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[发明专利]异质结双极晶体管结构及其形成方法-CN202310859897.2有效
发明人：邹道华;高谷信一郎;刘昱玮 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其结构包括：基底；位于基底上的集电层、基层和发射层；位于发射层上的发射电极；位于集电层上的集电极；基电极，基电极包括若干指部，若干指部分别与基层电连接；钝化结构，钝化结构暴露出发射电极的部分顶部表面、集电极的部分顶部表面、相邻发射层之间的指部的部分顶部表面；互连金属层，互连金属层分别发射电极、指部以及集电极电连接。通过省去了基电极的端部，基层无需为基电极的端部提供放置位置，可以有效减小基层的面积，进而减小基层与集电层之间形成的PN结的面积。由于基层中去除了为基电极的端部提供放置且不能够贡献电流的部分，能够有效提升器件结构的利用效率。
异质结双极晶体管结构及其形成方法

[发明专利]滤波器及滤波器的形成方法-CN202310909391.8有效
发明人：杨新宇;邹雅丽;汤正杰 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：一种滤波器及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括沿第一方向排列的第一区和第二区；位于衬底第一区上的至少两个第一叉指换能器，沿第一方向排列；位于衬底第二区上的至少一个第二叉指换能器，位于衬底第一区一侧；位于衬底第一区上的第一总线层，与第一叉指换能器电连接；位于衬底第二区上的第二总线层，与第二叉指换能器电连接；第一总线层与第二总线层位于第一叉指换能器沿第二方向上的两侧，第一总线层与第二总线层位于第二叉指换能器沿第二方向上的两侧。所述滤波器简化了工艺流程。
滤波器形成方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202310882446.0在审
发明人：李新宇;叶鹏辉;丁帼君;姜清华 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；位于所述衬底上的电感结构，所述电感结构包括若干层分立的金属层，若干层所述金属层沿垂直于衬底表面的方向堆叠，若干层所述金属层相连，构成具有两个端口的导电通路。所述电感结构沿垂直于衬底表面的方向上形成，能够缩小电感结构占用衬底表面的面积。
半导体结构形成方法

[发明专利]掩膜版图的形成方法、存储介质及终端-CN202310874635.3在审
发明人：丁帼君;李新宇;赵亚楠;姜清华 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：一种掩膜版图的形成方法、存储介质及终端，其中形成方法包括：建立直径尺寸为的晶圆图形；调入基础曝光区域图形；获取基础曝光区域图形的宽度尺寸和长度尺寸；根据晶圆图形的直径尺寸、基础曝光区域图形的宽度尺寸和长度尺寸，获取掩膜版图沿第一方向和第二方向所需的基础曝光区域图形的第一数量和第二数量；将基础曝光区域图形沿第一方向进行第一数量、以及沿第二方向进行第二数量的阵列处理，形成掩膜版图。通过自动化的建立晶圆圆形、以及自动化的计算出第一数量和第二数量，能够有效解决手动绘制圆形过程中所带来的繁琐性问题，而且还能够有效避免人为计算出现的错误，有效提高掩膜版图的设计效率和准确性。
版图形成方法存储介质终端

[发明专利]掩膜版及晶圆的曝光方法-CN202310872604.4在审
发明人：姜清华;高谷信一郎;李新宇;丁帼君 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：一种掩膜版及晶圆的曝光方法，其中曝光方法包括：提供晶圆，所述晶圆对应有若干曝光区域；提供原始掩膜版，所述原始掩膜版包括公共区、增补区和监控区，所述监控区的掩膜图形用于在所述晶圆中形成工艺控制监控的结构；对各个所述曝光区域进行逐次曝光处理，且在曝光处理过程中，部分所述曝光区域基于所述监控区进行曝光处理。在曝光过程中，通过在部分所述曝光区域基于所述监控区进行曝光处理，以减少在所述晶圆中形成工艺控制监控的结构的数量，进而减少占用形成实际出货芯片的区域，以增加所述晶圆的芯片产出数量。
掩膜版曝光方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310886448.7在审
发明人：徐流龙;金建;刘广纯;邬始豪 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N30/87 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面的若干分立的叉指电极结构，所述叉指电极包括：位于衬底表面的种子层；位于所述种子层表面的第一金属层，所述第一金属层的材料为有晶态的金属，所述种子层的材料的晶化温度低于所述第一金属层的材料的晶化温度。所述半导体结构及其形成方法降低了叉指电极的电阻率，并改善了器件的功率耐受性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]对位标识的对位坐标获取方法、存储介质及终端-CN202310679479.5在审
发明人：李新宇;丁帼君;赵亚楠;姜清华 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种对位标识的对位坐标获取方法、存储介质及终端，其中对位标识的对位坐标获取方法包括：提供顶层版图；从所述顶层版图中确定对位标识图形，并通过选取边框将所述对位标识图形进行框选；获取所述选取边框的若干边框节点坐标；定义若干坐标变量，并将所述选取边框中每个所述边框节点坐标的横坐标和纵坐标的值赋予对应的所述坐标变量；根据若干所述坐标参量获取所述对位标识图形的对位坐标。通过自动化的获取所述顶层版图中所述对位标识图形的所述对位坐标，能够解决手动提取所述对位坐标所带来的偏差和繁琐性问题，能够有效提高获取所述对位坐标的准确性和效率。
对位标识坐标获取方法存储介质终端

[发明专利]异质结双极型晶体管及异质结双极型晶体管的形成方法-CN202310885002.2在审
发明人：姜清华;赵亚楠;丁帼君;吴炫聪 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种异质结双极型晶体管及其形成方法，结构包括：衬底，在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间，所述第一方向平行于衬底表面；位于所述衬底上的集电层；位于所述第一区和第二区的集电层上的基层；位于所述第一区的基层上的发射层；位于所述衬底上的导电结构，所述导电结构包括第一导电层、第二导电层及第三导电层,所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层的结构及厚度相同；所述第三导电层位于所述第三区，与所述集电层电性连接；所述第二导电层位于所述第二区，与所述基层电性连接；所述第一导电层位于所述第一区，与所述发射层电性连接。所述结构的形成过程使用的光罩数量减少。
异质结双极型晶体管形成方法

[实用新型]半导体结构-CN202321166159.1有效
发明人：潘林;杨磊;袁海旭;何鹏 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括：集电基底层；位于集电基底层上的若干凸起结构，若干凸起结构沿第一方向排布，第一方向平行于集电基底层表面，各凸起结构包括集电层、位于集电层表面的基层和位于基层表面的发射层；位于各发射层的部分表面的发射极，发射极与发射层电连接；位于凸起结构上方的第一导电结构，第一导电结构包括若干导电连接层和若干第一导电层，一个第一导电层位于一个发射极表面，各导电连接层位于相邻的第一导电层之间，且与第一导电层连接，各导电连接层使相邻的第一导电层相互连接，增大了异质结双极型晶体管器件的散热面积，利于提高器件性能的可靠性。
半导体结构

[发明专利]粒子注入测试结构、其形成方法以及粒子注入测试方法-CN202310634748.6在审
发明人：潘林;杨磊;袁海旭;何鹏 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种粒子注入测试结构、其形成方法以及粒子注入测试方法，其中，粒子注入测试结构包括：若干测试区；位于各测试区上的待测结构，各测试区上的待测结构形貌和尺寸均相同，各待测结构包括预设注入结构以及与所述预设注入结构相邻的预设遮挡结构；位于各待测结构上的掩膜层，各掩膜层位于预设遮挡结构顶部表面，所述掩膜层的宽度为第一宽度，不同测试区上的掩膜层的第一宽度不同。所述粒子注入测试结构、其形成方法以及粒子注入测试方法能够更精确的检测、控制粒子注入的区域，实现精密粒子注入工艺。
粒子注入测试结构形成方法以及

[发明专利]垂直腔面发射激光器及其形成方法-CN202310835308.7在审
发明人：李明华;朱奇荣;黄涛;王祥昊 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种垂直腔面发射激光器及其形成方法，其结构包括：衬底；位于所述衬底表面的第一反射器层；位于部分所述第一反射器层表面的第一限制结构，所述第一限制结构包括第一限制层；位于所述第一限制结构表面的有源层；位于所述有源层表面的第二限制结构，所述第二限制结构包括第二限制层，所述第一限制层的材料具有第一带隙宽度，所述第二限制层的材料具有第二带隙宽度，所述第一带隙宽度小于所述第二带隙宽度；位于所述第二限制结构表面的第二反射器层，使电子限制在有源层附近，增加电子和空穴的复合概率，利于提高垂直腔面发射激光器的光电转换效率、降低阈值电流。
垂直发射激光器及其形成方法

[发明专利]声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置-CN202310678773.4在审
发明人：黄烜;徐流龙;路园园;孙志伟 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：一种声表面波谐振装置的形成方法，包括：提供压电基底；形成电极结构，位于压电基底上；形成电极保护层，位于压电基底上，覆盖电极结构；形成温度补偿层，位于压电基底上方，温度补偿层覆盖电极保护层；其中，基于大于100W的偏压电源功率形成温度补偿层。本发明实施例通过在谐振装置的电极结构上设置电极保护层，从而提高声表面波谐振装置的良率及可靠性。
表面波谐振装置及其形成方法滤波

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310642426.6在审
发明人：姜清华;高谷信一郎;邹道华;赵亚楠 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，所述衬底具有相对的第一侧和第二侧；位于所述衬底的第一侧的异质结双极晶体管，所述异质结双极晶体管包括：第一集电层、位于所述第一集电层上的第一基层和第一集电极、位于所述第一基层上的第一基电极和发射层、以及位于所述发射层上的发射电极；位于所述衬底的第二侧的若干无源器件。通过将所述异质结双极晶体管和若干所述无源器件分别位于所述衬底相对两侧，能够有效减少整体结构所占用的面积，进而有效提升器件结构的集成度。另外，还可以有效减少形成在所述异质结双极晶体管上的叠层，有利于所述异质结双极晶体管的散热，提高所述异质结双极晶体管的增益，进而提高器件结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]声表面波谐振装置及其形成方法-CN202310635569.4在审
发明人：刘广纯;路园园;金建;徐流龙 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：一种声表面波谐振装置及其形成方法，其中声表面波谐振装置包括：压电基底；位于所述压电基底上的叉指电极结构，所述叉指电极结构包括相互分立的第一叉指部和第二叉指部；位于所述压电基底上的导电层，所述导电层分别与所述第一叉指部和所述第二叉指部电连接，所述导电层的电阻大于所述叉指电极结构的电阻，用于阻断所述第一叉指部与所述第二叉指部之间的电连接。通过所述导电层能够将汇聚在所述第一叉指部和所述第二叉指部中的静电电荷导出，减少所述叉指电极结构中因发生静电放电而造成损伤的问题，以此提升声表面波谐振装置的性能。
表面波谐振装置及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310575750.0在审
发明人：姜清华;高谷信一郎;李新宇;叶鹏辉 -专利权人： 常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：晶体管结构，晶体管结构包括衬底、位于衬底上的集电层、基层、发射层、集电极、基电极和发射电极；第一电阻层，与集电层电连接；第二电阻层，与发射层电连接；电容结构，与基层电连接；热敏电阻层，具有正温度系数，与基电极电连接。热敏电阻层在感应到发热量后增大自身阻值，从而减小输入到基层上的电流IB。由于晶体管的放大倍数β会随着温度提升而增大，而输入至晶体管的电流IB随着温度的提升而减小，二者的乘积可以稳定晶体管的输出电流IC。通过在电路结构中增设热敏电阻层，无需采用复杂的自适应偏置电路结构调节输入电流IB，有效降低芯片的面积，提高器件结构的集成度。
半导体结构及其形成方法

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