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[发明专利]高压紫外发光二极管及发光装置-CN202210351829.0在审
发明人：曾明俊;彭康伟;林素慧;江宾;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种高压紫外发光二极管，其包括衬底和多个发光结构，多个发光结构设置在衬底上且相互之间电性连接，各发光结构包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一接触电极和第二接触电极，第一半导体层位于衬底与发光层之间，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一接触电极位于第一半导体层之上，第二接触电极位于第二半导体层之上，其中，俯视来看，各发光结构的第二接触电极具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次定义为第一边、第二边、第三边和第四边，第一接触电极至少围住四个边中的三个边。借此设置，可以改善高压紫外发光二极管的光衰特性和电光转换效率，提升紫外发光二极管的可靠性，加强杀菌消毒能力。
高压紫外发光二极管发光装置

[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法-CN202110831415.3有效
发明人：林素慧;黄敏;张中英;彭康伟;江宾;曾明俊;曾炜竣 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管及其制备方法，包括外延主体层、挡墙和保护层；外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第一间隙；第一间隙的深度大于有源层和第二半导体层的总厚度；保护层至少覆盖外延主体层的第二表面和第一间隙的内表面；保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。挡墙位于切割处与外延主体层之间，其能够在切割时减小外延主体层侧壁处的保护层所产生的应力，避免外延主体层侧壁处的保护层在应力作用下断裂，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管及其制备方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN202310675281.X在审
发明人：曾炜竣;彭康伟;林素慧;江宾;曾明俊;黄敏 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。该发光元件包含：发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；接触电极，形成于所述发光叠层第一表面上，与所述发光叠层接触；以及绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和接触电极；其中，所述接触电极包含多种金属元素，所述多种金属元素至少包含一种功函数为不小于5 eV的第二金属，所述第二金属接触于第一表面上。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]一种表格数据处理方法、装置以及计算机可读存储介质-CN202111124081.2有效
发明人：徐俏云;尹邵龙;秦银;彭康伟;鄢贤卿;熊飞;黄丽涵;于涛 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F40/177 文献下载
摘要：本申请公开了一种表格数据处理方法、装置以及计算机可读存储介质，该方法包括：获取初始表格数据，获取初始表格数据对应的至少两个协作账号；响应针对至少两个协作账号的触发操作，在初始表格数据中，分别为至少两个协作账号中的每个协作账号添加权限协作区域，得到目标表格数据；将目标表格数据同步至至少两个协作账号所属的协作终端，以使至少两个协作账号所属的协作终端，分别对目标表格数据中对应的权限协作区域进行编辑。采用本申请，可提高针对目标表格数据的填写准确性，同时提高针对权限协作区域的添加效率。
一种表格数据处理方法装置以及计算机可读存储介质

[发明专利]一种发光二极管-CN201980006009.4有效
发明人：王庆;马全扬;陈大钟;洪灵愿;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供如下发光二极管，其包括：透明衬底，该透明衬底具备第一表面；半导体垒晶叠层，包括在透明衬底的第一表面依次堆叠的第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层；DBR反射层，覆盖所述半导体垒晶叠层的顶表面以及侧壁，具有第一开口和第二开口；第一电极和第二电极，分别通过所述第一开口和第二开口与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接；DBR反射层中含有空洞。本发明通过在DBR反射层中引入空洞使DBR叠层之间具有更大的折射率差，使反射率得到了提升，从而提高发光效率。
一种发光二极管

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202180005045.6有效
发明人：江宾;龙思怡;臧雅姝;彭康伟;曾炜竣;陈思河;曾明俊 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管及发光装置，包括：半导体层序列，包含具备第一导电性的第一半导体层，具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；欧姆接触层，形成于所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层形成欧姆接触，厚度为30nm以下；金属电流扩展层，形成于所述欧姆接触层上，通过所述欧姆接触层与所述第二半导体层形成电性连接；反射层，形成于所述电流扩展层上，并覆盖裸露出的第二半导体层表面。本发明所述发光二极管可以有效提效发光效率。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法-CN202310056275.6在审
发明人：曾江斌;何安和;彭康伟;林素慧;张中英;刘鹏;詹宇;卢超;王庆;洪灵愿 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本公开涉及一种LED芯片及其制备方法。所述LED芯片包括：衬底、外延结构、电极金属层和共晶金属层；其中，共晶金属层的延伸率大于电极金属层的延伸率，共晶金属层的硬度小于电极金属层的硬度。所述LED芯片能够提升LED芯片的柔韧性，以降低LED芯片中共晶金属层剥离的风险，提高LED芯片的使用可靠性；并且，还能增强LED芯片中电极金属层的抗电迁移能力，以避免电极金属层因长期工作发热而出现功能退化或失效的问题。
发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201980004676.9有效
发明人：林素慧;彭康伟;黄苡叡;张中英;何安和;黄禹杰;王锋 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种显示装置的制造方法，包括步骤：提供N个LED芯片集合，N个LED芯片集合由N个晶圆切割而来，没有重新排列，其中第一个LED芯片集合产自第一个晶圆，第二个LED芯片集合产自第二个晶圆，……第N个LED芯片集合产自第N个晶圆，其中N为大于2的整数；提供电路板（200），电路板（200）的上表面有一系列的LED芯片安装区（210）；从N个LED芯片集合选取LED并转移到电路板（200），直至芯片安装区（210）排满LED芯片，来自不同LED芯片集合的芯片混合排列；对LED芯片进行封装，形成显示装置。还提供一种显示装置。
显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN202180001695.3有效
发明人：曾炜竣;彭康伟;林素慧;江宾;曾明俊;黄敏 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。该发光元件包含：发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；接触电极，形成于所述发光叠层第一表面上，与所述发光叠层接触；以及绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和接触电极；其中，所述接触电极包含多种金属元素，所述多种金属元素至少包含一种功函数为不小于5 eV的第二金属，所述第二金属接触于第一表面上。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]文档处理方法及相关产品-CN202111518961.8在审
发明人： 彭康伟;黄广民;林枫;沈天宇;王崇生 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G06Q10/101 文献下载
摘要：本申请提出一种文档处理方法及相关产品，该文档处理方法包括：显示可被协同编辑的第一文档的文档编辑界面，文档编辑界面中包括可被协同编辑的第一文档；第一文档中包含第一会议模块，第一会议模块显示有已预定的第一会议的会议状态；响应于第一会议模块被触发，显示第一会议的会议界面，第一会议的会议界面中显示有第一文档，且在第一会议的会议过程中，第一文档支持被协同编辑。通过本申请，能够支持边开会边协同编辑文档，提升办公效率。
文档处理方法相关产品

[发明专利]发光二极管-CN202310370883.4在审
发明人：刘小亮;陈剑斌;黄敏;江宾;朱秀山;何安和;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包括：发光外延结构，包括依次层叠的第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成在所述第二导电型半导体层的表面，且设有所述第二导电型半导体层的一部分露出的多个第一开口部，该发光外延结构被该电流扩展层所占据的面积比例大于50%且小于95%；绝缘层，形成在所述电流扩展层上和该电流扩展层的所述第一开口部内，且设有所述电流扩展层的一部分露出的多个第二开口部，所述第二开口部与所述第一开口部错开设置；反射层，形成在所述绝缘层之上。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN202010252278.3有效
发明人：刘小亮;陈剑斌;黄敏;江宾;朱秀山;何安和;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包括：发光外延结构，包括依次层叠的第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成在所述第二导电型半导体层的表面，且设有所述第二导电型半导体层的一部分露出的多个第一开口部，该发光外延结构被该电流扩展层所占据的面积比例大于50%且小于95%；绝缘层，形成在所述电流扩展层上和该电流扩展层的所述第一开口部内，且设有所述电流扩展层的一部分露出的多个第二开口部，所述第二开口部与所述第一开口部错开设置；反射层，形成在所述绝缘层之上。
发光二极管

[发明专利]一种发光二极管-CN202111211469.6有效
发明人：王锋;夏章艮;詹宇;聂恩松;何安和;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供如下发光二极管，其包括：透明衬底，该透明衬底具备第一表面；发光构造体，包括在透明衬底的第一表面依次堆叠的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；绝缘介质层一，覆盖所述发光构造体的顶表面以及侧壁，具有第一开口和第二开口；绝缘介质层二，覆盖所述发光构造体周围露出的透明衬底的第一表面；第一电极和第二电极，分别通过所述第一开口和第二开口与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接；绝缘介质层一覆盖在第二导电型半导体层的顶表面的部分比绝缘介质层二的透光性低。通过所述绝缘介质层二的设计，减少切割道的光损失，增大出光。
一种发光二极管

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202280005524.2在审
发明人：江宾;陈思河;陈功;臧雅姝;张中英;彭康伟;曾炜竣;曾明俊;龙思怡 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括：半导体层序列，包含第一半导体层（121）、第二半导体层（123）及介于两者之间的有源层（122），该半导体层序列具有第一台面（M1）及位于第一台面（M1）之上的第二台面（M2），第一台面（M1）邻近第二台面（M2）的位置具有电流阻断部（131）及位于电流阻断部（131）下方的电流导通部（132）；第一半导体层（121）具有一远离有源层（122）的第一表面（S1），第一台面（M1）具有远离第一表面（S1）的第二表面（S2），第二表面（S2）与第一表面（S1）的距离大于或者等于第一半导体层（121）厚度的一半，电流导通部（132）在半导体层序列的厚度方向上的高度（D2）为第一半导体层（121）厚度的1/5至1/2。该发光二极管可以提升载流子注入效率。
发光二极管发光装置

[发明专利]微型发光二极管及发光装置-CN202211338493.0在审
发明人：曾明俊;黄少华;王鸿伟;彭康伟;林素慧;黎小蒙;蔡吉明;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种微型发光二极管及发光装置。微型发光二极管至少可包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；金属导电层，形成于第一半导体层远离发光层一侧的表面；以及第一绝缘层，形成于第一半导体层远离发光层一侧的表面，并露出部分金属导电层，以对第一半导体层区域形成绝缘保护。
微型发光二极管发光装置

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