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[实用新型]一种逆阻型IGBT-CN201721552279.X有效
发明人：罗小蓉;刘庆;黄琳华;魏杰;李聪;魏雨夕;苏伟;曾莉尧;曹厚华;莫日华;孙燕 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
浮空正向集电区本实用新型逆阻型IGBT 电场漂移区阻隔功率半导体技术截止施加反向阻断电压导通压降关断损耗阻断电压槽结构高电场耗尽区集电结截止层下表面压电场击穿耐压耗尽退化

[实用新型]降低槽压降的均衡绕组扁线电机-CN202121907700.0有效
发明人：卢芳友 -专利权人：上海易唯科电机技术有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H02K3/28 文献下载
摘要：本实用公开了一种降低槽压降的均衡绕组扁线电机，包括电枢铁芯和绕设在电枢铁芯上的电枢绕组，所述电枢绕组为三相绕组，所述电枢铁芯上每极每相各自对应有Q个相槽，每相绕组有多个支路，每个支路由多个支路单元组成，每个支路单元各对应有相槽R1、相槽R2和相槽R3,所述支路单元至少包括一个正向线圈和一个反向线圈；所述正向线圈以正向螺旋的方式绕设在相槽R1和相槽R2之间的电枢铁芯部分上；所述反向线圈以反向螺旋的方式绕设在相槽R2和相槽R3之间的电枢铁芯部分上，所述正向线圈和反向线圈串联连接。
降低槽压降均衡绕组电机

[发明专利]一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC-IGBT器件-CN202211392381.3在审
发明人：陈伟中;魏子凯;林徐葳 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：第一，正向导通功耗降相比于传统SJ‑IGBT器件低了21％。第二，关断损耗相比传统RC‑IGBT器件降低了53％，大幅改善了器件的关断损耗与通态压降之间的折中关系。
一种集成辅助耗尽功耗 rc igbt 器件

[发明专利]一种低功耗超快恢复整流二极管的制造方法-CN202110731939.5在审
发明人：吴王进;古进;龚昌明;杨波;陈海;何燕杰;唐志甫 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种低功耗超快恢复整流二极管的制造方法，采用高电导P型单晶硅片和N型单晶硅片经过硼扩散后高温键合，再将形成PN结的硅片进行减薄，可间接减薄二极管芯片厚度，有效地降低二极管器件的正向压降，达到器件低功耗高频率的目的
一种功耗恢复整流二极管制造方法

[发明专利]一种肖特基二极管的制造方法-CN201010517445.9无效
发明人：杨忠武 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明肖特基二极管的制造方法制造的半导体器件，具有低的正向压降，对器件的电参数特性进行进一步优化。
一种肖特基二极管制造方法

[实用新型]一种提高峰值电流的肖特基二极管的结构-CN201721762807.4有效
发明人：张瑜洁;陈彤;苗青;李昀佶;刘刚;何佳;高怡瑞 -专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型提供一种提高峰值电流的肖特基二极管的结构，通过在有源注入区的表面引入高掺杂浓度的薄层注入区，使此薄层注入区和正面接触金属形成良好的欧姆接触，在正向浪涌电流条件下，PN结参与导电，器件的峰值电流得到提高，从而降低器件导通压降，使器件具备抗浪涌能力，提高器件可靠性。
峰值电流注入区肖特基二极管薄层本实用新型器件可靠性导通压降降低器件接触金属浪涌电流欧姆接触高掺杂抗浪涌导电正向引入

[实用新型]墙壁电子开关-CN02242526.8无效
发明人： -专利权人：
申请日： 2002-07-28 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：它是用桥式模拟开关来实现主回路的通断的；桥式模拟开关受控于双稳态电路，双稳态电路可以手动触发，也可以通过遥控进行触发；整个电路所需的直流电源，取自与桥式模拟开关相关联的两只硅整流二极管的正向压降。
墙壁电子开关

[实用新型]一种改进压球机-CN201621356273.0有效
发明人：胡志芳;张鹏辉;刘永明;冯雁飞;白银虎 -专利权人：山西环能工程项目管理有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： B30B11/16 文献下载
摘要：本实用新型属于压球装置技术领域，具体涉及一种辊面改进后的压球机；具体技术方案为一种改进压球机，包括主机架和安装在主机架上的压球罩壳，压球罩壳内平行布置有正向压球辊和反向压球辊，正向压球辊与反向压球辊的转向相反，正向压球辊与反向压球辊均通过电机驱动，正向压球辊上布置有多个椭圆型的正向窝槽，反向压球辊上布置有多个椭圆型的反向窝槽，正向窝槽与反向窝槽相配合形成一个完整的成型结构，在挤压的过程中，物料进入到正向窝槽与对应的反向窝槽扣合后的空间内，物料形成球型并排出，椭圆型的窝槽更利于球团脱模，减少卡窝，物料经过正向压球辊和反向压球辊的挤压后能够顺利形成球团，生产效率高。
一种改进压球机

[发明专利]锗硅异质结低正向压降高速二极管-CN96117510.9无效
发明人：李平;粟雅娟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 1996-04-02 - 公布日： 2000-10-11 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明给出了一种新结构的SiGe异质结低ＶF高速二极管,其特征在于它采用SiGe多晶、SiGe赝晶、Si单晶多层结构，从而使ＰＮ结的ＶF大大减小；当SiGe多晶中Ge组份足够大时，使本发明成为多子器件。本发明具有低ＶF，高的开关速度和工作频率等优点。本发明还给出了SiGe多晶中Ge组份的选取原则及本发明二极管中各层的设计原则。本发明器件工艺简单、重复性好，适合于工业化大生产。是一种性能好、实用性强的新型高速二极管。
锗硅异质结低正向高速二极管

[实用新型]一种降低正向压降的肖特基二极管-CN202121234921.6有效
发明人：江涛;周义;夏晨阳;李蒙华 -专利权人：北京瑞思高科微电子有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种降低正向压降的肖特基二极管，包括散热外壳和肖特基二极管本体，所述散热外壳和肖特基二极管本体之间固定连接有导热体，所述电场消除块底部固定连接有N‑外延层，所述N‑外延层底部固定连接N型基片
一种降低正向肖特基二极管

[实用新型]一种低正向压降高热容量的整流模块-CN202121900849.6有效
发明人：王国勇;范涛;吕壮志;范雯雯;朱云杰;张壮 -专利权人：浙江固驰电子有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型针对现有技术中整流模块的二极管芯片抗浪涌电流的能力还可以进一步提高的问题，提出了一种低正向压降高热容量的整流模块，属于半导体整流技术领域，包括铝基覆铜板，铝基覆铜板的覆铜层包括三个引入交流正极的第一覆铜层
一种正向高热容量整流模块

[发明专利]一种低正向电压TVS器件及其制造方法-CN201710891229.2有效
发明人：邹有彪;徐玉豹;刘宗贺;廖航 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种低正向电压TVS器件，包括N+型半导体基体、位于N+型半导体基体上方的N‑型外延层和P+型扩散区，N‑型外延层上表面设有氧化层和肖特基势垒，N‑型外延层和P+型扩散区上方用于连接电极T1的金属层，位于N+型半导体基体下方用于连接电极T2的金属层；一种低正向电压TVS器件的制造方法，包括以下步骤：衬底准备、外延生长、氧化、P+扩散区光刻、硼掺杂、肖特基金属区光刻、溅射势垒金属、金属刻蚀、合金、引线孔光刻本发明通过将TVS二极管和肖特基二极管并联制作在同一芯片上，利用肖特基二极管进行电源反接保护并利用TVS二极管进行瞬态过压保护,可降低TVS器件的正向压降，提高TVS器件的性能。
一种正向电压 tvs 器件及其制造方法

[实用新型]电磁盘加退磁控制模块-CN201520040379.9有效
发明人：哈鑫;王志彬;王建军;侯征宇;郭利中;刘鹏;赵晓峰;张朕军 -专利权人：内蒙古包钢钢联股份有限公司
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01F13/00 文献下载
摘要：为解决现有技术中电磁盘加退磁控制模块结构一般较复杂，且在高电压、大电流下工作容易损坏的技术问题，提供一种电磁盘加退磁控制模块，包括SRC可控硅整流器模块，SRC可控硅整流器模块由两个单向可控硅整流元件反向并联组成，控制电源、过压保护模块与单向可控硅整流元件的阴极及阳极分别连接，它还包括由两个二极管组成的正向触发电路模块，正向触发电路模块经限压降流电阻R1后由加磁继电器K1及退磁继电器K2分别连接两个单向可控硅整流元件的控制极，构成桥式整流电路为单向可控硅整流元件的控制极提供正向触发电源
磁盘退磁控制模块

[实用新型]一种电源自动切换电路及电子设备-CN202122325416.9有效
发明人：王德贵;冯勤林;付诚;郭凯;徐天澈;吴鹏 -专利权人：武汉依迅北斗时空技术股份有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：管的栅极分别用于与接地电路的一端、供电连接电路的第一端及充电接口电性连接；MOS管的源极与供电连接电路的第二端分别与电源输出端电性连接；在充电接口与外部电源电性连接的情况下，供电连接电路的第一端至第二端的正向压降大于MOS管的开启电压，且小于预设压降值。本实用新型便捷地实现了供电电路的切换，可防止在输电时产生较大的压降，有利于确保电池的续航时间，提升用户体验。
一种电源自动切换电路电子设备

[发明专利]一种RC-LIGBT器件及其制备方法-CN201610594302.5有效
发明人：张金平;熊景枝;刘玮琪;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明RC‑LIGBT器件通过在器件集电极端引入的复合结构，在正向LIGBT工作模式下完全屏蔽了N型集电区对导通特性的影响，完全消除了负阻(snapback)现象，并具有与传统LIGBT相同的低导通压降，提高了器件的稳定性和可靠性；同时在反向二极管续流工作模式下在集电极端提供了低阻的续流通道，优化了其续流能力，具有小的导通压降。
一种 rc ligbt 器件及其制备方法