测试方法-CN202211424491.3在审
  • 王俊兴;孙宇晗;李志雨;黄波;邵天骢;李志君 - 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
  • 2022-11-15 - 2023-10-27 - G01R31/26
  • 本发明提供一种碳化硅器件老化测试方法包括:测试平台包括级联的前级同步型Boost桥臂电路和后级同步型Buck桥臂电路;直流电源通过二极管后输入到前级同步型Boost桥臂电路,与后级同步型Buck桥臂电路的输出端相连;直流电源根据测试工况进行设置,测试平台通过电路中功率电感实现能量在测试平台中的循环流动;通过设置该测试平台的工作模态,设定被测碳化硅器件的开关频率、漏源极电压和漏极电流,实现在不同测试工况下加速碳化硅器件的老化,得到老化测试结果;测试平台将碳化硅器件放置于桥臂结构电路中,从而充分考虑了碳化硅器件连续工作情况下串扰对栅氧可靠性影响,提高了对碳化硅器件老化测试结果的精确程度。
  • 一种碳化硅器件老化测试方法
  • [发明专利]半导体器件环境可靠性测试方法和系统-CN202311218176.X在审
  • 周悦贤;高乾 - 江苏摩派半导体有限公司
  • 2023-09-21 - 2023-10-27 - G01R31/26
  • 本发明提供一种半导体器件环境可靠性测试方法和系统,涉及测试技术领域,所述方法包括:将场效应管划分为多个测试批次;将测试组中的场效应管放置于多种测试环境中;将对照组中的场效应管放置于对照环境中;为相同测试批次的场效应管的栅极施加相同的栅极电压,并分别为各个场效应管的漏极施加多种漏极电压,获得漏极电流;根据测试环境的变化频率和变化幅度、漏极电压和漏极电流,获得场效应管的可靠性评分;根据场效应管的可靠性评分,确定环境可靠性。根据本发明,可使测试环境的温度和湿度中的至少一种发生变化,从而测试场效应管在多种变化频率和变化幅度的变化环境中的可靠性,为场效应管的应用场景的设置提供数据基础。
  • 半导体器件环境可靠性测试方法系统
  • [发明专利]一种半导体材料原子点缺陷检测系统及方法-CN202311211822.X在审
  • 刘津朋;张琪;陈誉;石发展;杜江峰 - 中国科学技术大学苏州高等研究院
  • 2023-09-20 - 2023-10-27 - G01R31/265
  • 本发明公开了一种半导体材料原子点缺陷检测系统及方法。其中,该系统包括固态电荷探针单元、光源、位移装置和信号读出装置;固态电荷探针单元为待测半导体中具有不同电荷态的缺陷单元;位移装置用于在检测过程中移动待测半导体,以使光源发出的激发光照射在待测半导体的不同位置;光源用于对固态电荷探针单元以及待测半导体的预设检测位置处施加激发光,以实现固态电荷探针单元电荷态的转换和读出;信号读出装置用于根据固态电荷探针单元的电荷态信息确定待测半导体原子点缺陷分布。本发明的技术方案采用固态电荷单元作为探针,通过对原子点缺陷的激发实现固态电荷探针单元电荷态的改变,进而实现对半导体原子缺陷空间分布的检测表征。
  • 一种半导体材料原子点缺陷检测系统方法
  • [发明专利]一种半导体元件的测试装置-CN202311207641.X在审
  • 谢江林 - 深圳市中天达精密机械有限公司
  • 2023-09-19 - 2023-10-27 - G01R31/26
  • 本发明涉及半导体元件测试技术领域,特别公开了一种半导体元件的测试装置,包括支撑底板以及设置在支撑底板上方的测试板,所述测试板上设置有电源插口,所述测试板上设置有测试座,该半导体元件的测试装置通过启动驱动装置控制支撑托板移动不再阻挡通口,并控制固定组件下移,通过固定组件下移带动半导体元件主体下移,使半导体元件主体上的针脚分别与接触片紧密贴合,此时将测试系统上的电源线与电源插口连接对测试板进行供电,即可对半导体元件主体进行测试,该测试装置解决了传统需要将针脚与接触片逐个焊接对半导体元件主体测试的方式,具有上下料简单,使用方便,测试效率高的优点。
  • 一种半导体元件测试装置

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