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[发明专利]一种晶圆劈裂扩片装置及晶圆裂片扩片方法-CN202011095834.7在审
发明人：杨顺凯;张昆鹏;易飞跃;李纪东;张紫辰;侯煜;李曼;张喆;王然 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆劈裂扩片装置及晶圆裂片扩片方法，装置包括晶圆定位机构、裂片机构、扩片机构、视觉检测单元和控制器，球形劈裂头将晶圆顶起分离晶粒，提供圆形套环、螺旋或扫描步进直线裂片轨迹，满足不同切割道的要求或特殊裂片要求；裂片后进行扩片工艺，控制外环升起，外环带动晶圆膜上升并拉伸，使裂片后晶粒分开；避免裂片完成后的晶粒因膜收缩而产生碰撞碎裂崩边，减少工艺步骤，提高生产效率同时最好的保护晶粒，提高成品率。
一种劈裂装置裂片方法

[发明专利]一种薄晶圆散热片形成工艺-CN202210937409.0在审
发明人：严立巍;文锺;马晴 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄晶圆散热片形成工艺，属于半导体领域。该方法包括以下步骤：晶圆正面键合玻璃载板，并在晶圆背面形成附着层和阻挡层，以及铜种子层；在晶圆背面涂布光阻层并进行黄光工艺，显影生成掩膜板图案，用光阻涂布方式保护晶粒间切割道；对晶圆背面进行电化学电镀工艺，在铜种子层上电镀上厚铜膜；将晶片翻转，在晶圆的背面键合第二玻璃载板，再移除第一玻璃载板；晶圆正面形成附着层和阻挡层，以及铜种子层；以厚铜膜做为掩膜，采用湿法蚀刻去除金属层，蚀刻停止在硅片表面；以厚铜膜做为掩膜，使用氟化硫或其他含氟电浆蚀刻晶粒间的切割道，蚀刻停止在粘合剂层；使用羟胺类光刻胶去除剂清洗蚀刻后残留在晶圆表面的残留物及聚合物。
一种薄晶圆散热片形成工艺

[发明专利]锁频单脉冲紫外超快激光晶圆全切割方法和系统-CN202210196740.1在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：北京赢圣科技有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供一种锁频单脉冲紫外超快激光晶圆全切割方法，所述方法包括步骤：将晶圆片的下表面粘贴到蓝膜上，上表面涂覆光刻胶涂覆层；对晶圆片进行视觉检测定位；设置激光器发射的激光依次经过整形光路、光束传输光路、激光切割头后，聚焦在操作台上的晶圆片表面；所述激光器为能够发射锁频均匀能量单脉冲的紫外超快激光器；通过控制激光束与晶圆在X、Y、Z轴的相对行进速度，将晶圆片切割为多个晶粒。本发明的激光晶圆全切割方法能对晶圆薄片实现切割线宽0.5‑75μm，直线度误差≤3μm以内；切割深度为3μm‑100μm，公差≤±5μm以内的无损切割。
锁频单脉冲紫外激光圆全切割方法系统

[发明专利]锁频单脉冲红外超快激光晶圆全切割方法和系统-CN202210196750.5在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：北京赢圣科技有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供一种锁频单脉冲红外超快激光晶圆全切割方法，所述方法包括步骤：将晶圆片的下表面粘贴到蓝膜上，上表面涂覆光刻胶涂覆层；对晶圆片进行视觉检测定位；设置激光器发射的激光依次经过整形光路、光束传输光路、激光切割头后，聚焦在操作台上的晶圆片表面；所述激光器为能够发射锁频均匀能量单脉冲的红外超快激光器；通过控制激光束与晶圆在X、Y、Z轴的相对行进速度，将晶圆片切割为多个晶粒。本发明的激光晶圆全切割方法能对晶圆薄片实现切割线宽2μm‑300μm，直线度误差≤3μm以内；切割深度为5μm‑150μm，公差≤±5μm以内的无损切割。
锁频单脉冲红外激光圆全切割方法系统

[发明专利]锁频单脉冲绿光超快激光晶圆全切割方法和系统-CN202210196858.4在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：北京赢圣科技有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供一种锁频单脉冲绿光超快激光晶圆全切割方法，所述方法包括步骤：将晶圆片的下表面粘贴到蓝膜上，上表面涂覆光刻胶涂覆层；对晶圆片进行视觉检测定位；设置激光器发射的激光依次经过整形光路、光束传输光路、激光切割头后，聚焦在操作台上的晶圆片表面；所述激光器为能够发射锁频均匀能量单脉冲的绿光超快激光器；通过控制激光束与晶圆在X、Y、Z轴的相对行进速度，将晶圆片切割为多个晶粒。本发明的激光晶圆全切割方法能对晶圆薄片实现切割线宽2‑150μm，直线度误差≤3μm以内；切割深度为10μm‑300μm，公差≤±5μm以内的无损切割。
锁频单脉冲绿光超快激光圆全切割方法系统

[实用新型]石英保温桶-CN201821663396.8有效
发明人：李光华;赵伟恒;高峰 -专利权人：沈阳芯贝伊尔半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： F16L59/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种石英保温桶，石英保温桶竖直放置在固定面上，石英保温桶对晶圆片保温，石英保温桶包括：桶体、底板、端盖和保温片；桶体为两端具有开口的中空腔体，且晶圆片嵌于桶体内；底板盖合在桶体的底端开口处，且将桶体的底端开口闭合；端盖上设置有通孔，端盖盖合在桶体的顶端开口处，且通孔与桶体相通；至少两个保温片套设在桶体的外侧。当嵌于桶体内的晶圆片进行散热时，通过将至少两个保温片套设在桶体的外侧，可实现对石英保温桶进行保温，从而防止因温度的变化过快，而致使晶圆片发生损坏及避免工艺气相沉积因温度产生晶圆不良率，进而提高了晶圆片的质量，及晶圆片表面长膜均匀性。
桶体石英保温桶晶圆片保温片端盖底端开口通孔保温底板体内本实用新型晶圆片表面顶端开口竖直放置中空腔体闭合不良率底板盖工艺气均匀性散热长膜沉积盖合晶圆开口相通

[发明专利]晶圆存储装置及晶圆取放方法-CN202310012354.7在审
发明人：倪立华;张磊;许有超;谭秀文 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆存储装置及晶圆取放方法，其中晶圆存储装置包括：晶圆放置盒和固定环，所述晶圆放置盒内设置若干档卡槽，所述晶圆放置盒的一侧设置为取放口；所述固定环设于粘性膜上并且环绕粘性膜上的晶圆设置；所述固定环的内环和所述固定环的外环均呈圆形，所述固定环的外环的直径小于所述取放口的宽度，通过所述取放口，承载所述晶圆的所述固定环放置于任意一档所述卡槽内。本申请通过将固定环的内环和外环均设计为圆形，以及将固定环的外环的直径设置成小于所述取放口的宽度的尺寸，可以避免在固定环发生偏移的情况下，机械臂取片时固定环与晶圆放置盒发生碰撞而造成取片失败的情况，变相地增加了晶圆放置盒的取放片窗口
存储装置晶圆取放方法

[发明专利]一种晶圆片激光切割用的保护膜溶液及晶圆片加工方法-CN201910611760.9在审
发明人：张少波;程勇 -专利权人：深圳泰研半导体装备有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C09D129/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆片激光切割用的保护膜溶液，该溶液包括含聚乙烯醇的水溶性树脂、水溶性紫外线吸收剂和溶剂；聚乙烯醇的聚合度大于或等于2000，聚乙烯醇的碱化度为91‑100％；其中以聚乙烯醇为100重量份计该保护膜溶液成膜快速，形成的保护膜强度高，能够在进行激光切割时保护晶圆片，有效避免冷凝后的硅蒸气或其他经由激光切割后产生的碎屑沉积在芯片表面，从而提升制得的芯片(或其他半导体元件)的质量和产品可靠度，具有良好的皮膜移除性；本发明还提供了一种晶圆片加工方法，该方法利用上述保护膜溶液在晶圆片表面涂布与干燥处理后形成一层保护膜，再进行激光切割。
激光切割保护膜溶液聚乙烯醇重量份圆片种晶水溶性紫外线保护膜晶圆片吸收剂溶剂半导体元件产品可靠度晶圆片表面水溶性树脂干燥处理芯片表面硅蒸气碱化度聚合度添加量冷凝成膜皮膜碎屑移除沉积加工芯片

[发明专利]SOI晶圆和其制造方法以及MEMS器件-CN201210529923.7在审
发明人：吉川英治;市川淳一;吉田幸久 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明获得对金属杂质具有优异的吸除能力的SOI晶圆、SOI晶圆的高效制造方法、以及利用了这种SOI晶圆的可靠性高的MEMS器件。SOI晶圆是将分别为硅晶圆的支承晶圆(1)及活性层晶圆(6)隔着氧化膜(3)彼此贴合而构成的SOI晶圆，包括：在至少一片硅晶圆的贴合面上形成的空腔(1b)；及在与贴合面相反一侧的面上形成的吸除材料(2)
soi 制造方法以及 mems 器件

[发明专利]一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺-CN202010708050.0有效
发明人：严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺，属于晶圆加工领域。一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺，包括以下步骤：在所述晶圆的正面完成PAD布线，并在PAD布线层上形成铜种子层；研磨所述晶圆的正面，通过研磨或蚀刻减薄所述晶圆的背面的中部，在所述晶圆的背面涂布第一聚酰亚胺涂层；对所述晶圆的正面进行涂布光阻、曝光与显影，在所述晶圆的正面形成需要布置铜柱的区域；在所述区域上镀铜，形成铜柱。在所述晶圆的正面涂布聚酰亚胺涂层；通过金属蒸镀或金属溅镀形成所述晶圆背面的金属镀膜。与现有技术相比，本申请的制造工艺能形成更好的应力缓冲，且晶圆的正反面皆可焊接或打线连接封装散热片。
一种镀铜结构制造工艺

[发明专利]一种改善薄膜沉积均匀度的方法-CN201711086329.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种改善薄膜沉积均匀度的方法，该方法包括如下步骤：采用晶舟承载多片晶圆；所述晶舟具有头部和尾部，多片晶圆排列放置于晶舟的头部和尾部之间；在多片晶圆与晶舟头部，和/或在多片晶圆与晶舟尾部之间放置档控片；将承载有晶圆和档控片的晶舟置于反应炉管中并进行薄膜沉积；其中，所述档控片具有非平坦的表面结构。本发明导入具有非平坦表面结构的挡控片取代现有技术中的平坦的挡控片，藉由增加挡控片吸附面积增加吸附气体能力，可有效地降低临近挡控片产品边缘厚度，从而可有效改善芯片膜厚均匀度，平滑晶舟位置边缘良率损失的曲线以提升产品良率
一种改善薄膜沉积均匀方法

[发明专利]套刻曝光机及套刻曝光方法-CN202310139827.X在审
发明人：郑吉龙;曾凡贵;林生财;钟夏华;魏纯;洪彪 -专利权人：矽电半导体设备（深圳）股份有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种套刻曝光机及套刻曝光方法，套刻曝光机包括缓存站、工作站、曝光灯和上料组件，工作站设置有两个，工作站包括承片台、工作站驱动机构、掩膜版安装架，承片台用于承载晶圆，掩膜版安装架用于安装掩膜版；承片台能够运动至粗对准位置、精对准位置和曝光位置；上料组件包括两个机械手，一个机械手将晶圆从预对准台转移到粗对准位置的承片台，另一个机械手将晶圆从料盒转移到预对准台上；当其中一个工作站的承片台处于曝光位置，另一工作站的承片台处于粗对准位置或者精对准位置。该套刻曝光机，两个工作站可以交替进行曝光和交替进行晶圆的上料，套刻曝光机的生产节拍比较紧凑，对晶圆的加工效率较高。
曝光方法

[发明专利]一种晶圆贴膜设备及晶圆贴膜方法-CN202211163774.7在审
发明人：谢晓薇;林楚涛;刘湘龙;胡梦海 -专利权人：广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆贴膜设备及晶圆贴膜方法，晶圆贴膜设备用于向晶圆贴附干膜，晶圆贴膜设备包括：第一板、送料机构和切割工具，第一板开设有凹槽，凹槽用于放置晶圆，送料机构能够将干膜贴附于晶圆，切割工具能够沿晶圆的边缘切割干膜本发明还公开了一种晶圆贴膜方法，其包括：S1、准备晶圆贴膜设备和预设厚度的干膜；S2、将晶圆放置于凹槽中；S3、将干膜贴附于晶圆上；S4、沿晶圆的边缘切割干膜。通过将晶圆放置于凹槽中，利用送料机构将干膜贴附于晶圆上，随之利用切割工具沿晶圆的边缘将贴附于晶圆上的干膜切割，从而使晶圆的表面贴附上一层干膜，通过选择合适厚度的干膜可以避免在电镀过程中产生夹膜的现象。
一种晶圆贴膜设备方法

[实用新型]一种匹配多尺寸晶圆的扩膜机载台-CN202223401420.X有效
发明人：张燕;何在田;陈松涛;王志远;董和平 -专利权人：郑州轨道交通信息技术研究院
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型属于晶圆扩膜设备的技术领域，具体为一种匹配多尺寸晶圆的扩膜机载台，第一驱动电机、第二驱动电机、第三驱动电机上均设有第一减速机、第二减速机、第三减速机，第一减速机、第二减速机、第三减速机上均竖向设有第一螺杆、第二螺杆、第三螺杆，第一螺杆上端设有与环形支架同心设置的大尺寸晶圆板，第二螺杆上端设有与环形支架同心设置的中尺寸晶圆板，第三螺杆上端设有与环形支架同心设置的小尺寸晶圆板，载台基板上设有与大尺寸晶圆板、中尺寸晶圆板、小尺寸晶圆板配合的导向装置，大尺寸晶圆板、中尺寸晶圆板、小尺寸晶圆板底部均设有加热片。
一种匹配尺寸机载

[发明专利]一种圆镜贴膜工艺及生产线-CN202211084114.X在审
发明人：潘晓冬;陈泱光;朱军 -专利权人：江苏通达家居用品有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B65B33/02 文献下载
摘要：本发明属于圆形镜贴膜技术领域，具体设计一种圆镜贴膜工艺及生产线，包括划膜单元、一号支撑台、动力机构、一号转动盘、环形框、出料机构、二号传送带和翻片机构，通过设置动力机构与划膜单元相互配合，能够对圆镜周边进行360°自动划膜，替代了人工划膜动作，使生产线各个环节设备可以连续生产，减少了搬运浪费，生产效率也大大提高，且通过设置贴膜机和划膜单元相互配合，实现多个圆镜产品连续贴膜并同时对4个圆镜进行划膜动作，使单位时间划膜效率提高4倍，此外，通过设置翻片机构，完成划膜后的镜面产品自动翻面，供后续清洗后人工检验下片，减少了人工翻转动作，减少工人劳动强度。
一种圆镜贴膜工艺生产线

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