[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010741338.8 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111739938A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;葛薇薇 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/40;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李镇江 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种半导体器件，包括衬底和位于衬底上的体区，体区上表面包括依次连接的集电区、基区和发射区，在集电区和基区区域中包括场氧区，在该场氧区上包括场板结构，该场板结构为阶梯场板结构。本发明的半导体器件的场板结构在集电区与基区之间的PN结反偏时，可以调节集电区电场，辅助耗尽集电区，在不影响集电区的尺寸和掺杂浓度的情况下，提升器件的耐压，并且阶梯场板结构在集电区和基区区域中提供不同规格的调节电场，针对不同位置提供不同的调节电场，提升了场板结构的应用效果，提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰华特微电子（杭州）有限公司，未经杰华特微电子（杭州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010741338.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种优质香稻两用核不育系的培育方法
- 下一篇：腺病毒包装方法
- 同类专利
- 包含横向抑制二极管的双极晶体管-202110585271.8
- 亨利·利茨曼·爱德华兹 - 德州仪器公司
- 2015-11-03 - 2023-09-29 - H01L29/73
- 本申请实施例涉及一种包含横向抑制二极管的双极晶体管。晶体管包含第一导电类型的射极(216a)、第二导电类型的基极(218a)、所述第一导电类型的集电极(214)及横向抑制二极管(250)的阴极(260)。所述射极安置于所述晶体管的顶部表面处且经配置以从外部源接收电流。所述基极经配置以将所述电流从所述集电极传导到所述射极。所述基极安置于所述晶体管的所述顶部表面处且横向地在所述射极与所述集电极之间。所述集电极经配置以从所述基极吸引并收集少数载流子。所述第一导电类型的所述阴极由所述基极环绕且安置于所述射极与所述集电极之间，且所述阴极经配置以抑制所述少数载流子从所述基极到所述集电极的横向流动。
- 一种具有防护结构的三极管-202320032452.2
- 许泽豪 - 东莞市柏尔电子科技有限公司
- 2023-01-06 - 2023-09-22 - H01L29/73
- 本实用新型公开了一种具有防护结构的三极管，包括防触电盖板、连接盒和连接座，所述防触电盖板正面底部两侧通过螺栓安装有两组卡接杆，所述防触电盖板内部通过螺栓安装有连接盒，所述连接盒内部通过螺栓安装有热传导板，所述防触电盖板正面活动安装有连接座，所述连接座正面设有两组位移腔，所述位移腔内侧活动安装有位移件。本实用新型通过在连接盒内部安装有热传导板，能够通过连接盒内部的热传导板对防触电盖板内部的温度进行排散，避免贴片三极管长时间使用后内部产生的高温对贴片三极管造成损坏。
- 操作双向双基极双极结型晶体管(B-TRAN)的方法及系统-202180082318.7
- A·莫贾布;D·布达尔;R·于;J·伍德 - 理想能量有限公司
- 2021-11-30 - 2023-09-01 - H01L29/73
- 本发明涉及操作双向双基极双极结型晶体管(B‑TRAN)。一个实例是一种方法，其包括：使第一负载电流从电源模块的上端子通过晶体管传导到所述晶体管的上集电极‑发射极且从下集电极‑发射极传导到所述电源模块的下端子；及接着响应于第一中断信号断言，通过断开下主FET来中断从所述下集电极‑发射极到所述下端子的所述第一负载电流且借此使第一关断电流通过所述晶体管的下基极换向到所述下端子；及通过所述晶体管阻断从所述上端子到所述下端子的电流。
- 一种应用于汽车上的三极管-202320891586.X
- 罗小琼;龙淘;张福春;曹林 - 海丰宇航微电子有限公司
- 2023-04-19 - 2023-09-01 - H01L29/73
- 本实用新型公开了一种应用于汽车上的三极管，涉及汽车配件技术领域。本实用新型包括外壳和可拆卸安装在外壳内部的三极管本体，外壳的开口端一侧设置有防护板，防护板靠近外壳的一侧面上固设有用于间隙配合在外壳内部的矩形防护壳；防护板上开设有用于三极管本体的上引脚穿过的贯穿孔；外壳的四个拐角位置均开设有第一螺纹盲孔，防护板的四个拐角位置均开设有第一螺纹通孔，位于同一轴线上的第一螺纹盲孔和第一螺纹通孔之间通过锁紧螺栓配合固定。本实用新型可以在三极管运输时的对其引脚进行很好的保护，同时可以在三极管使用时进行很好辅助散热，整体实用性好。
- 一种双极晶体管及其制备方法-202111414737.4
- 张培健;魏佳男;易孝辉;税国华;洪敏;陈仙;罗婷;朱坤峰;张广胜 - 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 2021-11-25 - 2023-08-22 - H01L29/73
- 本发明提供了一种双极晶体管及其制备方法，双极晶体管包括：衬底、设置在衬底上的外延层、设置在外延层中且位于外延层的顶部的基区、设置在基区中且位于基区的顶部的发射区、设置在外延层中并环绕基区的发射区和集电区。通过包围基区和发射结的环形集电极场板形成的双极晶体管结构在上电时会形成一个环形电场，该环形电场可使发射结注入基区的少数载流子能够沿多个方向的传输路径被集电结收集，降低了电流传输路径上的载流子浓度，削弱了基区中少子向界面位置的扩散，从而降低了Si/SiO
- 双极性接面型晶体管、其形成方法以及相关的集成电路-201811101072.X
- 陈奕寰;周建志;郑光茗;林孟汉 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2018-09-20 - 2023-08-11 - H01L29/73
- 在一些实施例中，提供一种双极性接面型晶体管(BJT)。此双极性接面型晶体管可包括被配置在一半导体基板内的集极区。被配置在半导体基板内，并且被布置在集极区内的基极区。被配置在半导体基板内，并且被布置在基极区内的射极区。被配置在半导体基板的上表面上，并且将半导体基板的上表面与最下方的一金属内部互连层分隔开的金属前介电层。被布置在射极区上以及金属前介电层内的多个第一凹陷防止柱状物，其中每一个第一凹陷防止柱状物包括导电且电性浮接的冗余栅极。
- 包括雪崩双极型晶体管的具有单电子计数能力的半导体器件-201880047601.4
- 格奥尔格·勒雷尔;罗伯特·卡佩尔;内纳德·利利奇 - AMS有限公司
- 2018-07-18 - 2023-08-11 - H01L29/73
- 一种能够对单电子进行计数的半导体器件，其包括：具有发射极(E)、基极(B)和集电极(C)的双极型晶体管(T)、与发射极(E)电连接的电流源或电压源(30、31)以及与集电极(C)电连接的淬灭部件(28)，其中，双极型晶体管(T)配置成在高于击穿电压(BV)的集电极‑基极电压(V
- 一种便于安装的PNP晶体管-202223359450.9
- 兰新涛;吴银波;黄水波 - 深圳市灿升实业发展有限公司
- 2022-12-14 - 2023-06-27 - H01L29/73
- 本实用新型实施例公开了一种便于安装的PNP晶体管，属于晶体管技术领域。本实用新型包括晶体管主体，晶体管主体一端插接有第一正极支脚、负极支脚和第二正极支脚，第一正极支脚、负极支脚和第二正极支脚周侧面均套接有支护块，支护块上表面焊接有立柱，立柱上表面焊接有滑动筒，滑动筒为圆形筒体结构。本实用新型通过设置可滑动的支护块，可将PNP晶体管的第一正极支脚、负极支脚和第二正极支脚穿过支护块，根据每个支脚之间的距离，拨动滑动筒调节三个支护块之间的距离，调节好距离后使用定位螺钉进行固定，此时三个支护块可在安装晶体管时为第一正极支脚、负极支脚和第二正极支脚提供稳定的支护措施，防止其在安装过程中发生弯折等情况。
- 异质结双极型晶体管及异质结双极型晶体管的形成方法-202310583145.8
- 姜清华;邹道华;潘林;吴炫聪 - 常州承芯半导体有限公司
- 2023-05-23 - 2023-06-23 - H01L29/73
- 一种异质结双极型晶体管及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间，所述第一方向平行于衬底表面；位于衬底上的集电层；位于第一区和第二区的集电层上的基层；位于第一区和第二区的基层上的发射层；位于第一区的发射层上的发射电极层；位于第二区的基层上的基电极层,基电极层位于所述发射层的一侧；发射层包括第一部和第二部，第一部位于第一区的基层与发射电极层之间，第二部位于位于基电极层与第一部之间，第二部用于电隔离第一部和基电极层，第二部的材料为第一部的本征半导体材料；位于第三区的集电层上的集电极层。所述基层的电流得到提高。
- 纳米尺度真空沟道三极管结构及其制备方法-202211665172.1
- 毕津顺;范林杰;王健健;赵碧瑶;韩婷婷;田密;朱伟强 - 中国科学院微电子研究所
- 2022-12-23 - 2023-06-09 - H01L29/73
- 本发明提供一种纳米尺度真空沟道三极管结构及制备方法，包括：衬底；基极，生长于衬底表面第一区域；发射极，生长于衬底表面第二区域；其中，第一区域与第二区域位于衬底的同一表面且不相交；氧化层，生长于基极表面第三区域，第三区域为第一区域内部分区域；集电极电极，生长于氧化层的表面；其中，氧化层的宽度小于集电极电极的宽度，在氧化层两侧形成真空沟道；发射极电极，生长于发射极的表面；基极电极，生长于基极表面第四区域，第四区域为第一区域内部分区域且与第三区域不相交。
- 一种双极型晶体管结构及其制作方法-202310146980.5
- 刘尧;李建平;班桂春;周小雯;熊丹;刘森 - 微龛（广州）半导体有限公司
- 2023-02-22 - 2023-06-06 - H01L29/73
- 本发明提供一种双极型晶体管结构及其制作方法，包括P型衬底、N型外延层、分隔结构、电极引出端注入区、栅极结构以及电极引出端，分隔结构将所述P型衬底及N型外延层中分隔出第一区域与第二区域，电极引出端注入区包括基极引出端注入区、集电极引出端注入区及发射极引出端注入区，第一区域中的各电极引出端注入区之间电隔离，第二区域中的发射极引出端注入区与集电极引出端注入区之间通过栅极结构连接。本发明的双极型晶体管通过在发射区与集电区之间增加栅极，用以调控横向PNP基区的电势，形成其与发射区、集电区构成的并联MOS管，通过周期性施加栅极端的电压，可以形成正反馈，使PNP管在大电流下稳定工作且不会发生击穿现象。
- 一种采用电压驱动的BJT-202010512331.9
- 唐红祥 - 无锡光磊电子科技有限公司
- 2020-06-08 - 2023-05-23 - H01L29/73
- 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的BJT，包括N型硅片，N型硅片底部设有集电极，N型硅片顶部设有第一P阱，第一P阱内设有第一N扩散区，N型硅片顶部设有第二P阱，第二P阱内设有第二N扩散区，N型硅片顶部连接绝缘层，绝缘层上设有输出电极，输出电极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接，绝缘层内设有控制电极，控制电极接收驱动集电极和输出电极导通的控制信号A，绝缘层在第二P阱对应处设有发射极和基极，发射极穿过绝缘层与第二N扩散区连接，输出电极与基极电连接，基极穿过绝缘层与第二P阱电连接，本发明将BJT的导通控制从电流驱动变为电压驱动，不用再额外设计大电流驱动电路，减少了BJT的应用成本。
- 一种具有防水功能的三极管-202310019383.6
- 许泽豪 - 东莞市柏尔电子科技有限公司
- 2023-01-06 - 2023-05-12 - H01L29/73
- 本发明公开了一种具有防水功能的三极管，包括三极管本体、引脚本体和底筋，所述三极管本体的底部设置有引脚本体，且引脚本体包括有发射极、基极和集电极，所述引脚本体的底部焊接有固定片，所述固定片与底筋相固定。该具有防水功能的三极管，通过可以伸缩的波纹伸缩套可以罩在三个引脚本体的外侧进行防护，在指定的电路板上焊接该引脚本体时，将引脚本体的尖端插入到焊接孔内，在焊接之后，通过撕去粘接层下表面的离型膜，通过按压垫圈，使得环形垫圈下侧的粘接层粘接在电路板的表面，保证引脚本体焊接的端部到引脚本体的根部之间具有密封效果，保证该三极管对发射极、基极和集电极的焊接具有稳定的密封防水效果。
- 大功率集成式三极管及其制备方法-202310012204.6
- 崔辉灏 - 江西华尔福半导体科技股份有限公司
- 2023-01-05 - 2023-05-02 - H01L29/73
- 本发明公开了大功率集成式三极管及其制备方法，设备包括三极管外壳、离子吸收层、衬底、发射区、基区、集电区、介质层、第一电极、第二电极和第三电极，方法包括步骤一，基体制作；步骤二，一次开槽；步骤三，二次开槽；步骤四，三次开槽；步骤五，安装电极；步骤六，退火处理；步骤七，安装外壳；本发明相较于现有的三极管，浅层的刻蚀若出现误差难以对深层造成影响，极大消除了刻蚀精度误差导致的三极管性能下降的可能；本发明通过形成不同深度的刻蚀，来形成不同层对刻蚀精度的不同要求，提升了整体的工作效率，缩短了生产周期；本发明通过增加离子吸收层与氯气退火处理结合，减少游离粒子对产品质量的影响。
- 一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管-202211501472.6
- 梁琳;温凯俊 - 华中科技大学
- 2022-11-28 - 2023-04-04 - H01L29/73
- 本发明公开了一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管，包括由下至上设置的集电区电极、集电极区n+衬底层、集电极区n0外延层、p+基区层及n+发射区层，p+基区层旁设有环状深阱结构，深阱结构采用SiO
- 半导体器件、半导体结构和制造半导体结构的方法-202210963996.0
- 陈家忠;刘思麟;洪照俊;庄惠中;陈志良;刘雅芸 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2022-08-11 - 2023-03-28 - H01L29/73
- 本申请的实施例公开了半导体器件、半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体器件包括双极结型晶体管(BJT)结构，该BJT结构包括：位于具有第一导电类型的第一阱中的发射极、位于各自的第二阱中的集电极，第二阱具有与第一导电类型不同的第二导电类型并且彼此间隔开且第一阱位于其间，并且基极位于第一阱中并且位于发射极和集电极之间。BJT结构包括有源区，有源区具有形成发射极、集电极和基极的不同宽度。
- 一种贴片型三极管-202222267318.9
- 张福春;龙淘;曹林;罗小琼 - 海丰宇航微电子有限公司
- 2022-08-26 - 2023-03-10 - H01L29/73
- 本实用新型公开了一种贴片型三极管，包括第一塑封体和第二塑封体，第一塑封体设置有一组，第二塑封体设置有两组，第一塑封体和第二塑封体一端分别固定设置有第一引脚和第二引脚，第一塑封体和第二塑封体的一端位于第一引脚和第二引脚的外部设置有防护管，通过设置的卡键、嵌入端、插接槽、嵌入槽，在第一塑封体与第二塑封体进行插接安装时，两组卡键会延插接槽插入，继续插入后嵌入端会陷入其嵌入槽内部，使第一塑封体与第二塑封体固定连接，若出现安装错误需要重新拆卸拼装时，使用类似平口起工具插入台阶槽内部，对卡键轻轻撬动，使卡键退出插接槽，实现拆卸，较传统装置相比，该方式插接安装或拆卸都较为方便快捷。
- 一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法-202110336608.1
- 陈晓宇;赵杰;孙有民;薛智民 - 西安微电子技术研究所
- 2021-03-29 - 2023-02-07 - H01L29/73
- 本发明公开了一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法，通过N型离子注入，在P型衬底上形成BNW区；在BNW区的底部形成一定厚度的DNW区；在BNW区上端面的边缘和内部分别形成一个闭环的场区隔离；在BNW区上形成闭环的深磷区，深磷区与DNW区连通，深磷区位于两个场区隔离之间；在BNW区上形成基区，基区位于深磷区内部；在基区的上端面形成闭环的多晶隔离；在基区上形成发射区，在BNW区上形成闭环的集电区，发射区位于多晶隔离内，集电区位于两个场区隔离之间，且集电区与深磷区交叠；在基区上形成闭环的基区接触区，基区接触区位于多晶隔离外部。本发明形成的NPN导通电阻小、放大倍数高，工艺流程简单。
- 用于ESD保护的双向双极型器件-202210723713.5
- 曾杰;R·库马尔;S·米特拉 - 格芯新加坡私人有限公司
- 2022-06-23 - 2023-02-03 - H01L29/73
- 本发明涉及用于ESD保护的双向双极型器件。一种静电放电(ESD)保护器件，包括：衬底，其包括：第一、第二和第三掺杂区，第二掺杂区设置在第一和第三掺杂区之间，第二掺杂区具有第一导电类型和第一掺杂浓度，并且第一和第三掺杂区具有第二导电类型和第二掺杂浓度；第一和第二掺杂端子区，其分别设置在第一和第二掺杂区内；掺杂岛区，其设置在第二掺杂区内，第一和第二掺杂端子区以及掺杂岛区具有第二导电类型和第三掺杂浓度，第三掺杂浓度高于第一和第二掺杂浓度；以及导电端子，其分别耦接到掺杂端子区；以及绝缘层，其布置在导电端子之间的衬底上，并且至少覆盖第二掺杂区。
- 超β晶体三极管及其制作方法-202110858844.X
- 李永顺;金华俊;宋亮 - 无锡华润上华科技有限公司
- 2021-07-28 - 2023-02-03 - H01L29/73
- 本发明提供一种超β晶体三极管及其制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，基于衬底形成第一导电类型的隔离埋层及第一导电类型的掺杂层；于掺杂层中形成第二导电类型的基区；于基区周侧形成第二导电类型的掺杂岛，掺杂岛的掺杂浓度大于基区的掺杂浓度；于衬底中形成第一导电类型的集电区，集电区与基区间隔设置；于基区中形成第一导电类型的发射区。本发明的超β晶体三极管能有效降低基区纵向电场，减小器件的横向漏电，可以达到较好的防止基区穿通和提高电流放大系数的平衡。
- 一种新颖的多晶发射极结构和工艺-202210968807.9
- 张亚;赵文彬;吴洪强;卢宝骅 - 浙江宇芯集成电路有限公司
- 2022-08-12 - 2023-01-24 - H01L29/73
- 本发明公开了一种新颖的多晶发射极结构和工艺，旨在解决尽管多晶发射极三极管具有高频和高增益特性，但是由于发射极串联电阻RE的限制，一般用于集成电路中作小器件使用，当有一定输出能力和功率要求时，现有技术中的结构和工艺就无法满足，因为大尺寸的多晶发射极三极管的RE将显著增大的问题。其技术方案要点是：一种新颖的多晶发射极结构和工艺,工艺流程包括以下步骤：(1)、(2)、(3)、(4)、(5)以及(6)。本发明的一种新颖的多晶发射极结构和工艺，克服了常规结构的发射极串联电阻大和在发射区上开孔对结可靠性的影响，工艺上简单可行，使该结构适合用作分立器件。
- 硅化集电极结构-202210497145.1
- J·P·约翰;J·A·柯奇斯纳;L·拉蒂克 - 恩智浦美国有限公司
- 2022-05-09 - 2022-12-20 - H01L29/73
- 本公开涉及硅化集电极结构。一种半导体装置包括发射极、基极和集电极。所述集电极的一部分位于基板中的沟槽下方。集电极硅化物位于所述沟槽的底部部分的至少一部分和所述沟槽的侧壁的至少一部分上。集电极硅化物结构电耦合到集电极接触结构。
- 一种晶体管及晶体管的制作方法-202211167032.1
- 江子标;刘贺;李新 - 江苏铨力微电子有限公司
- 2022-09-23 - 2022-12-09 - H01L29/73
- 本申请涉及一种晶体管及晶体管的制作方法，属于半导体元器件领域，晶体管包括晶体管主体，晶体管主体上固定连接有集电极、发射基以及基极，集电极、发射基以及基极远离晶体管主体的一端分别铰接有引脚，引脚上设有用于与外部电路连接的连接部。本申请提供的一种晶体管具有便于与外界电路连通的效果。
- 一种防水稳压三极管-202221925821.2
- 郭嘉洪;郭嘉创;郭嘉智 - 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司
- 2022-07-25 - 2022-12-09 - H01L29/73
- 本实用新型属于三极管技术领域，本实用新型具体涉及一种防水稳压三极管，包括三极管本体，所述三极管本体的上方罩设有防水壳，所述三极管本体的下方安装有与防水壳连接的底座，所述三极管本体与底座之间安装有密封垫；所述防水壳底部内侧边缘位置开设有密封槽，所述密封垫安装在密封槽中，所述密封垫的厚度大于密封槽的厚度；所述三极管本体的底部垂直安装有三个针脚，三个所述针脚均贯穿密封垫和底座，本实用新型设置了位于三极管本体上相互配合的防水壳、底座和密封垫组成，底座将三极管本体限制在防水壳的内部，通过密封垫在底座与防水壳之间起到防水的功能，同时通过密封垫在针脚处起到密封的作用。
- 一种带有结终端场板结构的氮化镓晶体管及其制作方法-202210905165.8
- 王霄;郑鑫;敖金平;李杨;陈治伟;王桥旺 - 江南大学
- 2022-07-29 - 2022-11-01 - H01L29/73
- 本发明公开了一种带有结终端场板结构的氮化镓晶体管的制作方法，属于微电子器件技术领域。可用于解决击穿电压低、器件易损坏、可靠性差的问题，扩展了器件的使用环境。其自下而上包括衬底(1)、缓冲层(2)、氮化镓层(3)、铝镓氮层(4)及欧姆金属层、肖特基金属层(6)，该肖特基金属层的栅极与铝镓氮层之间增设有p型层(5)；并在p型层和栅极的上方及两端设有氮化硅/氧化铝/二氧化硅钝化层(7)；在钝化介质层的上方及靠近漏极一端设有金属场板层(8)，该金属场板层采用结终端场板结构，本发明提高了氮化镓晶体管的反向击穿电压。
- 基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管及其构筑方法-202110394727.2
- 张跃;于慧慧;张铮;高丽;张先坤;洪孟羽;曾浩然;柳柏杉;肖建坤;汤文辉;李瑞山 - 北京科技大学
- 2021-04-13 - 2022-10-04 - H01L29/73
- 本发明公开了一种基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管及其构筑方法，属于半导体材料技术领域，本发明基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管(BJTs)，包括不同厚度的二维p型碲纳米片、二维n型半导体材料、电极及目标衬底，利用水热法合成的不同厚度的碲纳米片以及二维n型半导体纳米片，通过改变集电极与发射极碲纳米片的厚度来调控载流子浓度差，改变基极二维n型半导体的厚度来调控载流子的隧穿势垒，借助于PPC辅助转移实现三层材料的垂直无损堆垛，设计p型半导体与高功函数金属接触，n型半导体与低功函数金属接触来减小金属与材料之间的肖特基势垒，进而实现BJTs性能的有效调控，实现良好的电流放大功能。
- 半导体元件-201910214024.X
- 椿明彦;出口香奈子 - 罗姆股份有限公司
- 2019-03-20 - 2022-09-06 - H01L29/73
- 本发明提供一种能够避免串联连接于基极电极的电阻元件遭受静电破坏的半导体元件。半导体元件(A10)具备：集电极层(11)，是第1导电型半导体；基极层(12)，是第2导电型半导体，且与集电极层(11)相接；发射极层(13)，是所述第1导电型半导体，且与基极层(12)相接；第1电极(31)，与基极层(12)导通；第1电阻元件(41)，在第1电极(31)与基极层(12)的导电路径上，串联连接于第1电极(31)；第2电极(32)，与基极层(12)及第1电阻元件(41)两者导通；及保护元件(50)，相对于第1电阻元件(41)并联连接于第1电极(31)；保护元件(50)包含以导电路径上的两端都成为同一极性的方式通过pn接合构成的一对二极管。
- 用于具有与FET栅极对准的外基极的双极型晶体管的集成电路结构和方法-202210122456.X
- 乌兹玛·拉娜;V·杰恩;安东尼·肯德尔·斯坦普;刘奇志;S·P·阿杜苏米利 - 格芯（美国）集成电路科技有限公司
- 2022-02-09 - 2022-08-19 - H01L29/73
- 本公开涉及一种用于具有与FET栅极对准的外基极的双极型晶体管的集成电路结构和方法。本公开的方面提供了一种在衬底内具有双极型晶体管堆叠的集成电路(IC)结构。双极型晶体管堆叠可以包括：集电极、位于集电极上的基极、以及位于基极的第一部分上的发射极。发射极的水平宽度小于基极的水平宽度，并且发射极的上表面与衬底的上表面基本共面。外基极结构位于双极型晶体管堆叠的基极的第二部分上并与发射极水平相邻。外基极结构包括位于衬底的上表面上方的上表面。
- 一种防水抗高热的半导体三极管-202220174937.0
- 苏坚荣 - 深圳市煜荣伟业科技有限公司
- 2022-01-23 - 2022-05-31 - H01L29/73
- 本实用新型公开了半导体三极管技术领域的一种防水抗高热的半导体三极管，包括基体、连接柱、滑动柱和密封环，所述连接柱固定连接在所述基体的底部，且从左到右依次排列，所述滑动柱套接在所述连接柱的外侧壁，所述密封圈通过密封胶粘接在所述滑动柱的底部，所述基体的底部镶嵌有针脚，且位于所述连接柱的内侧，所述针脚贯穿所述滑动柱并延伸至所述密封圈的内腔，该防水抗高热的半导体三极管，结构设计合理，能够使连接柱与滑动柱的内腔形成一个封闭的空间，从而使针脚与外部环境隔离，有效的阻止与水汽的接触，达到防潮效果，使针脚不易腐蚀损坏，能够正常的工作，进而大大的提高了半导体三极管的使用寿命。
- 一种快速拆卸的半导体三极管-202220174948.9
- 苏坚荣 - 深圳市煜荣伟业科技有限公司
- 2022-01-23 - 2022-05-31 - H01L29/73
- 本实用新型公开了半导体三极管技术领域的一种快速拆卸的半导体三极管，包括上壳体、下壳体、引脚、电路板和卡套，所述下壳体位于所述上壳体的后方，所述引脚插接在所述上壳体和所述下壳体的底部中间之间，且自左向右依次排列，所述电路板位于所述引脚的下方，所述卡套套接在所述上壳体和所述下壳体的外侧壁中间一周，所述上壳体的前侧壁左侧中间开有凹槽，所述下壳体的右侧壁中间固定连接有卡框，该快速拆卸的半导体三极管，结构设计合理，拆卸方便快捷，不需要借助其他工具就可以对半导体三极管进行拆卸，提高了拆卸效率，使其拆卸方便快捷高效，且不容易造成半导体三极管或线路板的损坏，不会提高使用成本。
- 专利分类
