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[实用新型]一种晶圆固定工装-CN202223560996.0有效
发明人：王春琴;尚博文;程谦;王虎;胡韵爽;贺慧婷;徐马记 -专利权人：武汉锐晶激光芯片技术有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆固定工装。本实用新型提供的晶圆固定工装，具有容置槽，晶圆薄片可卡接于容置槽中，当晶圆固定工装放置在自动光学检测设备的载台上时，载台上的负压可吸附住晶圆固定工装，并且在卡接晶圆薄片的过程中，可将晶圆薄片的N面朝向容置槽的底壁，从而实现在不损伤晶圆薄片N面的情况下，将晶圆薄片固定在自动光学检测的载台上进行检测，而无需对晶圆薄片进行贴膜；当检测完毕后，晶圆薄片可直接存放于晶圆固定工装中，无需将晶圆薄片从膜上取下来放置在晶圆薄片盒中，从而省去了重复贴膜、取片的步骤，提高了生产效率，避免了原辅材料浪费。
一种固定工装

[发明专利]一种均匀水膜晶圆颗粒物无损激光清洗方法-CN202110532529.8在审
发明人：陆莹;赵吉宾;乔红超;苗涛;郑云龙;胡嗣卓;陈兴隆 -专利权人：中国科学院沈阳自动化研究所
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明属于激光清洗领域，具体地说是一种均匀水膜晶圆颗粒物无损激光清洗方法。包括以下步骤：1)检测待清洗晶圆的颗粒污染物尺寸是否符合清洗范围；若不符合将待清洗晶圆夹持在工作区域中，执行下一步骤，反之，更换晶圆并重复步骤1)；2)通过去离子水装置的水喷头在待清洗晶圆表面喷水形成一层去离子水膜；3)激光清洗：设置激光工艺参数，通过控制夹持机械手，使晶圆法线与激光器发射的激光束形成夹角，设定激光器对待清洗晶圆一表面上进行多次清洗；4)对待清洗晶圆进行翻面，通过操作步骤2)～3)对晶圆的另一表面完成清洗；5)检测激光清洗后的晶圆表面颗粒污染物，若残留颗粒污染物超过设定值，返回步骤1)，反之，清洗合格。
一种均匀水膜晶圆颗粒无损激光清洗方法

[实用新型]晶圆检测设备-CN202223067692.0有效
发明人：韩宁宁;谢永钦;蒋长洪;胡凯;王卫武 -专利权人：深圳市深科达智能装备股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：一种晶圆检测设备，包括探针检测组件、上对位相机组件、晶圆卡盘组件、下对位相机组件、清针组件、移动组件、上下料组件，探针检测组件包括翻板组件和翻板支撑组件，翻板组件转动连接翻板支撑组件，翻板组件上设有探针卡，上对位相机组件用于检测晶圆卡盘组件上的晶圆位置，下对位相机组件用于检测探针卡的位置，移动组件根据上、下对位相机组件的检测结果移动晶圆卡盘组件至探针卡的下方，移动组件还用于移动清针组件至探针卡的下方，清针组件用于清理探针卡，上下料组件用于传输晶圆至晶圆卡盘组件，或从晶圆卡盘组件取走晶圆。如此，晶圆上下料、对位、晶圆检测、探针清理等功能集为一体，并自动化进行，有效提高检测准确度。
检测设备

[发明专利]全场式曝光设备以及全场式曝光方法-CN202210176429.0在审
发明人：温任华 -专利权人：魅杰光电科技（上海）有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种全场式曝光设备以及全场式曝光方法，属于半导体光刻制程技术领域，全场式曝光设备中对准运动控制台的平移模组和纵向位移模组根据图像识别运动台的拍摄结果对晶圆承片台实施进行水平移动和垂直移动；晶圆承片台对位装置用于实现晶圆和掩膜版的平行对位；晶圆承片台固定在晶圆承片台对位装置上；掩模版固定装置用于真空固定掩膜板；图像识别运动台包括两组用于对晶圆进行定位的图像识别单元、用于水平移动图像识别单元的水平移动单元和用于垂直移动图像识别单元的垂直移动单元；曝光装置设置在图像识别运动台的上方，用于对晶圆进行曝光。
全场曝光设备以及方法

[实用新型]一种晶圆芯片加工装置-CN202022177094.3有效
发明人：冯冬华;冯冬香;向花莲 -专利权人：深圳市晶燕微电子有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆芯片加工装置，包括机箱、阶梯台和切割机，所述机箱内腔底部一侧安装有阶梯台，所述机箱内腔顶部安装有切割机，所述阶梯台内腔底部安装有齿轮履带，所述齿轮履带顶部滑动安装有固定筒，所述固定筒底部开设有齿槽，本实用新型涉及晶圆片加工技术领域。该晶圆芯片加工装置解决了现有的硅晶片切割的时候送料不精准，而且粉尘容易和硅晶片混合一起难以清理，切割的晶圆片表面残留粉尘影响后期涂膜质量的问题，通过设置擦拭盘，晶圆片在经过滑道内腔的时候擦拭盘进行转动，从而擦拭盘一侧的擦拭绒毛垫对经过的晶圆片表面进行擦拭，使其除去表面在切割时残留的少许粉尘，这样使切割后的晶圆片保持干净，方便后续进行涂膜。
一种芯片加工装置

[实用新型]一种晶圆翻面倒片装置-CN202022550261.4有效
发明人：齐风;陈健华;张淳;吕杰;李伦;许春雷;肖帅;张威;武卫;刘园;孙晨光;王彦君 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆翻面倒片装置，包括底座，用于支撑整个装置；承载模组，设置在所述底座上，用于承载晶圆片盒；移动模组，设置在所述底座上，用于移动所述晶圆；翻转模组，设置在所述底座上，用于翻转所述晶圆；
一种晶圆翻面倒片装置

[实用新型]一种用于晶圆伯努利方式夹持结构及晶圆清洗设备-CN202320284983.0有效
发明人：左国军;邱开宇;陈大鹏;王雨 -专利权人：创微微电子（常州）有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型属于清洗技术领域，具体涉及一种用于晶圆伯努利方式夹持结构及晶圆清洗设备，包括内壳和外壳；所述外壳套设在所述内壳外，所述外壳的上端面上周向等距设置有若干夹持组件；所述内壳适于带动所述外壳转动，以带动所述夹持组件转动，对晶圆进行夹紧；以及所述内壳适于与所述外壳相对转动，以使得所述夹持组件松开晶圆；实现了对于晶圆的夹持与松开，并且从晶圆的边缘对晶圆进行夹持，可以避免对晶圆表面的损伤，便于晶圆翻面，并且通过气流形成压差将晶圆吸附，同时利用边缘的凸起来产生气膜将晶圆和内壳隔离，使晶圆不接触的被限制在气板上。
一种用于晶圆伯努利方式夹持结构清洗设备

[发明专利]一种晶圆片外延层加工的补液方法-CN202310005533.8在审
发明人：陈渊凌;罗晖;李果;谭永麟;孙晨光;王彦君 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种晶圆片外延层加工的补液方法，包括：生长端，其构置有生长炉；辅助端，其构置有主腔室、次腔室、以及辅腔室；步骤包括：相邻两个晶圆片之间的加工过程中，当上一个晶圆片外延层加工结束时，由生长端持续向主腔室发出补液信号，辅助端判断主腔室是否需要补液；若不需要补液，等待下一个晶圆片外延层加工；若需要补液，向主腔室添加溶液；其中，在不需要补液时，保持生长炉与主腔室贯通、以及主腔室与次腔室贯通。本方法可保证外延晶圆片炉间压力波动由现有的±1.5psi控制在±0.2psi，且使外延晶圆片炉间均匀性由原来的＞1.0％优化至＜0.5％，收敛了外延晶圆片炉间波动性，提高了外延层的成膜质量，炉间成膜效果显著
一种晶圆片外延加工补液方法

[发明专利]一种重掺磷单晶硅晶圆片高致密性二氧化硅背封工艺-CN201210534625.7无效
发明人：李满;李家友;齐呈跃;王玮;刘沛然 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种重掺磷单晶硅晶圆片高致密性二氧化硅背封工艺。其步骤是：一、采用背封机，利用常压化学气相沉积法制备二氧化硅薄膜；二、利用半导体制造中的热退火制程对带有二氧化硅的晶圆片进行退火；三、最后利用划磨式或手贴膜式去除氧化膜的方法去除晶圆片正面及边缘的氧化层本发明利用半导体制造中的热退火制程加固传统的CVD沉积单晶硅晶圆片背封薄膜材料，从而改善了传统化学气相沉积背封工艺的致密性，能够满足重掺磷单晶硅晶圆片厚层外延过程的需要。该技术可行性高，实用性强，是适用于大规模工业生产的晶硅晶圆片背封技术。
一种重掺磷单晶硅晶圆片高致密二氧化硅工艺

[发明专利]一种减少再生晶圆再生后表面有机沾污的方法-CN202111272263.4在审
发明人：孙强;张俊宝;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少再生晶圆再生后表面有机沾污的方法，其特征在于：将有多层不同膜层的再生晶圆分层分次的剥离，在剥离前都使用SPM溶液清洗一次以去除表面或层间残留的各类有机脏污；所述方法，可以把再生晶圆每层膜层表面沾染的有机脏污清洗干净以保障后续化学腐蚀液可以均匀完整的剥离膜层来获得表面高洁净度的裸硅晶圆，有效减少了膜层剥离后脏污片的产生，也就减少了需要研磨去除脏污来获得表面高洁净度的裸硅晶圆的数量；整体提高了再生晶圆的有效可用厚度，提高了晶圆再生利用成品率降低了IC制造企业生产成本。
一种减少再生表面有机沾污方法

[发明专利]一种用于在线仪器校准的晶圆级膜厚标准片的制备方法-CN202110173479.9在审
发明人：张易军;任巍;叶作光;蒋庄德;闫天怡;王瑞康 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01B21/04 文献下载
摘要：本发明提供的一种用于仪器校准的晶圆级膜厚标准片的制备方法，包括以下步骤：将晶圆衬底清洗干净并去除自然氧化层，得到处理后的晶圆衬底，利用原子层沉积法在晶圆衬底上实现非晶化高质量薄膜沉积，解决其他传统方法中由于分子团簇或者结晶导致薄膜表面粗超度大和厚度不均匀的难题，获得高精度晶圆级膜厚标准片；本发明精确地将薄膜厚度控制在单原子层量级，确保薄膜生长实现100％的均匀性、保形性和无针孔；同时，本发明涉及的制备方法可重复性高，使同一批次和不同批次标准片的厚度量值重复性好
一种用于在线仪器校准晶圆级膜厚标准制备方法

[发明专利]一种半导体芯片的切割方法-CN201510635391.9有效
发明人：彭康伟;林素慧;许圣贤;林潇雄;何安和;郑建森 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体芯片的切割方法，包括以下工艺步骤提供一半导体晶圆片及一提供激光的激光器；在所述半导体晶圆片上定义出切割道，并形成掩膜层；所述激光穿过与切割道位置上下对应的掩膜层，用于切割半导体晶圆片，形成半导体芯片；所述用于切割半导体晶圆片的激光为多单元方形激光束，所述掩膜层分为M个区域，每个区域包括N个单元，且每个区域对应一次待方形激光切割。将传统的半导体芯片线性激光切割改为方形激光切割，并且在半导体芯片与方形激光间增设具有若干个区域的掩膜层，每个区域对应一次待方形激光切割，即一次性达成多个芯片单元的切割工艺，增加单位时间产能。
一种半导体芯片切割方法

[发明专利]一种晶圆背面金属化前的清洗方法-CN202310092602.3在审
发明人：齐易晨;尚春林;何静博;张文鹏;胡长青;晏强 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆背面金属化前的清洗方法，具体步骤如下：S1、晶圆正面贴膜；S2、对S1得到的晶圆依次进行有机腐蚀液清洗、硅腐蚀液清洗、擦片、HF溶液清洗；S3、将S2得到的晶圆上的正面贴膜去除，得到清洗后的晶圆，本发明可以通过有机腐蚀液去除晶圆背面的有机沾污，通过硅腐蚀液和擦片工艺去除晶圆背面的减薄损伤层，通过HF溶液去除晶圆背面的自然氧化层，提高晶圆背面金属化成膜附着力。
一种背面金属化清洗方法

[发明专利]用于炉管热氧化生长工艺的膜厚监控装置及方法-CN201610307809.8在审
发明人：徐涛;陈宏;王卉;曹子贵;陈广伦 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种用于炉管热氧化工艺的膜厚监控装置及方法，通过采用五片监控晶圆即可实现对炉管内晶圆表面热氧化生长的氧化层的生长厚度进行监控，避免了因待热氧化的晶圆掺杂浓度不同导致监控晶圆氧化层膜厚不同，影响对于生产工艺的判断，从而增强了炉管热氧化工艺中膜厚监控的稳定性，提高了监控效率。
用于炉管氧化生长工艺监控装置方法

[发明专利]一种自动上片机-CN202010740774.3有效
发明人：赵成浩;李凯杰;郭明灿;王子龙 -专利权人：山东元旭光电股份有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明属于晶圆上片技术领域，提供了一种自动上片机，包括机架，机架一端设有一晶圆料架，晶圆料架上设有第一晶圆定位机构；机架中间设有一上片机械臂，机架上还设有一定位台，定位台上设有若干第二晶圆定位机构；定位台与晶圆料架间设有翻片机构，机架上开设有一摄片孔，机架上安装有与摄片孔对应设置的拍摄机构；上片机械臂的两侧均滑动安装有定位托板，机架的另一端设有载具料筐，定位托板靠近载具料筐的一端安装有插杆；机架上沿定位托板的滑动方向还依次设有载具抬升机构本发明能够实现晶圆精准的自动上片，上片效率大大提高，且有效确保晶圆上片过程中晶圆质量及合格率不受影响。
一种自动上片