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[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN201811112069.8有效
发明人： B·格罗特;S·R·梅霍特拉;L·拉蒂克;V·坎姆卡;M·E·吉普森 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及场效应晶体管及其方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽。在所述沟槽中形成栅电极，其中所述栅电极的第一边缘接近所述沟槽的第一侧壁。在所述沟槽中形成第一场板，其中所述第一场板位于所述栅电极的第二边缘与所述沟槽的第二侧壁之间。在所述沟槽中形成介电材料，其中所述介电材料具有介于所述第一侧壁与所述第一场板的第一边缘之间的第一厚度，以及介于所述第二侧壁与所述第一场板的第二边缘之间的第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN201811120582.1有效
发明人： S·R·梅霍特拉;L·拉蒂克;B·格罗特 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及场效应晶体管及其方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽，所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁。在所述沟槽中形成竖直场板，并且所述竖直场板位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间。在所述沟槽中形成栅电极，其中所述栅电极的第一边缘接近所述第一侧壁，并且所述栅电极的第二边缘接近所述竖直场板。在所述沟槽中形成第一介电材料，所述第一介电材料介于所述第一侧壁与所述竖直场板之间。在所述沟槽中形成第二介电材料，所述第二介电材料介于所述竖直场板与所述第二侧壁之间，其中所述第二介电材料的介电常数低于所述第一介电材料的介电常数。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]具有单晶基极结构的晶体管-CN202211443405.3在审
发明人： J·P·约翰;L·拉蒂克;J·A·柯奇斯纳;J·J·T·M·唐克斯 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本公开涉及具有单晶基极结构的晶体管。一种半导体管芯包括具有发射极、基极和集电极的晶体管。所述基极包括本征基极，所述本征基极定位于在第一半导体层的开口中生长的单晶半导体材料中。第二半导体层定位于所述第一半导体层上方并且包括单晶部分。在一些实施例中，在所述第二半导体层中形成开口，在所述开口中蚀刻下层第一半导体层的一部分以形成腔，在所述腔中生长单晶本征基极。
具有基极结构晶体管

[发明专利]硅化集电极结构-CN202210497145.1在审
发明人： J·P·约翰;J·A·柯奇斯纳;L·拉蒂克 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本公开涉及硅化集电极结构。一种半导体装置包括发射极、基极和集电极。所述集电极的一部分位于基板中的沟槽下方。集电极硅化物位于所述沟槽的底部部分的至少一部分和所述沟槽的侧壁的至少一部分上。集电极硅化物结构电耦合到集电极接触结构。
集电极结构

[发明专利]横向扩散金属-氧化物半导体晶体管及其形成方法-CN202011312930.2在审
发明人： S·R·梅霍特拉;B·格罗特;L·拉蒂克 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及横向扩散金属‑氧化物半导体晶体管及其形成方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽，其中所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁。栅极区包括填充于所述沟槽中的导电材料。具有第一导电类型的漂移区邻近所述第二侧壁形成于所述半导体衬底中。漏极区形成于所述漂移区中并且与所述第二侧壁间隔开第一距离。电介质层形成于所述半导体衬底的顶表面处，覆盖所述栅极区和所述第二侧壁与所述漏极区之间的所述漂移区。场板形成于所述电介质层上方并且借助于所述电介质层与所述导电材料和所述漂移区隔离。
横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其形成方法

[发明专利]在沟槽中具有控制端场板结构的晶体管装置-CN201910911603.X在审
发明人： B·格罗特;L·拉蒂克;S·R·梅霍特拉;T·T-M·托马斯;M·E·吉普森 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本公开涉及在沟槽中具有控制端场板结构的晶体管装置。一种晶体管装置包括位于半导体材料的沟槽中的导电结构。所述导电结构位于相比所述沟槽的第二侧壁更靠近所述沟槽的第一侧壁。所述导电结构充当晶体管的控制端和场板。在所述沟槽中所述导电结构充当晶体管的控制端的第一位置处，所述导电结构通过位于所述导电结构与沟槽侧壁之间的电介质而位于与所述沟槽侧壁相距第一横向距离。在所述沟槽中所述导电结构充当场板的第二位置处，所述导电结构通过位于所述导电结构与所述沟槽侧壁之间的电介质而位于与所述沟槽侧壁相距第二横向距离。所述第二横向距离大于所述第一横向距离。
沟槽具有控制板结晶体管装置

[发明专利]具有埋入式掺杂的隔离区域的裸片-CN201910810952.2在审
发明人： S·R·梅霍特拉;T·萨克塞纳;L·拉蒂克;B·格罗特 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有埋入式掺杂的隔离区域的裸片。实施例涉及一种在裸片的衬底中的连续埋入式掺杂的隔离区域。衬底包括包围该裸片的第一区的隔离环结构。连续埋入式掺杂的隔离区域是净第一导电类型且位于该第一区中。连续埋入式掺杂的隔离区域包括具有至少第一等级的净第一导电类型掺杂剂浓度的第一部分，第一部分位于该第一区的内部区域中且延伸到该隔离环结构的侧壁。第一部分在该第一区的拐角区的位置中不延伸到该隔离环结构的该侧壁。拐角区由该隔离环结构限定。在该拐角区中的该连续埋入式掺杂的隔离区域的第二部分具有低于该第一等级的第二等级的净第一导电类型掺杂剂浓度。裸片包括半导体装置，该半导体装置位于该第一区中且包括位于该连续埋入式掺杂的隔离区域上方的该第一区中的该衬底中的组件。
具有埋入掺杂隔离区域

[发明专利]具有场板结构的晶体管沟槽结构-CN201910169405.0在审
发明人： B·格罗特;S·R·梅霍特拉;L·拉蒂克;V·坎姆卡 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及具有场板结构的晶体管沟槽结构。一种沟槽结构正侧向定位在第一晶体管的第一阱和第一源极区与第二阱区之间，其中第二源极用于第二晶体管。所述沟槽结构包括所述第一晶体管的第一栅极结构、所述第二晶体管的第二栅极结构、第一导电场板结构和第二导电场板结构。所述第一栅极结构、所述第一场板结构、所述第二场板结构和所述第二栅极结构在所述沟槽结构中定位于所述第一阱区与所述第二阱区之间的侧向线中。所述沟槽结构包括在所述侧向线中将所述第一场板结构与所述第二场板结构彼此分离的介电质。所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极区包括定位在所述沟槽结构正下方的部分。
晶体管沟槽结构场板结构栅极结构阱区侧向导电场板彼此分离介电质漏极区源极区正侧向源极

[发明专利]沟槽超级结功率MOSFET的端子设计-CN201811338270.8在审
发明人：覃甘明;V·坎姆卡;L·拉蒂克;B·格罗特;T·萨克塞纳;M·兹图尼 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及沟槽超级结功率MOSFET的端子设计。多个沟槽条并行安置于漏极上的外延层中并且从半导体的第一表面的顶部区延伸至底部区。第一多晶硅层在所述沟槽条中的每个沟槽条中。所述第一多晶硅层在所述漏极与接近所述顶部区和所述底部区的所述第一表面之间延伸，并且在所述漏极与在所述顶部区与所述底部区之间的中间区中的第一表面下方的水平面之间延伸。第二多晶硅层在所述中间区中的所述第一多晶硅层上方，其中所述第一多晶硅层形成屏蔽件，并且所述第二多晶硅层形成栅极。源极在围绕所述第一沟槽条的硅台面条中。
多晶硅层第一表面底部区顶部区漏极功率MOSFET 超级结中间区延伸硅台面屏蔽件外延层源极半导体并行安置

[发明专利]场效应晶体管及其方法-CN201811112091.2在审
发明人： S·R·梅霍特拉;L·拉蒂克;B·格罗特 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及场效应晶体管及其方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽，其中所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁。在所述沟槽中形成竖直场板。所述竖直场板位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间。在所述沟槽中形成栅电极，其中所述栅电极的第一边缘接近所述第一侧壁，并且所述栅电极的第二边缘接近所述竖直场板。在所述沟槽中形成介电材料，所述介电材料介于所述第一侧壁与所述竖直场板之间。在所述沟槽中形成空气腔，所述空气腔介于所述竖直场板与所述第二侧壁之间，其中所述空气腔的介电常数低于所述介电材料的介电常数。
场板竖直第一侧壁第二侧壁介电材料空气腔栅电极场效应晶体管介电常数晶体管衬底半导体

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