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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及制造存储器器件方法-CN202310613396.6在审
发明人： 林孟汉;黄家恩;杨世海 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了一种半导体器件及制造存储器器件的方法。半导体器件包括字线(WL)结构。该半导体器件包括位于WL结构上方的铁电层。该半导体器件包括位于铁电层上方的沟道层。该半导体器件包括位于沟道层上方的源极线(SL)结构。该半导体器件包括位于沟道层上方的位线(BL)结构。BL结构包括朝向SL结构横向延伸的部分。该半导体器件还包括介电层，介电层横向地插入在SL结构和BL结构之间。
半导体器件制造存储器器件方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310442401.1在审
发明人： 林孟汉;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体结构包括隔离层；位于隔离层上方的第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极(S/D)金属电极；横向地设置在第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极金属电极之间的金属栅极；位于金属栅极的底表面和侧壁表面上的铁电层；以及氧化物半导体层。氧化物半导体层包括位于第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极金属电极下方的第一部分；位于铁电层下方并且比第一部分厚的第二部分；分别位于第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极金属电极之上的第三部分；以及分别位于第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极金属电极的侧壁上并且将第三部分连接到第二部分的第四部分。本发明的实施例还提供了形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202010830200.5有效
发明人：张永昌;林孟汉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种集成芯片及其形成方法，所述集成芯片包括上覆在光栅耦合器结构上的保护环结构。波导结构设置在半导体衬底内且包括光栅耦合器结构。内连结构上覆在半导体衬底上。所述内连结构包括接触件刻蚀停止层(CESL)及位于半导体衬底之上的导电接触件。所述导电接触件延伸穿过接触件刻蚀停止层。所述保护环结构延伸穿过接触件刻蚀停止层且具有与导电接触件的上表面对齐的上表面。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]三维存储器件及其形成方法-CN202110318852.5有效
发明人：贾汉中;林孟汉;王圣祯;杨丰诚;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B51/10 文献下载
摘要：形成三维(3D)存储器件的方法包括：在衬底上方形成层堆叠件，该层堆叠件包括第一介电材料与第二介电材料的交替层；形成延伸穿过层堆叠件的沟槽；将第二介电材料替换成导电材料以形成字线(WL)；用铁电材料内衬沟槽的侧壁和底部；用第三介电材料填充沟槽；形成垂直延伸穿过第三介电材料的位线(BL)和源极线(SL)；去除第三介电材料的一部分，以在第三介电材料中的BL和SL之间形成开口；沿开口的侧壁形成沟道材料；并用第四介电材料填充开口。本申请的实施例还涉及三维(3D)存储器件。
三维存储器件及其形成方法

[发明专利]双极性接面型晶体管、其形成方法以及相关的集成电路-CN201811101072.X有效
发明人：陈奕寰;周建志;郑光茗;林孟汉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供一种双极性接面型晶体管(BJT)。此双极性接面型晶体管可包括被配置在一半导体基板内的集极区。被配置在半导体基板内，并且被布置在集极区内的基极区。被配置在半导体基板内，并且被布置在基极区内的射极区。被配置在半导体基板的上表面上，并且将半导体基板的上表面与最下方的一金属内部互连层分隔开的金属前介电层。被布置在射极区上以及金属前介电层内的多个第一凹陷防止柱状物，其中每一个第一凹陷防止柱状物包括导电且电性浮接的冗余栅极。
极性接面型晶体管形成方法以及相关集成电路

[发明专利]铁电随机存取存储器器件及形成方法-CN202110039606.6有效
发明人： 林孟汉;杨柏峰;贾汉中;王圣祯;杨丰诚;杨世海;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B51/00 文献下载
摘要：一种形成铁电随机存取存储器(FeRAM)器件的方法，包括：依次在衬底上形成第一层堆叠和第二层堆叠，其中，第一层堆叠和所述第二层堆叠具有相同的层状结构，层状结构包括在第一介电材料层上方的第一导电材料层，其中，第一层堆叠延伸超过第二层堆叠的横向范围；形成延伸穿过该第一层堆叠和第二层堆叠的沟槽；用铁电材料加衬该沟槽的侧壁和底部；在铁电材料的上方的沟槽中共形地形成沟道材料；用第二介电材料填充该沟槽；在第二介电材料中形成第一开口和第二开口；以及用第二导电材料填充第一开口和第二开口。本发明的实施例还涉及铁电随机存取存储器器件。
随机存取存储器器件形成方法

[发明专利]三维存储器阵列的结构-CN202210392598.8在审
发明人： 林孟汉;杨丰诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种3D存储器阵列包括形成具有在X轴方向上布置的多个3D存储器子阵列的台地特征件。每一3D存储器子阵列包括：多个存储器单元，其等是分布于在X轴方向上布置的多列中；多个位线，其等在Z轴方向上延伸；多个源极线，其等在Z轴方向上延伸；及多个字线，其等在Y轴方向上延伸。每一存储器单元包括第一电极、第二电极以及栅极电极。每一位线使在Z轴方向上对准的所述存储器单元中的一些单元的所述第一电极互连。每一位线电气连接至相同3D存储器子阵列的另一位线，其在该X轴方向上与该位线对准，且与另一3D存储器子阵列的位线电气隔离。
三维存储器阵列结构

[发明专利]记忆体装置与其制造方法-CN202310111545.9在审
发明人： 林孟汉;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：一种记忆体装置与其制造方法，记忆体装置包含拥有第一区域与第二区域的基材。第一区域包含多个第一导电条、第一记忆体层、第二导电条与多个第三导电条。多个第一导电条沿侧向延伸且沿垂直方向彼此间隔，第一记忆体层沿垂直方向延伸，第一半导体层沿垂直方向延伸且耦合至部分的第一记忆体层，第二导电条与第三导电条耦合至第一半导体层的侧壁的末端。第二区域包含多个导电板、第二记忆体层、与第二半导体层。多个导电板沿侧向延伸且沿垂直方向彼此间隔，第二记忆体层沿垂直方向延伸且被导电板包覆，第二半导体层与沿垂直方向延伸且被第二记忆体层所包覆。
记忆体装置与其制造方法

[发明专利]半导体装置、半导体晶粒、和制造半导体晶粒的方法-CN202210351029.9在审
发明人： 林孟汉;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：一种半导体装置、半导体晶粒、和制造半导体晶粒的方法，半导体装置包含：一源极、和在第一方向与源极分隔开的漏极。通道层设置于在正交于第一方向的第二方向在源极和漏极的径向外表面上。记忆体层设置在通道层的径向外表面上。导孔设置在漏极的轴向端处，并且配置为将漏极电性耦合到全域漏极线。导孔包含导孔基部和导孔侧壁，导孔基部在由第一方向和垂直于第一方向的第二方向所定义的平面中延伸，此导孔基部被构造为接触对应的全域漏极线，导孔侧壁从导孔基部的外周边缘朝向漏极延伸。导孔定义内腔，在此内腔之内设置漏极的轴向端的至少一部分。
半导体装置晶粒制造方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN201910305601.6有效
发明人： 林孟汉;才永轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：集成芯片包括衬底、隔离结构和栅极结构。隔离结构包括衬底内的一种或多种介电材料，并且具有限定衬底中的有源区的侧壁。有源区具有沟道区、源极区和沿第一方向通过沟道区与源极区分隔开的漏极区。源极区、漏极区和沟道区沿着垂直于第一方向的第二方向分别具有第一宽度、第二宽度和第三宽度。第三宽度大于第一宽度和第二宽度。栅极结构包括具有一种或多种材料的第一组分的第一栅电极区和具有与一种或多种材料的第一组分不同的一种或多种材料的第二组分的第二栅电极区。本发明的实施例还涉及集成芯片的形成方法。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]记忆体装置及其测试方法-CN202211139455.2在审
发明人： 林孟汉;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本揭露有关于一种记忆体装置及其测试方法。记忆体装置包含第一记忆体区块。第一记忆体区块包含第一记忆体次阵列及设置相邻于第一记忆体次阵列的第一界面部分。第一记忆体区块还包含通过第一界面部分电性耦合至第一记忆体次阵列的多个第一内连接结构及配置以电性耦合此些第一内连接结构的一对应者至晶体管的多个第二内连接结构。记忆体装置还包含设置相邻于第一记忆体区块的第一测试结构及第二测试结构，且每一者配置以模拟此些第二内连接结构的电性连接。第一测试结构及第二测试结构彼此电性耦合，且每一者与第一记忆体区块电性绝缘。
记忆体装置及其测试方法

[发明专利]嵌入式存储器的单元边界结构、集成电路及其形成方法-CN201811544201.2有效
发明人： 林孟汉;谢智仁;吴伟成;黄志斌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10B41/50 文献下载
摘要：本申请的各种实施例涉及具有边界侧壁间隔件的嵌入式存储器边界结构及相关形成方法。在一些实施例中，在半导体衬底中形成隔离结构以将存储区与逻辑区分离。在所述存储区上形成存储单元结构，并在所述隔离结构上形成伪结构。形成覆盖所述伪结构的边界侧壁间隔件。保护介质层形成在所述边界侧壁间隔件的顶面上。所述边界侧壁间隔件和所述保护介质层提供平滑的边界侧壁以在所述逻辑器件结构的形成期间不会经受损坏，因此，在使用HKMG技术形成所述逻辑器件结构期间不会吸收高k蚀刻残余物。本发明的实施例还提供了集成电路及其形成方法。
嵌入式存储器单元边界结构集成电路及其形成方法

[发明专利]半导体元件、半导体晶片以及制造半导体元件的方法-CN202210072244.5在审
发明人： 林孟汉;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：一种半导体元件、半导体晶片以及制造半导体元件的方法，半导体元件包含源极以及在第一方向上与源极分隔开的漏极。通道层在垂直于第一方向的第二方向上径向向外设置于源极和漏极的至少一个径向外表面，通道层在第一方向上延伸。记忆层在第二方向上设置于通道层的径向外表面上，且在第一方向上延伸。接触结构介于通道层以及源极和/或漏极的至少一部分之间，接触结构具有比通道层低的电阻。
半导体元件晶片以及制造方法

[发明专利]半导体元件、晶片及其制造方法-CN202210111877.2在审
发明人： 林孟汉;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/11597 文献下载
摘要：一种半导体元件、晶片及其制造方法，半导体元件包含源极及一对漏极，该对漏极在第一方向上设置于源极的任一侧上且与源极间隔开。在第一方向上延伸的通道层在垂直于第一方向的第二方向上设置于该源极及该对漏极的至少一个离轴外表面上。在第一方向上延伸的记忆体层在第二方向上设置于通道层的离轴外表面上。在第一方向上延伸的至少一个栅极层在第二方向上设置于记忆体层的离轴外表面上。栅极延伸结构在第一方向上自漏极中的各者至少部分地朝向源极延伸，且位于近接于通道层及相应漏极中的各者并与之接触。
半导体元件晶片及其制造方法

[发明专利]记忆体装置及其制造半导体装置的方法-CN202210476288.4在审
发明人： 林孟汉;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：一种记忆体装置及其制造半导体装置的方法，记忆体装置包括第一记忆体单元。第一记忆体单元包括:沿横向延伸的第一导体结构；第一记忆体薄膜，其包括第一部分环绕第一导体结构的第一部分；及环绕第一记忆体薄膜的第一部分的第一半导体薄膜。第二导体结构沿垂直方向延伸并且沿横向耦接第一半导体薄膜的第一端部。第三导体结构沿垂直方向延伸并且沿横向耦接第一半导体薄膜的第二端部。
记忆体装置及其制造半导体方法

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