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[发明专利]射频线圈及电感耦合等离子体设备-CN202310930951.8在审
发明人：赵成伟;邬文波 -专利权人：西实显示高新材料（沈阳）有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频线圈及电感耦合等离子体设备。射频线圈包括线圈主体；线圈主体包括至少两个移动段与至少一个伸缩段，任意相邻的两个移动段通过伸缩段连接，移动段与伸缩段交替设置，以使线圈主体呈线型；伸缩段能够伸缩而长度改变，至少两个移动段的相对位置能够改变，以使线圈主体的形状改变。电感耦合等离子体设备包括气源组件、腔体与上述射频线圈。上述线圈主体通入电流后产生高频电磁场。在针对不同的待镀膜产品或不同批次的待镀膜产品对镀膜的不同要求，可以将相应的移动段进行位置调节，伸缩段可根据相邻两个移动段之间的位置改变以进行伸缩，从而改变线圈主体形成的电磁场，以得到分布状态符合要求的等离子体。
射频线圈电感耦合等离子体设备

[发明专利]操作方法以及处理方法-CN202310698506.3在审
发明人：庄岱融;萧乔远;陈永传;钟玮刚;林侑立;谢瑞夫;廖志腾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开的实施例关于一种操作方法，借由改造一等离子体处理系统的一或多个部件，操作等离子体处理系统。操作方法包括从等离子体处理系统的一气体供应机构移除一保持器。保持器包括一气体注射器，配置以将从一气体源接收的气体提供到等离子体处理系统的一等离子体腔室。操作方法更包括减少保持器的一引导销的一尺寸，将保持器安装到气体供应机构中，保持器包括尺寸减少的引导销，以及旋转气体注射器以改变通过气体注射器的一气流。
操作方法以及处理方法

[发明专利]用于实现RPS净化的气体混合器-CN202180079522.3在审
发明人：阮芳;D·凯德拉亚;A·班塞尔;V·S·C·帕里米;R·纳拉亚南;B·N·拉马穆尔蒂;S·L·明斯;J·G·K·约瑟夫;R·乔德里 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种半导体处理系统包括远程等离子体源(RPS)、面板，以及定位在RPS与面板之间的输出歧管。输出歧管由与净化气源流体耦接的多个净化出口和与沉积气源流体耦接的多个沉积出口表征。输送管在RPS与面板之间延伸且流体耦接RPS和面板。输送管由大体圆柱形的侧壁，所述大体圆柱形的侧壁限定以径向图案布置的上部多个孔隙。上部孔隙中的每一者与净化出口中的一者流体耦接。大体圆柱形的侧壁限定下部多个孔隙，所述下部多个孔隙以径向图案布置且在上部多个孔隙下方。下部孔隙中的每一者与沉积出口中的一者流体耦接。
用于实现 rps 净化气体混合器

[发明专利]一种等离子体刻蚀装置及一种刻蚀碳膜的方法-CN202311219550.8在审
发明人：母凤文;高文琳;郭超 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体刻蚀装置及一种刻蚀碳膜的方法，所述等离子刻蚀装置在刻蚀仓内部设置有加热盘、射频线圈以及位于两者之间的且具有贯穿上下表面的孔的多孔挡板；所述装置通过使等离子体穿过多孔挡板再轰击到待刻蚀物上，来调整并优化等离子的刻蚀强度和作用，平衡刻蚀中心与刻蚀边缘的刻蚀效果，使刻蚀更加平稳而均匀，进而可以精准控制刻蚀过程，在有效去除刻蚀目标的同时，防止过度刻蚀，有效保护衬底。进一步地，本发明通过配有翻转机构和/或伸缩机构来控制多孔挡板，实现其对等离子体阻挡作用的打开或关闭，进而可以选择性地使用多孔挡板或不使用多孔挡板来进行刻蚀，以形成更加灵活且具有针对性的刻蚀工艺过程。
一种等离子体刻蚀装置方法

[发明专利]一种静电吸盘以及等离子体刻蚀装置-CN202311222963.1在审
发明人：杨振;贺小明;李雪冬;郑天成;胡杰;邹博;王聪;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请提供了一种静电吸盘以及等离子体刻蚀装置，该静电吸盘包括：基座、加热层、吸附层，以及由第一胶接层和第二胶接层组成的胶接层，加热层位于第一胶接层和第二胶接层之间，还包括环绕覆盖胶接层裸露侧面的陶瓷密封环。在胶接层指向陶瓷密封环的方向上，陶瓷密封环的长度变大。由上述可知，上述静电吸盘采用陶瓷密封环，并且该陶瓷密封环与吸附层和/或基座的接触面积较小，从而能够减小陶瓷密封环的导热能力，使得陶瓷密封环能够对静电吸盘的边缘起到保温作用，降低静电吸盘边缘的温度梯度，以为利用陶瓷密封环对胶接层进行密封提供了一种可行方案，进而在提高静电吸盘使用寿命的同时，保证静电吸盘的温控能力。
一种静电吸盘以及等离子体刻蚀装置

[发明专利]等离子体处理的数字控制-CN202280012296.1在审
发明人：弗拉基米尔·纳戈尔尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种系统包括设置在处理腔室内的控制板。所述控制板包括一组等离子体元件，所述等离子体元件被设计为独立地将设置在所述处理腔室内的基板暴露于等离子体相关的通量。所述控制板被设计为独立地启动所述一组等离子体元件。在被启动时，这些相关联的等离子体元件将所述基板暴露于这些等离子体相关的通量，而在不启动时，这些相关联的等离子体元件防止将所述基板暴露于这些等离子体相关的通量。所述控制板被设计为执行所述一组等离子体元件的个别的依赖于时间的启动，以选择性地将所述基板暴露于这些等离子体相关的通量。
等离子体处理数字控制

[发明专利]多态等离子体晶片处理以增强离子的方向性-CN201811030063.6有效
发明人：阿列克谢·马拉霍塔诺夫;赵琳;菲力克斯·科扎克维奇;肯尼思·卢凯西;陈志刚;约翰·帕特里克·霍兰德 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及多态等离子体晶片处理以增强离子的方向性。描述了用于提供离子方向性的多态等离子体晶片处理的系统和方法。该系统和方法有三种状态。在第一状态期间，执行蚀刻操作。在第二状态期间，千赫射频信号的功率电平大于零，以增强入射在堆叠层的底表面上的离子的方向性。在第三状态期间，堆叠层顶部的掩模损耗减少并且可以进行沉积。
等离子体晶片处理增强离子方向性

[实用新型]一种改善去胶均一性的装置-CN202321159668.1有效
发明人：杨吉克 -专利权人：上海稷迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善去胶均一性的装置，包括等离子去胶设备工艺腔体和等离子体发生装置，所述等离子去胶设备工艺腔体和等离子体发生装置之间设有石英桶底座，所述石英桶底座呈“喇叭口”形状。本实用新型与现有技术相比的优点是：本实用新型的石英桶底座由原来的阶梯状分布，改变成喇叭状结构，能够有效地减少等离子体复合和聚集，优化等离子体分布，从而优化去胶速率均一性。
一种改善均一装置

[发明专利]使用同时存在的原位和远程等离子体源进行快速室清洁-CN202310634696.2在审
发明人：基思·福克斯;乔纳森·丘奇;詹姆斯·李;马修·马德洛;凯文·戈伯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及使用同时存在的原位和远程等离子体源进行快速室清洁。一种用于清洁衬底处理系统的处理室的方法包括：向远程等离子体源(RPS)供应三氟化氮(NF3)气体；使用所述RPS产生RPS等离子体；向所述处理室供应所述RPS等离子体；将NF3气体作为旁路气体供应至所述处理室；在供应所述RPS等离子体的同时在所述处理室中激励原位等离子体；并且在清洁时间段期间使用所述RPS等离子体和所述原位等离子体两者清洁所述处理室。
使用同时存在原位远程等离子体进行快速清洁

[发明专利]阻抗匹配方法、装置和介质-CN202310929943.1在审
发明人：朱培文;尹巧星 -专利权人：江苏神州半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种阻抗匹配方法、装置和介质，该方法包括：前端数字化射频检测单元通过脉冲包络信号采样，检测射频电源的实时电压值、实时电流值及电压与电流的相位差；逻辑控制单元实时计算第一反射系数；当第一反射系数超出阈值时，调整电容极板的初始位置；当第一反射系数未超出阈值时或重复执行上述步骤预设次数时，逻辑控制单元计算当前射频电源的电信号参数，并根据反射校准参数获取电信号参数的误差值；逻辑控制单元根据误差值计算马达的转速，计算第二反射系数；逻辑控制单元确认第二反射系数小于阈值时，阻抗匹配完成。该方法用于在采样的信号为脉冲包络信号时快速进行射频电源与等离子体反应腔的阻抗匹配。
阻抗匹配方法装置介质

[发明专利]可用捕获区域得到扩展的反应副产物捕获装置-CN202210618227.7在审
发明人：赵宰孝;李妍周;李俊旼;韩智银 -专利权人：未来宝株式会社
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种可用捕获区域得到扩展的反应副产物捕获装置，将内部捕获塔由分成在将气体的主气流诱导到中央部并使其下降的同时执行捕获反应的上段捕获部、为了对所流入的气体进行收容并对反应副产物进行捕获而利用倒梯形空间部形成内侧区域的中段捕获部、在从通过侧面流入的气体中对反应副产物进行多段捕获的同时防止已捕获的反应副产物流出到外壳的气体排出口的下段捕获部以及通过对在所述中段捕获部的内侧以及外侧区域捕获到的多孔性粉末形态的反应副产物进行收集而防止其流出到外部的捕获罩，从而在不同的高度上对反应副产物进行多段捕获，借此，在使用周期的前半段以及后半段将气流诱导到内侧区域以及外侧区域，从而高效率地执行捕获反应。
可用捕获区域得到扩展反应副产物装置

[发明专利]一种常压微波等离子体双波导耦合装置-CN202311189309.5在审
发明人：邓泉荣;陈子乙;童维军;黄巍;程川盟;谢欢;王奕博;朱青美;文志远 -专利权人：武汉市飞瓴光电科技有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种常压微波等离子体双波导耦合装置，包括上下两路平行的波导耦合子模块和冷却水循环系统，每一路波导耦合子模块包括电源、磁控管、环形器、波导、微波谐振腔、放电石英管和反射板。本发明主要针对单路波导传输功率有限，等离子体电离能力较弱，无法形成高能量和高密度等离子体的问题，采用两路微波谐振腔进行耦合，输出功率可以达到原来的两倍，同时上谐振腔采用与压缩波导连接的形式，大大提高了上部分电磁场的能量密度，使得等离子体电离能力明显增强，显著提高了等离子体活性粒子含量，所述装置可在常压条件下一步法直接制备光纤预制棒。
一种常压微波等离子体波导耦合装置

[发明专利]一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备-CN201911283373.3有效
发明人：涂乐义;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备，其中晶圆固定装置可以包括承载晶圆的静电吸盘，以及承载静电吸盘的基座，以及承载基座和静电吸盘的设备板，基座和设备板均为金属材质，设备板和基座可以直接接触，设备板和基座之间也可以填充有柔性导电层，柔性导电层可以提高基座和设备板之间的电接触，增大设备板和基座之间的电容，这样设备板和基座之间可以较大且更稳定的电容，利于设备板和基座之间的射频信号的通过，相应减少其他路径中的射频信号的通过，减少射频信号的功率损失。
一种固定装置及其形成方法等离子体处理设备

[发明专利]刻蚀机的气体分布板的拆装装置和刻蚀机-CN202011206010.2有效
发明人：陈克维;孟理;王建忠 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀机的气体分布板的拆装装置和刻蚀机，涉及半导体制造技术领域，解决刻蚀机的气体分布板的拆装难度大，且易污染气体分布板的问题，该刻蚀机的气体分布板的拆装装置包括握持件、连接件和固定件，固定件可拆卸的连接在刻蚀机的气体分布板上，握持件和固定件通过连接件连接；握持件上设置有供用户手部握持的握持部。本发明能够有效减小气体分布板的拆装难度，提高刻蚀机的维修效率，同时减少拆装过程气体分布板的污染，优化刻蚀机的维修效果，保证刻蚀机的刻蚀效果，延长刻蚀机的使用寿命。
刻蚀气体分布拆装装置

[实用新型]一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备-CN202321023519.2有效
发明人：赵函一 -专利权人：上海微芸半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备，晶圆顶起装置包括：顶起结构；波纹管，波纹管的上端与顶起结构连接，波纹管内设置有中间轴；驱动装置，驱动装置用于驱动中间轴上下运动，驱动装置具有输出部，输出部和中间轴通过连接机构连接；其中，连接机构包括设置在输出部上端的第一连接结构和设置在中间轴下端的第二连接结构，第一连接结构包括上抵接部、下抵接和用于连接上抵接部和下抵接部一侧边缘的连接部，上抵接部具有开口，第二连接结构包括球体和连接在球体和中间轴之间的连接杆；当输出部和中间轴连接时，球体位于上抵接部和下抵接部之间，连接杆穿过开口。本申请提供的晶圆顶起装置具有较高的装配容错率。
一种圆顶装置等离子刻蚀设备

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