“晶圆片翻膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3146088个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法及贴膜装置-CN201010517200.6有效
发明人：张明星;周曙国 -专利权人：上海技美电子科技有限公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，在贴膜时，提供一压力将晶圆推向薄膜，使薄膜与晶圆粘贴在一起。本发明中的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法及贴膜装置，采用对晶圆施加压力，使其贴向薄膜。晶圆受到的压力可以将晶圆与薄膜牢固粘贴在一起。在贴膜时，薄膜可以为晶圆提供支撑力，防止晶圆变形过大而破裂。因此，利用本发明方法和装置贴膜，可有效避免超薄晶圆破裂的问题。
适于超薄晶圆贴膜方法装置

[发明专利]监控退火工艺稳定性的方法-CN202011159540.6有效
发明人：余忠寅;蔡丹华;刘鹏 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种监控退火工艺稳定性的方法，其在对待退火处理的膜层进行退火处理之后，对具有所述膜层的晶圆监控片进行应力参数测量,所述应力参数包括应力大小、翘曲度和曲率半径等，显然能够对晶圆监控片在退火前后发生的形变进行监测，进而能够根据应力参数测量结果来判断退火工艺的稳定性是否符合要求，易于实现，且由于应力大小、翘曲度等应力参数可以是对晶圆监控片进行直接测量而获得，因此准确性高。
监控退火工艺稳定性方法

[发明专利]一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法-CN202110516735.X在审
发明人：汤高;贺贤汉;徐庆斌;张正伟;蒋立峰 -专利权人：上海富乐德智能科技发展有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，包括如下步骤：步骤一，热水浸泡，浸润SiC外延晶圆片表面，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；步骤二，有机溶剂浸泡，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；纯水冲洗去除残留药液；步骤三，碱溶液刻蚀，刻蚀表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；步骤四，硝氟酸溶液中和，去除表面残留碱，并且能刻蚀表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；步骤五，超声波清洗，超纯水冲洗并高纯氮气吹干通过该方法，能去除SiC外延晶圆片表面的AlN和GaN等金属污染物，获得高洁净度的SiC表面，满足SiC外延晶圆片高洁净度洗净再生要求。
一种 sic 外延晶圆片洗净再生方法

[实用新型]一种无主栅异质结电池结构及电池组件-CN202222850972.2有效
发明人：周健;刘松民;朱强忠;吴振;薛小康 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种无主栅异质结电池结构及电池组件，它包括无主栅电池片，所述无主栅电池片包括硅片，硅片的正面设有正面非晶硅本征层，背面设有背面非晶硅本征层，所述正面非晶硅本征层的外侧设有微晶N层，所述背面非晶硅本征层的外侧设有微晶P层，所述微晶N层的外侧设有第一透明导电膜，所述微晶P层的外侧设有第二透明导电膜，所述第一透明导电膜的外侧设有多个第一导电胶，所述第二透明导电膜的外侧设有多个第二导电胶，所述第一导电胶之间设置低温圆铜丝连接，所述第二导电胶之间设置低温圆铜丝连接。
一种无主栅异质结电池结构组件

[发明专利]晶圆贴膜方法和半导体器件-CN202010901147.3在审
发明人：穆正德 -专利权人：矽磐微电子（重庆）有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆贴膜方法和半导体器件。所述晶圆贴膜方法包括：提供保护膜、隔离膜和晶圆，所述隔离膜具有与所述晶圆的形状一致的收容空间；将所述保护膜面向所述晶圆和所述隔离膜，所述晶圆置于所述隔离膜的收容空间内，所述保护膜包括面向所述晶圆的第一区段；对所述保护膜和所述晶圆进行压合；剥离所述隔离膜。在压合过程中，第一区段与晶圆结合，隔离膜限制了流胶的产生，去除隔离膜后，晶圆周围几乎不存在流胶，从而省去清理流胶的工序，有利于节约时间和人力。
晶圆贴膜方法半导体器件

[实用新型]一种半导体晶圆镀膜技术-CN202020800489.1有效
发明人：张磊;张松;郭锐 -专利权人：河南省三石精密光学有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体晶圆镀膜技术，涉及半导体晶圆技术领域。该半导体晶圆镀膜技术，包括晶圆本体，所述晶圆本体的顶面由下到上依次设有二氧化硅膜、电阻膜、碳膜、ITO镀膜、透光膜、防水膜和抗污膜。该半导体晶圆镀膜技术，通过设置透光膜、防水膜和抗污膜，将透光膜提升晶圆本体的透光率，将防水膜提升晶圆本体的防水性能，将抗污膜提升晶圆本体的抗油污腐蚀污染性能，解决了传统的晶圆在进行二氧化硅镀膜后其外表面硬度低，并且耐脏污性能差，不能满足需求的问题，通过设置固定框，对晶圆本体进行固定，便于晶圆本体进行封装处理，通过设置氧化铟锡，提升电阻率和透光率，通过设置氟化物，提升晶圆本体的抗氧化和抗老化性能。
一种半导体镀膜技术

[实用新型]一种晶圆解胶装置及划片机-CN202222646153.6有效
发明人：葛凡;张天华;孙志超;周鑫;沈海丽 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆解胶装置及划片机。本实用新型提供的晶圆解胶装置包括工作台、解胶灯以及均光片，其中，工作台用于承载晶圆中间的减薄区域，以使晶圆外周上的支撑环伸出工作台，解胶灯位于工作台的下方，均光片位于解胶灯和支撑环之间，均光片用于将解胶灯发射的解胶光线均匀朝向支撑环背面粘贴的保护膜射出，使得照射到支撑环背面保护膜上的光线更加均匀，从而更加均匀地实现对支撑环的解胶，提高了对支撑环的解胶效果。本实用新型提供的划片机，通过应用上述晶圆解胶装置，能够更加均匀地实现对支撑环的解胶，提高了对支撑环的解胶效果。
一种晶圆解胶装置划片

[发明专利]光刻机的监控方法及监控系统-CN202310634091.3在审
发明人：吴杰;卢荣金;娄迪 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供的光刻机的监控方法及监控系统中，光刻机的监控方法包括：提供一晶圆，晶圆上形成有掩膜层；执行曝光工艺，以将掩膜版上的图形转移到掩膜层上；采用外观检测设备对晶圆进行宏观目检，以通过不同散焦类型监控光刻机是否异常通过采用正常的晶圆以及执行正常的曝光工艺，能够监控至少两种异常类型。无需采用超平的晶圆，也无需使用像面倾斜的专用掩膜版，更不需要光刻机停止作业，且通过一片晶圆和一次正常的曝光工艺，能够同时至少监控两种异常类型，简化了光刻机的日常监控方法，通过外观检测设备目检的方式直接表征光刻机焦点状态
光刻监控方法系统

[发明专利]一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法-CN201910567608.5在审
发明人：姜镕 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法，所述装置包括传送带，在传送带的输送方向上，依次设置第一清洗区、翻面区及第二清洗区，在第一清洗区，传送带的上方设有用于向传送带上的晶圆的第一表面喷射清洗液的第一喷嘴，在第二清洗区，传送带的上方设有用于向晶圆的与第一表面相背的第二表面喷射清洁剂的第二喷嘴，在翻面区设置有用于将晶圆翻面的翻面机构。本发明通过喷嘴将清洗液喷射至晶圆表面，代替传统机械式清洗方式，可减少由此所产生的对晶圆表面的擦伤等，提高产品表面品质，且将现有晶圆批式清洗方法变更为单一晶片式方法，缩短清洗工程待机时间，缩短周期，提高生产性
传送带清洗区晶圆喷嘴清洗第一表面晶圆表面晶圆清洗清洗装置生产性翻面种晶机械式清洗喷射清洁剂清洗液喷射产品表面第二表面翻面机构方法变更双面清洗依次设置擦伤清洗液待机片式相背喷射

[实用新型]一种用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置-CN202121248613.9有效
发明人：巩铁建;陶为银;蔡正道;张伟 -专利权人：河南通用智能装备有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置，涉及半导体装置技术领域，具体为一种用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置，包括底座和纵向柱，连接槽的内顶壁固定连接有第二弹簧。该用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置，通过支撑环和支撑块的设置，使该用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置具备了支撑膜边缘处的效果，通过第二弹簧和纵向柱的配合设置，在使用的过程中可以使压膜环压紧膜的边缘处，达到了揭膜去边效果好的目的，通过限位板的设置，使该用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置具备了防止切割晶圆的效果，通过第一弹簧和第一连接盘的配合设置，达到了保护晶圆的目的。
一种用于半自动晶圆贴膜设备晶圆揭膜去边装置

[发明专利]一种裂片装置-CN202110078545.4有效
发明人：张喆;侯煜;李曼;王然;岳嵩;石海燕;张昆鹏;薛美;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种裂片装置，该裂片装置通过使第一裂片头的第一端面及第二端面的夹角不小于90度且小于180度，第一端面粘附晶圆膜，使第二裂片头抵压在晶圆膜的第一面上未覆盖晶圆的区域后，向第一裂片头方向推晶圆膜第二裂片头将晶圆膜向第一裂片头方向推晶圆膜时，第一裂片头一侧的晶圆膜不会产生或较小的产生拉伸，使位于该侧的晶圆不会或较少的受影响。位于第一裂片头另一侧的晶圆膜在第二裂片头的挤压下，发生拉伸，该侧的晶圆膜都向同一方向折弯并延伸。使覆盖有晶圆的部分晶圆膜仅在切割道处的折弯，防止晶圆切割道两侧的侧壁碰撞，防止晶圆崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷，防止对晶圆表面的微电路结构造成损伤。
一种裂片装置

[发明专利]改善晶圆翘曲度的方法-CN201210552256.4有效
发明人：程晋广 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善晶圆翘曲度的方法，包括如下步骤：准备具有不同热胀系数的贴膜材料；对翘曲晶圆进行曲率测试；根据晶圆的翘曲度选择贴膜材料及贴膜环境温度；将贴膜环境、贴膜材料及晶圆的温度升高到贴膜环境温度；在贴膜环境温度下，将所选贴膜材料贴到晶圆表面上；将贴膜后的晶圆冷却至室温；在晶圆上完成器件工艺；器件工艺完成后将贴膜材料去除。本发明能改善晶圆翘曲度，降低晶圆翘曲器件工艺的不利影响，且工艺简单、成本低廉。
改善晶圆翘曲度方法

[发明专利]半导体膜厚度量测校准标准片及其制造方法-CN201310695221.0有效
发明人：刘媛娜;尹正朝;周欣洁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体膜厚度量测校准标准片及其制造方法，所述校准标准片包括晶圆基片以及位于所述晶圆基片表面的至少2个不同膜厚等级的图案区域。本发明由于在同一片标准片上形成多个厚度等级的图案区域，进而可以采用同一片标准片对多个厚度等级进行校准。与现有技术相比，本发明可节省购买标准片的开支，提高了薄膜厚度量测机台对产品的量测利用率和操作人员的工作效率，同时也降低了标准片晶圆的破片机率和管控的效率。
半导体厚度校准标准及其制造方法

[实用新型]集成电路装片机晶圆进给模块-CN201020241018.8有效
发明人：刘建峰;徐银森;李承峰;胡汉球;苏建国;吴华 -专利权人：吴华
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种集成电路装片机晶圆进给模块，包括晶圆盘、晶圆盘夹具、承载运动平台，晶圆盘贴放在蓝膜上，蓝膜固定在晶圆盘夹具上，采用弹簧调节晶圆盘蓝膜的张力，承载运动平台上连有传感器、计算机、伺服电机该进给模块，可用于配合装片机构实现芯片的快速转移，具有间隙式高加速、高精度、微位移、低噪音的特点。
集成电路装片机晶圆进给模块

[发明专利]一种晶圆激光隐形切割与机械切割结合的方法-CN202111479956.0在审
发明人：李彪;张乐银;向圆;郑文昭;刘文军;娄逸萱 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本发明一种晶圆激光隐形切割与机械切割结合的方法，它包括将膜贴附在晶圆上，而后将晶圆固定在绷膜钢环，在晶圆上进行第一次切割，而后将晶圆与绷膜钢环分离，而后去除膜，再次在晶圆上第二次贴膜，而后将晶圆再次固定在绷膜钢环并进行第二次切割，而后再次将晶圆与绷膜钢环分离，再次进行第三次贴膜，再次将晶圆固定在绷膜钢环上，最后进行阔膜处理，从而完成晶圆的分割，得到芯片。本发明步骤简单，操作方便，适用于晶圆厚度大，大幅提升切割厚度且能达到隐形切割低应力、小崩边、高洁净度的切割效果。
一种激光隐形切割机械结合方法