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[发明专利]电化学葡萄糖传感器的核壳结构型工作电极及制备方法-CN202310896202.8在审
发明人：毛琦;景蔚萱;张易军;韩枫;高伟卓;杨振伟;甄凤昆 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明属于葡萄糖传感器领域，公开了一种电化学葡萄糖传感器的核壳结构型工作电极及制备方法，包括：在基底上依次溅射金膜和ZnO薄膜，得到预处理基底；将预处理基底置于ZnO生长溶液中，采用水浴法在ZnO薄膜上生长ZnO纳米花，然后采用原子层沉积技术在ZnO纳米花上沉积AZO薄膜，得到AZO‑ZnO纳米花核壳结构；在AZO‑ZnO纳米花核壳结构上固化葡萄糖氧化酶，得到电化学葡萄糖传感器的核壳结构型工作电极。通过在ZnO纳米花上采用原子层沉积技术工艺制备AZO薄膜，形成了由AZO修饰的的核壳结构型工作电极，增强了功能化表面的电子传输性能，提高了工作电极的电子传输效率，能够在稳定酶吸附的基础上实现电子的快速传输，可用于制备高性能的电化学葡萄糖传感器。
电化学葡萄糖传感器结构工作电极制备方法

[发明专利]一种两步法异质外延生长氧化镓薄膜及其制备方法-CN202310639555.X在审
发明人： 张易军;王瑞康;韩根全;王虹;罗拯东;任巍;叶作光 -专利权人：西安交通大学;西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供的一种两步法异质外延生长氧化镓薄膜及其制备方法,包括如下步骤：步骤1，利用等离子体增强原子层沉积法在衬底上生长氧化镓薄膜，得到氧化镓薄膜籽晶层；步骤2，在得到的氧化镓薄膜籽晶层上同质外延氧化镓薄膜主体层，最终得到异质外延氧化镓薄膜；本发明解决了目前氧化镓薄膜制备方法存在的生长速率缓慢、制备厚度在100nm以上外延片成本高的难题。
一种步法外延生长氧化薄膜及其制备方法

[发明专利]一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法-CN202011266405.1有效
发明人：牛刚;武和平;任巍;赵刚;姜陆月;赵金燕;张易军;赵慧丰;代立言;王哲;余雯瑾;谢瑱 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法，包括：在SiO2/Si(001)衬底上制备密排单层纳米微球二维胶体晶体层；减小纳米微球的直径；在样品表面沉积一层金属薄膜；剥离微球二维胶体晶体层；采用干法刻蚀SiO2层；采用湿法刻蚀Si(001)衬底，形成倒金字塔结构；使用腐蚀溶液剥离SiO2和金属掩模层，得到带倒金字塔结构的Si模板；在Si模板上制备贵金属薄膜；使用胶黏剂将贵金属薄膜转移到新衬底上，金字塔结构外露；在贵金属金字塔表面转移一层石墨烯。本发明的方法使用了胶体光刻和微纳加工两种方法，成功制备了金字塔型SERS衬底；所制备的衬底在大尺度范围内纳米金字塔结构分布均匀，同时具有高灵敏性和通用性。
一种表面增强散射衬底制备方法

[发明专利]一种晶圆级外延薄膜及其制备方法-CN202310404521.2在审
发明人： 张易军;王虹;任巍;叶作光;王瑞康 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料薄膜技术领域，公开了一种晶圆级外延薄膜及其制备方法。该掺杂异质外延薄膜的制备方法，包括以下步骤：将衬底放入原子层沉积设备的真空反应腔中，加热至预设温度，然后采用M源对衬底进行功能化处理；向真空反应腔中依次脉冲A源、M源，再重复脉冲A源、M源；然后脉冲掺杂原子的前驱体源、M源：依次脉冲A源、M源，再重复脉冲A源、M源，得到AxMy薄膜层；进行重复上述过程；或依次脉冲A源、M源，再重复脉冲A源、M源，得到AxMy薄膜；然后进行退火处理，得到晶圆级外延薄膜。通过调节两种分子层的相对层数来调节掺杂原子的掺杂浓度，以实现掺杂元素在薄膜中的原子层掺杂。
一种晶圆级外延薄膜及其制备方法

[发明专利]一种具有自感知功能的高强度碳纤维复合材料及制备方法-CN202210096556.X有效
发明人：张洁;谢俊;张易军;任巍;陈小明 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有自感知功能的高强度碳纤维复合材料及制备方法，属于碳纤维复合材料领域。本发明的具有自感知功能的高强度碳纤维复合材料的制备方法，在碳纤维编织层上负载压电纳米层，压电纳米层为钛酸钡纳米材料。压电纳米层的制备为使用原子层沉积技术在碳纤维编织层表面生长籽晶层，籽晶层的作用是使压电纳米层能均匀致密地附着在碳纤维编织层上，之后使用水热法在增厚籽晶层，再将增厚籽晶层转变为压电纳米层，基于负载有压电纳米层的碳纤维编织层作为中间功能层构建三明治结构的复合材料；由于原子层沉积技术是以单原子膜形式一层一层的镀在碳纤维编织层表面，因此使得沉积的籽晶层具有极均匀的厚度和优异的一致性，通过掩膜选择性沉积，继而能精确地控制后续压电纳米层的形貌和阵列分布，这也成为最终检测到敏感可观的压电信号的重要基础。
一种具有感知功能强度碳纤维复合材料制备方法

[发明专利]一种硅基MEMS超级电容器及其制备方法-CN201910308795.5有效
发明人：任巍;刘学森;赵慧丰;张易军 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基MEMS超级电容器的制备方法，首先在洁净的硅片上旋涂一层光刻胶，通过交替排列的方形掩蔽层模板曝光、显影，在硅片上得到交替排列的方形掩膜结构；然后在具有方形掩膜结构的硅片上采用气体干法刻蚀，得到三维柱状阵列，并对硅片进行清洗、烘干；之后在具有三维柱状阵列的硅片表面上制备一层高K介质层，高K介质层采用HfO2薄膜；最后在高K介质层上制备上电极层，上电极层采用TiN薄膜；用划片机进行切割，得到所述的超级电容器；本发明一种硅基MEMS超级电容器的制备方法，制备过程简单，容易实现，便于大规模批量生产，通过在硅片上刻蚀出高密度三维柱状阵列，能够极大的提高超级电容器的比表面积，有效增大了电容密度。
一种 mems 超级电容器及其制备方法

[发明专利]图形化沉积ZnO功能层的方法、应变传感器及其制备方法-CN202110187982.X有效
发明人：张洁;孙超;张易军;叶作光;任巍 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化沉积ZnO功能层的方法、应变传感器及其制备方法，图形化沉积ZnO功能层的方法，首先基于流延刮膜工艺制备表面惰性的聚偏二氟乙烯膜，随后利用简易的图形掩膜版对聚偏二氟乙烯膜表面进行等离子体活性处理，最后在处理后的聚偏二氟乙烯膜表面沉积得到图形化的ZnO功能层。该方法的主要优点是简单有效，可以在未来超薄的柔性电子器件的设计制备方面具有实用价值。
图形沉积 zno 功能方法应变传感器及其制备

[发明专利]一种GaN薄膜的制备方法、GaN薄膜及其应用-CN202210058645.5在审
发明人： 张易军;王瑞康;任巍;叶作光;闫天怡 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN薄膜的制备方法，所述方法包括：将预处理的基片用高纯度氮气吹干后放入真空反应腔体内加热至预设温度，并在稳定第一预设时间后，采用300‑3000W功率的远程NH3等离子体对所述基片功能化处理第二预设时间；设定所述GaN薄膜的相关生长参数；向所述真空反应腔体中交替脉冲远程NH3等离子体和镓的有机金属前驱体源，以在所述基片上沉积GaN薄膜，直至所述基片沉积的GaN薄膜达到预设工艺条件后停止沉积；向真空反应腔体通入所述高纯度氮气直至室温，得到所述GaN薄膜；本发明通过改进原子层沉积技术，增加了预处理步骤，改进了NH3等离子体，从而制备出缺陷少，三维均匀性高的GaN薄膜，提高了GaN薄膜的光电性能。
一种 gan 薄膜制备方法及其应用

[发明专利]一种高储能密度聚合物及基于场排列制备其的方法-CN202110187985.3有效
发明人：张洁;赵枫婉;史鹏;张易军;庄建;任巍 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度聚合物及基于场排列制备其的方法，属于高储能密度复合材料技术领域。本发明中，碳纳米管表面沉积均匀超薄的氧化铝绝缘层，将其均匀添加到聚合物基体中，随后利用场排列技术使碳纳米管在聚合物基体中定向排列，在提高聚合物基体的介电常数的同时保持其相对较高的击穿强度；另外，向聚合物中添加氮化硼纳米片以增加聚合物基体的击穿强度；通过热压技术将高耐压层和高介电层结合在一起，获得同时具有高介电和高击穿的聚合物薄膜。不同于其他单纯地提高介电常数或者提高击穿强度从而提高聚合物储能密度的方法，本发明通过复合多层膜，使得聚合物薄膜同时具有高介电和高击穿性能，在较低的电场下就能获得更高的储能密度。
一种高储能密度聚合物基于排列制备方法

[发明专利]一种在线校准晶圆微纳米台阶高度标准样板及其循迹方法-CN201910920159.8有效
发明人：王琛英;张雅馨;蒋庄德;景蔚萱;林启敬;刘明;张易军;韩枫;毛琦;王松;杨亚威 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在线校准晶圆微纳米台阶高度标准样板及其循迹方法，用于实现在线校准，样板包括中心工作区域及第一、第二循迹区域；通过所述微纳米台阶高度标准样板的第一循迹区域和第二循迹区域内的等腰三角形循迹标识的指向配合设计单位标识确定样板的摆放方向与中心工作区域位置；通过所述中心工作区域内台阶结构左右两侧区域设置的四种循迹定位参考图形快速定位台阶结构位置，通过台阶结构两边对称设置的校准定位块快速定位台阶测量位置，完成整个定位过程。该样板上的台阶结构是在晶圆片上直接制备，并且台阶测量区域可通过循迹标记快速定位，因此该发明实现了对微电子集成电路产线中纳米测量仪器的在线溯源校准工作，大大提高了仪器校准效率。
一种在线校准晶圆微纳米台阶高度标准样板及其方法

[发明专利]一种22纳米及以下量值单一线宽样板结构及其制备方法-CN202110791794.8在审
发明人： 张易军;闫天怡;王琛英;任巍;蒋庒德;叶作光;王瑞康 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G01B21/02 文献下载
摘要：一种22纳米及以下量值单一线宽样板结构及其制备方法，包括衬底层、第一膜层、第二膜层和粘结层；第一膜层和第二膜层自上而下依次设置在衬底层上，形成膜层单元，两个膜层单元的第一膜层相对设置，通过粘结层粘结；第二膜层上设置宽度小于等于22纳米的凹槽。本发明利用原子层沉积技术具有薄膜厚在亚纳米量级精确可控，工艺可重复性高等优点，采用将薄膜厚度转换成纳米线宽样板特征尺寸的设计思路，制备高精度的微尺度(22nm以下量程)纳米单线宽样板，目前所制备的高精度线宽的极限尺度达到16nm，已达到国内顶尖，世界领先的水平。
一种 22 纳米以下量值一线样板结构及其制备方法

[实用新型]一种包含多种校准类型的晶圆标准样板-CN202022169212.6有效
发明人：蒋庄德;张雅馨;王琛英;景蔚萱;林启敬;张易军;张亮亮;高崐;李磊;毛琦;王松;牛忠楠 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种包含多种校准类型的晶圆标准样板，属于微纳米级精密测量技术领域。包括：基底，所述基底上设置有指引区域与校准区域；所述指引区域包括：指引图案与至少两个凹坑；所述校准区域包括：与每个凹坑配套的标准样板，所述标准样板安装于所述凹坑上；所述指引图案设置于所述凹坑周围，用于在测量仪器对所述标准样板进行定位时，对所述测量仪器的定位起到指示作用。使用本申请提供的包含多种校准类型的晶圆标准样板，可以在保证校准精度的同时，提高校准效率。
一种包含多种校准类型标准样板

[发明专利]一种用于在线仪器校准的晶圆级膜厚标准片的制备方法-CN202110173479.9在审
发明人： 张易军;任巍;叶作光;蒋庄德;闫天怡;王瑞康 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01B21/04 文献下载
摘要：本发明提供的一种用于仪器校准的晶圆级膜厚标准片的制备方法，包括以下步骤：将晶圆衬底清洗干净并去除自然氧化层，得到处理后的晶圆衬底，利用原子层沉积法在晶圆衬底上实现非晶化高质量薄膜沉积，解决其他传统方法中由于分子团簇或者结晶导致薄膜表面粗超度大和厚度不均匀的难题，获得高精度晶圆级膜厚标准片；本发明精确地将薄膜厚度控制在单原子层量级，确保薄膜生长实现100％的均匀性、保形性和无针孔；同时，本发明涉及的制备方法可重复性高，使同一批次和不同批次标准片的厚度量值重复性好。
一种用于在线仪器校准晶圆级膜厚标准制备方法

[发明专利]一种跨量级多尺度线宽标准器及其制备方法-CN201910683553.4有效
发明人： 张易军;王琛英;任巍;蒋庄德;景蔚萱;刘明;叶作光;毛琦 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01B21/04 文献下载
摘要：本发明提供的一种跨量级多尺度线宽标准器的制备方法，包括以下步骤：步骤1，利用原子层沉积法在洁净的衬底上沉积两种或者两种以上材料形成的纳米叠层薄膜；步骤2，将步骤1中得到的纳米叠层薄膜依次进行膜面对粘、加热固化，之后得到固化样品；步骤3，将步骤2中得到的固化样品依次进行机械减薄、机械抛光，得到抛光样品；步骤4，将步骤3中得到的抛光样品依次进行离子减薄、离子抛光，最终得到跨量级多尺度线宽标准器；本发明突破了传统光刻+刻蚀技术无法加工的极小特征尺寸，又可实现不同量级、不同尺度线宽特征尺寸在同一线宽样板上面的集成，实现一块线宽样板满足不同尺度，不同领域的要求。
一种量级尺度标准及其制备方法

[发明专利]一种特征尺寸可调控周期性纳米线宽样板及其制备方法-CN201910591943.9有效
发明人： 张易军;王琛英;任巍;蒋庄德;刘明;叶作光;毛琦 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供的一种特征尺寸可调控周期性纳米线宽样板的制备方法，利用在薄膜厚度控制和三维均匀性方面最好的ALD技术制备具有精确厚度的周期性纳米叠层薄膜，然后通过切割，对粘和研磨抛光等微纳加工技术，将纳米薄膜的厚度转化为纳米线宽样板的特征尺寸，即突破了传统光刻+刻蚀技术无法加工小尺寸纳米线宽样板的技术极限，又可大大提高纳米线宽样板的加工精确度和可重复性，这对制备高精度和高质量纳米线宽样板具有重要意义。该方法制备过程简单易行，与现有产业化半导体制备工艺流程相兼容，可以以廉价的成本和简单的设备制备出高质量周期性纳米线宽样板。
一种特征尺寸调控周期性纳米样板及其制备方法

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