专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器-CN201980005362.0有效
  • 盐川阳平 - TDK株式会社
  • 2019-05-13 - 2023-08-29 - H01L29/82
  • 本发明的自旋轨道转矩型磁阻效应元件(101)具备:第一铁磁性层(1)、第二铁磁性层(2)、位于上述第一铁磁性层与上述第二铁磁性层之间的非磁性层(3)、层叠了上述第一铁磁性层的自旋轨道转矩配线(5),上述自旋轨道转矩配线沿着相对于上述第一铁磁性层的法线方向即第一方向(Z)交叉的第二方向(X)延伸,上述第一铁磁性层从上述自旋轨道转矩配线侧依次具有第一层叠结构体(10a)和界面磁性层(20),上述第一层叠结构体是从上述自旋轨道转矩配线侧依次配置铁磁性导电体层(11a)和含氧化物层(12a)的结构体,上述铁磁性导电体层包含铁磁性金属元素,上述含氧化物层包含铁磁性金属元素的氧化物。
  • 自旋轨道转矩磁阻效应元件磁存储器
  • [发明专利]基于二维电子气沟道结构的二维磁敏传感器及其制备方法-CN202211113647.6在审
  • 黄火林;丁喃喃 - 大连理工大学
  • 2022-09-14 - 2023-02-03 - H01L29/82
  • 基于二维电子气沟道结构的二维磁敏传感器及其制备方法,属于半导体传感器技术领域。技术方案:在衬底上依次生长缓冲层、沟道层、势垒层,沟道层和势垒层形成异质结结构层,二者接触界面由极化电荷诱导产生二维电子气,势垒层上方设置磁致伸缩层,磁致伸缩层上方设置电极Sx1、电极Sx2、电极Sy1、电极Sy2,电极Sx1、电极Sx2、电极Sy1、电极Sy2均从磁致伸缩层上方延伸至异质结结构层,电极Sx1和电极Sx2对称设置,电极Sy1和电极Sy2对称设置。有益效果:本发明所述基于二维电子气沟道结构的二维磁敏传感器调控了单一Ⅲ‑Ⅴ族半导体异质结磁传感器的极化效应,在对恶劣环境下平行于器件方向的磁场测量时可以实现较高的灵敏度,并且简单的结构减小了器件体积,易于集成。
  • 基于二维电子沟道结构传感器及其制备方法
  • [发明专利]自旋元件及储备池元件-CN202080001916.2在审
  • 滨中幸祐;佐佐木智生;盐川阳平 - TDK株式会社
  • 2020-01-24 - 2021-11-09 - H01L29/82
  • 本实施方式提供的自旋元件具备:配线(20);层叠体(10),其层叠于上述配线上,包含第一铁磁性层(1);第一导电部(30)和第二导电部(40),从层叠方向(z)俯视时,该第一导电部和第二导电部夹着上述第一铁磁性层;以及中间层(50),其在上述第一导电部和上述配线之间与上述配线相接,构成上述中间层的第二元素相对于构成上述配线的第一元素的扩散系数比构成上述第一导电部的第三元素相对于上述第一元素的扩散系数小,或者,构成上述第一导电部的第三元素相对于构成上述配线的第二元素的扩散系数比上述第三元素相对于构成上述中间层的第一元素的扩散系数小。
  • 自旋元件储备

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