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[发明专利]一种半导体芯片晶圆片号校验方法-CN201610969557.5有效
发明人：邵嘉阳;祁建华;牛勇;王锦;郝丹丹;叶建明 -专利权人：上海华岭集成电路技术股份有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体芯片晶圆片号校验方法，包括：探针台发送晶圆校验开始信号给工作站；探针台根据请求向工作站发送原始晶圆片号、原始晶圆批号和原始晶圆片槽位置号；获取晶圆片号和晶圆批号的分解规则；将原始晶圆片号分解成校验晶圆批号、校验晶圆片槽位置号和总和检验码；将原始晶圆批号分解成分解晶圆批号和子批号；将分解晶圆批号和校验晶圆批号进行对比，同时将原始晶圆片槽位置号和校验晶圆片槽位置号进行对比，如果有任何一个对比结果不匹配，则停止测试并报警本发明通过晶圆批号、晶圆片槽位置号、晶圆片号之间的关系，判断这三个信息是否正确，最大可能的减少晶圆片号读取错误问题。
晶圆片晶圆校验槽位置分解半导体芯片探针台工作站读取发送错误问题对比结果开始信号人员检查停止测试最大可能检验码匹配报警

[发明专利]电极导电柱绑定式晶圆制作方法-CN202210200435.5在审
发明人：任留涛 -专利权人：南通格普微电子有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种电极导电柱绑定式晶圆制作方法，包括以下步骤：S1将导电铜箔制成图形化铜箔；S2晶圆绑定；S3绝缘保护层填充；S4保护膜正面贴敷；S5晶圆减薄；S6撕膜；S7背面金属化；S8划片封装。通过芯片正面设计工艺以及背面减薄工艺实现超薄晶圆处理，能够提高芯片的功率密度，降低热阻，缩小封装体积。并通过加厚金属层以及保护绝缘层，提高了晶圆强度，降低了晶圆破裂几率。
电极导电定式制作方法

[发明专利]喷墨头芯片的制造方法-CN202211094047.X在审
发明人：莫皓然;戴贤忠;方麟辉;刘华晋;黄君萍;韩永隆;黄启峰;林宗义;郭俊毅 -专利权人：研能科技股份有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：一种喷墨头芯片的制造方法，包含：1)提供一喷墨头晶圆，该喷墨头晶圆的一第一表面上有至少一高分子厚膜；2)提供一高分子薄膜，该高分子薄膜的一第二表面涂抹一接着促进剂；3)以晶圆对晶圆方式将该高分子薄膜滚压于该喷墨头晶圆的该高分子厚膜上；4)于该高分子薄膜的一第三表面上旋转涂布一硅氧烷光阻，透视该硅氧烷光阻与该高分子薄膜，对该喷墨头晶圆进行光罩对位；5)对该硅氧烷光阻进行曝光与显影；6)对该高分子薄膜蚀刻，形成多个喷孔片以及至少一保护肋
喷墨芯片制造方法

[发明专利]一种晶圆用覆膜装置及其方法-CN202210972191.2在审
发明人：谢亮春;邓攀;张小波 -专利权人：深圳市新晶路电子科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆用覆膜装置及其方法，具体涉及晶圆技术领域，其技术方案是：包括底座、支撑架和通孔，所述支撑架安装在底座的上端，所述通孔开设在底座的右端内壁，还包括：用于对晶圆压膜的按压组件，所述按压组件安装在支撑架上；用于对刀片横向调节的定位组件，所述定位组件安装在支撑架的上端；按压组件包括对按压辊轮移动的移动组件，本发明有益效果是：通过对晶圆上侧设置切膜组件，在切膜刀做圆周运动切割晶圆膜前，对晶圆边缘处采用滚珠进行再次压合，使晶圆膜压紧更方便切割，晶圆膜在切割后立马通过锯齿轮拉扯晶圆膜，使晶圆膜自动快速拉扯到收集盒内进行集中收集，提高取膜的效率和安全性。
一种晶圆用覆膜装置及其方法

[发明专利]晶圆的切割工艺及晶圆的生产方法-CN201710039006.3有效
发明人：王斌;张树宝;宋美丽;姜舫 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的切割工艺及晶圆的生产方法，涉及半导体晶圆加工技术领域，包括如下步骤：(a)提供晶圆，所述晶圆包括正面和与正面相对应的背面；(b)提供底膜，所述底膜粘附于固定环上，且所述底膜的外缘大于所述固定环的外缘；(c)贴膜，将所述晶圆的背面粘附于所述底膜上；(d)切割，自晶圆的正面向其背面切割粘附有底膜的所述晶圆，以将所述晶圆切割成多个晶粒，且多个晶粒分别粘附于底膜上，解决了现有晶圆切割工艺需要其它附属工具将底膜固定，导致生产效率低的技术问题，达到了利用底膜边缘与固定环外缘的容差进行扩膜固定，提高了生产效率，降低了生产成本的技术效果。
切割工艺生产方法

[发明专利]膜层厚度的测试装置-CN202111202728.9在审
发明人：李弘祥;黄鑫 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，提出了一种膜层厚度的测试装置，用于测量晶圆的膜厚，膜层厚度的测试装置包括：支撑主体；夹具，夹具设置于支撑主体，夹具用于与晶圆的周向外边缘相接触，以使得晶圆竖直固定于夹具；膜厚测量组件，膜厚测量组件包括光源发送端和接收端，膜厚测量组件用于测量晶圆的膜厚。支撑主体上的夹具将晶圆竖直固定，减小了晶圆的重力对晶圆翘曲度的改变，从而通过膜厚测量组件的光源发送端和接收端能够准确测量得到晶圆的膜层厚度。由于晶圆竖直固定，晶圆在膜层厚度测量过程中翘曲度基本不会发生改变，保证了膜厚测量组件的测试光路光程不受翘曲度的影响，以此获得准确的膜层厚度，从而改善了膜层厚度的测试装置的测试性能。
厚度测试装置

[发明专利]一种晶圆片的研磨抛光方法以及相应的晶圆片-CN201811303290.1有效
发明人：熊帅;王广阳;熊永华;岳爱文 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆片的研磨抛光方法以及相应的晶圆片，该晶圆片的研磨抛光方法包括根据晶圆片的硬度，配置与所述晶圆片相匹配的研磨液；采用所述研磨液对所述晶圆片进行研磨；采用化学方式对研磨后的晶圆片进行抛光，以释放由于研磨操作产生的应力；对抛光后的晶圆片进行清洁处理，得到研磨抛光后的晶圆片。本发明依据晶圆片的硬度配置合适的研磨液，以保证研磨的去除率，达到晶圆片减薄的效果，同时，采用化学方式对晶圆片进行抛光，释放研磨过程中产生的应力，保证晶圆片的平整度，并有效避免了晶圆片裂片情况的发生。
一种晶圆片研磨抛光方法以及相应

[发明专利]晶圆切割方法、芯片封装方法和半导体结构-CN202210040856.6在审
发明人：吕开敏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆切割方法、芯片封装方法和半导体结构。晶圆切割方法包括：提供待切割晶圆，所述待切割晶圆包括导电层；在所述待切割晶圆的第一表面形成切割道；在所述第一表面形成暴露出所述切割道的掩膜层；自所述第一表面沿着所述切割道进行干法刻蚀，直至暴露出所述导电层；对所述待切割晶圆进行扩片，使得所述导电层断裂，以将所述待切割晶圆分离成多个晶圆颗粒。上述晶圆切割方法结合了等离子体刻蚀工艺和冷崩工艺的优点，可以对晶圆实现快速切割，提高产品良率。
切割方法芯片封装半导体结构

[实用新型]一种晶圆覆膜切割机-CN202120436240.1有效
发明人：李志卫;张仕俊 -专利权人：苏州新米特电子科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B26D11/00 文献下载
摘要：本申请涉及晶圆覆膜生产的领域，尤其是一种晶圆覆膜切割机，其包括机架，所述机架上设有供覆膜卷放置的置膜架和供待切割覆膜放置的切割台，所述切割台上方设置有用于切割晶圆覆膜的切割组件，所述切割组件包括切割滚轮，所述切割组件与所述机架间设有用于限定切割组件作圆周运动的转动件，解决了裁切后的晶圆覆膜边缘易产生毛边，不是完整的正圆，导致晶圆覆膜与晶圆不贴合的问题。本申请具有保证晶圆覆膜切割后的完整性，减少晶圆覆膜毛边的产生的效果。
一种晶圆覆膜切割机

[发明专利]一种硅基OLED显示基板-CN202111663956.6在审
发明人：王卫卫;周文斌;王浩;程保龙;冯峰;孙剑;高裕弟 -专利权人：昆山梦显电子科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：该硅基OLED显示基板包括：晶圆基板和多个支撑隔离部件，晶圆基板包括基底以及形成于基底上的多个裸片；多个支撑隔离部件位于晶圆基板上的相邻裸片之间，并且支撑隔离部件的高度大于裸片的高度，支撑隔离部件条用于支撑蒸镀用通用型掩膜版本实施例解决了现有硅基OLED产品受颗粒影响严重，良率异常，以及封装失效的技术问题，在白光OLED器件的蒸镀过程中，对掩膜版和基板进行有效隔离，防止清洗后残存于掩膜版上的颗粒粘附到基板上，减少了掩膜版引入硅基
一种 oled 显示

[发明专利]一种晶圆处理方法及装置-CN201910371415.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆处理方法及装置，在晶圆处理方法中，在对晶圆进行边缘抛光之前，在所述晶圆的表面形成氧化膜。根据本发明的晶圆处理方法，在对晶圆进行边缘抛光之前，在晶圆的表面形成氧化膜，通过在晶圆的表面形成氧化膜能够在边缘抛光过程中保护晶圆的表面，防止晶圆表面形成表面缺陷，提高晶圆的抛光品质，提高生产良率。
晶圆边缘抛光表面形成氧化膜种晶表面缺陷晶圆表面抛光品质良率生产

[发明专利]激光校准方法、加工方法及装置-CN201810241448.0有效
发明人：冯雷;张红江;周欢;黄嘉;杨金虎;刘勇辉;吴凡;曾威;尹建刚;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： B23K26/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光校准方法、加工方法及装置，激光加工装置包括用于承载晶圆组件的工作台、激光器及识别机构，利用激光加工装置加工晶圆片时，采用激光校准方法进行第一次预校准后，工作台带动晶圆组件从标定区域进入切割区域，激光器对晶圆片的正面进行切割。激光校准方法主要包括以下步骤：激光器在透明粘性膜上进行划线，得到测试划痕；工作台带动晶圆组件从切割区域进入标定区域；识别机构获取测试划痕的图像，并确定偏移量，当偏移量在阀值范围内时，工作台带动晶圆组件移动通过上述的激光校准方法，能修正激光在晶圆组件上的加工位置，实现激光与晶圆组件的精准对位，进而能够提高晶圆片的加工良率。
晶圆组件激光校准工作台激光器加工方法及装置激光加工装置切割区域晶圆片偏移量标定划痕激光测试补偿偏移加工位置精准对位透明粘性校准次预晶圆良率划线加工切割承载图像修正移动

[发明专利]处理晶圆的方法以及用在该方法中的保护片材-CN201580084071.7有效
发明人：卡尔·海因茨·普利瓦西尔 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，该晶圆(W)在一侧(1)具有器件区域(2)和周边边缘区域(3)，器件区域(2)具有通过多条分割线(11)划分的多个器件，周边边缘区域(3)没有器件并且围绕器件区域(2)形成，其中，器件区域(2)形成有从晶圆(W)的平面表面突出的多个突起(14)。该方法包括：提供保护膜(4)；提供基片(7)，该基片(7)具有施加到其前表面(17)的缓冲层(13)；将用于覆盖晶圆(W)上的器件的保护膜(4)的前表面附接到晶圆(W)的所述一侧(1)，其中，保护膜(4从晶圆(W)的平面表面突出的突起(14)被埋入缓冲层(13)中，并且基片(7)的与其前表面(17)相反的后表面(18)基本上平行于晶圆(W)的与所述一侧(1)相反的侧(6)。该方法还包括：研磨晶圆(W)的与所述一侧(1)相反的所述侧(6)以调节晶圆厚度。本发明还涉及一种用在这种处理方法中的保护片材(5,5’)。
处理方法以及中的保护

[发明专利]一种超小尺寸芯片切割工艺-CN201810759487.X在审
发明人：汪洋;于政;方梁洪;罗立辉 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超小尺寸芯片切割工艺，包括如下步骤：(1)将背面粘贴划片膜的晶圆固定在片环上；(2)将步骤(1)所述晶圆及片环放入烤箱进行烘烤；(3)将步骤(2)所述烘烤好的晶圆放入切割机，选择程序进行切割本发明创造性的通过采用先短边后长边的切割工艺，同时调整蓝膜烘烤参数、切割参数及Z2主轴的划片刀等，突破常规切割模式，提供一种新的超小尺寸芯片切割工艺，测试片和客户片均达到99.5％以上的芯片良率标准，同一晶圆内部不同部位的芯片切割稳定性也有了较大的提升
切割晶圆小尺寸芯片烘烤短边放入片环切割机芯片切割参数芯片长边芯片切割选择程序烤箱测试片划片膜长边蓝膜良率片刀粘贴背面客户

[发明专利]外延片的制造方法及外延片-CN202080092094.3在审
发明人：铃木克佳;铃木温 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片的制造方法，其为在由包含硅的IV族元素构成的晶圆上形成单晶硅层的外延片的制造方法，其包括：在含氢气氛下，去除所述由包含硅的IV族元素构成的晶圆表面的自然氧化膜的工序；在去除所述自然氧化膜之后，使所述晶圆氧化，从而形成氧原子层的工序；及在形成所述氧原子层之后，使单晶硅在所述晶圆表面进行外延生长的工序，并且在该制造方法中，将所述氧原子层的氧的平面浓度设为4×1014片的制造方法。
外延制造方法