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[发明专利]一种石英摆片的制备方法-CN202010751436.X有效
发明人：王立会;陈天平;李克光;韩红宾;郭星 -专利权人：保定开拓精密仪器制造有限责任公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英摆片的制备方法，包括：S1、晶圆基材清洗，S2、晶圆正面金属层沉积，S3、晶圆背面金属层沉积，S4、匀胶、曝光，S5、显影，S6、金属层腐蚀，S7、基材腐蚀，S8、取片、存储。晶圆上均匀的设置有若干个摆片，同时可以对多个摆片进行加工，不仅提高了摆片的加工效率，而且提高了摆片质量的一致性。使用光刻工艺对晶圆上沉积金属层进行加工，使得金属层具有掩膜的作用，能够提高产品的加工精度。本发明采用上述石英摆片的制备方法，能够解决现有的摆片生产效率低、精度低和质量稳定性差的问题。
一种石英制备方法

[实用新型]具有晶圆放置方向检测装置的晶圆贴膜机-CN202021132064.4有效
发明人：苏士安 -专利权人：甬矽电子（宁波）股份有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型的具有晶圆放置方向检测装置的晶圆贴膜机，包括贴膜机机台，所述贴膜机机台包括晶圆定位机构和保护膜贴附于晶圆贴膜机构，以及将晶圆传送至晶圆定位机构的晶圆传动机构，所述晶圆传动机构配设一图像传感器，所述图像传感器通信连接一图像侦测控制系统，通过图像侦测控制系统控制贴膜机机台停机或运行；所述图像传感器识别晶圆上端面是否具有花纹判断晶圆的正面或反面。本实用新型提供了一种能有效识别晶圆正反面，对产品的正面进行贴膜，提高晶圆贴膜效果，避免压力对晶圆的刮伤。
具有放置方向检测装置晶圆贴膜机

[发明专利]晶圆贴模用胶带构造、贴膜设备及贴膜方法-CN201210378206.9无效
发明人：洪嘉临 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆贴模用胶带构造、贴膜设备及贴膜方法，所述胶带构造依序包含：一透明基材层；一透明黏接层，具有一第一黏接面及第二黏接面，所述第一黏接面黏合于所述透明基材层上；及一透明剥离片，可剥离的结合在所述第二黏接面上，所述透明剥离片等间距的设置数个遮光部，各二相邻遮光部的间距等于一次晶圆贴膜所需的长度。因此，本发明可侦测或决定贴膜用透明胶带一次晶圆贴膜所需长度的切割位置，以节省改装机台和使用人工判断的设备及人事成本。
晶圆贴模用胶带构造设备方法

[发明专利]固晶膜、切割固晶片及半导体芯片的制造方法-CN201980006405.7有效
发明人：布施启示 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种固晶膜，其包含第一层与设置在该第一层上的第二层，该第一层具有熔融黏度的初始检测温度为75℃以下的特性；该第二层具有粘着性及能量射线固化性；所述固晶膜还具有以下特性：将厚度为10μm且宽度大于25mm的该第二层作为试验片，将该试验片贴附在硅镜面晶圆上，以使宽度为25mm的方式切断该试验片，将切断后的该试验片与该硅镜面晶圆一同在纯水中浸渍2小时，使浸渍后的该试验片能量射线固化而制成固化物，从而制作在该硅镜面晶圆上贴附有该固化物的试验用层叠体时，宽度为25mm的该固化物与该硅镜面晶圆之间的粘着力为6N/25mm以上。
固晶膜切割晶片半导体芯片制造方法

[实用新型]一种晶圆覆膜机-CN202221997386.4有效
发明人：马运刚;刘双红;史彦青 -专利权人：郑州琦升精密制造有限公司
申请日： 2022-11-19 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆覆膜机，本实用新型有效解决了对晶圆的卡紧效果不好，不能准确的卡紧晶圆两端，容易使薄膜贴偏，且在覆膜的过程中需要操作人员频繁操作，覆膜过程较为繁琐，不便于对晶圆覆膜时使用的问题。该晶圆覆膜机通过晶圆放置架、驱动组件、橡胶垫、卷膜轴、和裁膜组件的设置，晶圆放置架便于将不同尺寸的晶圆进行限位，能将晶圆与薄膜对齐，驱动组件通过橡胶垫能将晶圆顶起同时薄膜下落，使晶圆顶紧薄膜从而薄膜便会覆盖在晶圆表面，然后通过转动架转动裁膜组件能将薄膜裁下，裁膜组件的转动半径能根据晶圆的半径进行调节，对晶圆覆盖相对应大小的薄膜，且该装置操作简单，对晶圆的覆膜效果更好且有效的提高了晶圆覆膜的效率。
一种晶圆覆膜机

[发明专利]一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法-CN202111541358.1在审
发明人：顾昊元;蔡晨;李亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，在晶圆的正面贴附UV膜；对晶圆的背面进行预减薄；对晶圆的背面进行TAIKO减薄，减薄后的晶圆背面中间内凹，边缘部分形成支撑环；对晶圆的正面进行UV膜剥离；对晶圆背面中间内凹部分进行湿法刻蚀，并且正面进行保护；对晶圆背面蒸镀金属，形成金属层；对晶圆的正面进行切割膜贴附；对晶圆进行环切，去除晶圆背面的所述支撑环。本发明提出一种用于改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲问题的工艺方法，通过减少剥膜前的物理研磨厚度，降低剥膜前的晶圆翘曲程度，从而改善剥膜前因晶圆翘曲导致的真空吸附异常而无法加工的问题。在剥膜后，再通过湿法药液化学刻蚀，使晶圆减薄到目标厚度。
一种改善 taiko 减薄剥膜前晶圆翘曲方法

[实用新型]一种晶圆表面微区干燥装置-CN202321168422.0有效
发明人：王虎;李林;余彬彬 -专利权人：武汉锐晶激光芯片技术有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种晶圆表面微区干燥装置，其包括载物台，用于放置晶圆片，还包括激光加热组件及移动组件，所述激光加热组件用于发射激光以对晶圆片显影区域进行加热，所述移动组件用于使载物台与激光加热组件在水平方向相对移动，以使激光照射到晶圆片显影区域。本实用新型通过设置激光加热组件可以发射具有一定能量的激光光束，在移动组件的作用下，使载物台与激光加热组件在水平方向相对移动，从而使激光光束避开光刻胶区域，并照射到晶圆片显影区域，来实现在晶圆片表面的特定微小区域实现精准的加热干燥，该干燥方式不会对光刻胶进行加热，可以避免光刻胶受热出现异常，同时可以提高金属膜层与晶圆片显影区域的薄膜表面的附着力。
一种表面干燥装置

[实用新型]一种在线式甩干干燥装置-CN202023241945.2有效
发明人：张素明;李德保 -专利权人：无锡琨圣智能装备股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： F26B11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种在线式甩干干燥装置，包括槽体，所述槽体内腔设有旋转花篮，承载盒置于所述旋转花篮内，所述旋转花篮的一端与旋转驱动部件连接，气电滑环与所述旋转驱动部件连接，所述承载盒的一侧设有挡片机构，另一侧设有翻板压紧机构，所述槽体内腔靠近所述翻板压紧机构处还设有平板风道；减少硅片或晶圆的污染,减少硅片或晶圆的水纹印，减少或避免水痕片,降低设备能耗、节省能源,无易挥发的有机物排放，绿色环保。
一种在线式甩干干燥装置

[发明专利]一种离子注入附加掩膜的方法-CN201210375752.7在审
发明人：赖朝荣;邓建宁;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入附加掩膜的方法，其属于离子注入技术领域，具体包括在所述多项目晶圆前增加一块掩膜板，并往所述多项目晶圆中注入N元素；所述N元素用于把所述多项目晶圆的硅表面非晶化；上述技术方案的有益效果是：大大简化了生产工艺的步骤，同时，离子注入掩膜板最多可以实现4种不同剂量注入，这意味着可以在同一片晶圆上实现4种不同厚度的栅氧化层，而原有多项目单晶圆流程至少需要额外三道光罩才能达到这个效果，在节省成本的同时
一种离子注入附加方法

[发明专利]半导体晶圆的贴膜方法和半导体晶圆的贴膜装置-CN201310494949.7在审
发明人：山本雅之;金岛安治;石井直树 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供半导体晶圆的贴膜方法和半导体晶圆的贴膜装置。将树脂性的密封用的片切割成外形小于晶圆的外形的粘接片片材，将该粘接片片材连同环框一起粘贴于支承用的粘着带。利用上壳体和下壳体对粘着带中的位于该环框与粘接片片材的之间的部分进行夹持而形成腔室，将载置于该腔室内的晶圆保持台的带有支承板的晶圆和粘接片片材相对地配置，使利用粘着带分隔而成的两个空间之间产生压力差，从而使粘着带和粘接片片材朝向晶圆凹入弯曲而将该粘接片片材粘贴于晶圆
半导体方法装置

[发明专利]一种单片晶圆测试多台设备的方法-CN201910849155.5有效
发明人：吴恋伟;林元鼎;邓丹丹;郭文海;翁佩雪;赵玉会;林锦伟 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片晶圆测试多台设备的方法，包括以下步骤：应力测试仪对裸硅晶圆进行应力前置测试，获取前置应力值；将裸硅晶圆置入化学气相沉积设备中，对应力测试后的裸硅晶圆沉积氮化硅，膜厚测试仪对沉积氮化硅的硅晶圆进行膜厚和折射率测试，获取氮化硅膜厚和折射率作为化学气相沉积设备测机参数，以及应力测试仪对沉积氮化硅的硅晶圆进行后置应力测试，获取第一后置应力值。本方案省去多道传统检测工艺步骤，简化测机工艺流程，缩短了检测周期，减少测机片的使用，提高检测效率。
一种单片测试设备方法

[实用新型]一种纳米晶圆产品氮气保护湿法清洗装置-CN202023319502.0有效
发明人：张先明;邓信甫;刘大威;陈丁堃 -专利权人：至微半导体（上海）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米晶圆产品氮气保护湿法清洗装置，包括晶圆承载机构及晶圆清洗机构，所述晶圆承载机构用于放置晶圆片，所述晶圆清洗机构包括驱动机构、清洗壳体、液体清洗喷头、雾化清洗喷头、氮气喷嘴及超声波震荡片所述清洗壳体连接驱动机构并在驱动机构的带动下实现升降运动及旋转运动，所述清洗壳体的内部设置有液体清洗管道、雾化清洗管道及气体输送管道，液体清洗管道的一端连接液体清洗喷头，雾化清洗管道的一端连接雾化清洗喷头，所述雾化清洗喷头连接超声波震荡片，本实用新型采用氮气吹送，在雾状水的表面形成气体保护膜，保持液体的表面能，阻挡液滴分子团聚，保证了纳米晶圆的清洗效果。
一种纳米产品氮气保护湿法清洗装置

[发明专利]一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法-CN201811462145.8有效
发明人：边永智;宁永铎;钟耕杭;程凤伶;郑宇;张亮;徐继平;卢立延 -专利权人：有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法。该方法包括以下步骤：(1)在衬底晶圆背表面粘贴一层聚四氟乙烯掩蔽蓝膜；(2)经过表面清洗，将衬底晶圆放入酸腐蚀机的酸液中进行一次表面腐蚀，去除部分正表面损伤层；(3)经过表面清洗，进入去膜机去除掩蔽蓝膜；(4)再次经过表面清洗，清洗后的衬底晶圆再次进入酸腐蚀机的酸液中进行二次表面腐蚀，去除正表面损伤层和部分背表面损伤层；(5)再次经过表面清洗后，衬底晶圆腐蚀加工完成。该方法能够降低腐蚀片正表面损伤层深度，大大降低抛光加工去除量，同时使腐蚀片背表面保留吸杂作用，提高了抛光加工效率，简化了加工流程，提高了产品质量，降低了生产成本。
一种适用于单面抛光直径衬底酸腐加工方法

[发明专利]一种晶圆单面化学镀的装置和方法-CN202211657822.8在审
发明人：吕亦乐;张鸿鑫;陈强;谭灿健;谢为芝 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C18/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种晶圆单面化学镀的装置和方法，通过将两片晶圆的背面相对设置，然后在两片晶圆的背面之间设置环形保护膜；然后利用晶圆夹持组件夹持两片晶圆，使得所述环形保护膜紧密贴合在两片晶圆的背面，通过晶圆夹持组件的夹持使得晶圆背面被完全遮挡，避免了晶圆背面区域镀上目标金属；最后将夹持好的晶圆夹持组件放入目标金属镀液中对上述两片晶圆的正面同时进行单面化学镀，有利于提高化学镀的效率和节约成本；同时，本发明可以同时兼顾Taiko晶圆以及普通片厚晶圆，适应性更广；且本发明无需引进国外垄断的Taiko晶圆背面贴膜设备，也无需对现有的浸泡式化学镀设备进行任何调整和更换，极大地降低了晶圆单面化学镀的成本。
一种单面化学装置方法

[发明专利]一种半导体晶圆加工设备-CN202010665531.8在审
发明人：赵宏 -专利权人：广东梓优机械科技有限公司
申请日： 2020-07-11 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆加工设备，其结构包括支撑主机、控制面板、滑动器、支撑台、电机、研磨砂轮、晶圆放置机构，支撑主机前表面嵌有控制面板，夹片对晶圆外侧的上下两侧表面进行贴紧，通过研磨砂轮研磨过程中产生的转动力，使得晶圆的外侧顺着转动轮进行转动，确保研磨砂轮对晶圆表面进行全面的研磨，通过卡位转杆转动与定位卡槽进行卡合，将晶圆进行翻面，提高了对晶圆的研磨效率，牵引绳进行牵引拉动，带动了连接盘进行平稳的往下移动，这时四个活塞板在四个气管内部同步进行活塞运动，这时吸盘内部呈真空状态，这时吸盘与晶圆的底面进行牢牢吸附，同时只对晶圆的底面进行吸附，确保晶圆的表面不受研磨影响，能够进行全面的研磨。
一种半导体加工设备