专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]双面电容器及其制作方法-CN201880001021.1有效
  • 陆斌;沈健 - 深圳市为通博科技有限责任公司
  • 2018-08-08 - 2023-06-23 - H01L29/00
  • 本申请实施例涉及双面电容器及其制造方法。该双面电容器包括:在SOI衬底的两个表面刻蚀深度未到达中间绝缘层的沟槽(105,106)以及深度超过中间绝缘层的沟槽结构(107,108);在沟槽(105,106)以及沟槽(107,108)表面依次沉积绝缘电介质薄膜和导电材料,其中,需要去除沟槽(107,108)底部绝缘材料,在沟槽(107,108)中填充导电材料成为导电通道。SOI衬底的上层导电通道与上层绝缘且与下层导通;下层导电通道与下层绝缘且与上层导通。因此,本申请实施例的双面电容器不仅避免了刻蚀贯穿衬底的沟槽,使得整个结构机械强度更好,而且利用了SOI晶圆本身的衬底电容,从而电容更大。
  • 双面电容器及其制作方法
  • [发明专利]具有不对称切割布局的自对准栅极隔离-CN202080050787.6在审
  • 谢瑞龙;C.拉登斯;程慷果;V.巴斯克 - 国际商业机器公司
  • 2020-06-15 - 2022-02-25 - H01L29/00
  • 一种形成半导体结构的方法,包括在衬底之上形成鳍状物,在衬底之上形成围绕鳍状物的浅沟槽隔离区域,以及形成为纳米片场效应晶体管提供沟道的纳米片堆叠体。该方法还包括在形成于第一鳍状物上的第一纳米片堆叠体的侧壁和顶表面的一部分之上形成沟道保护衬垫,该沟道保护衬垫进一步形成在从第一纳米片堆叠体的侧壁向形成于第二鳍状物上的第二纳米片堆叠体延伸的浅沟槽隔离区域的一部分之上。该方法还包括形成围绕纳米片堆叠体的暴露部分的栅极堆叠体,在沟道保护衬垫之上形成不对称自对准栅极隔离结构,以及在第三鳍状物和第四鳍状物之间的浅沟槽隔离区域的一部分之上形成对称自对准栅极隔离结构。
  • 具有不对称切割布局对准栅极隔离
  • [发明专利]电容器及其制作方法-CN201880001016.0在审
  • 陆斌;沈健 - 深圳市为通博科技有限责任公司
  • 2018-08-02 - 2020-04-10 - H01L29/00
  • 本申请实施例提供了一种电容器及其制作方法,电容器可以实现更小封装体积、更高容量,并且电容器的制作方法具有工艺流程简单,制作成本低廉的优点。该电容器包括:第一半导体层;第二半导体层;第一绝缘体层,设置于该第一半导体层和该第二半导体层之间;至少一个导电结构,该导电结构沿第一方向贯穿该第一半导体层和该第一绝缘体层,且与该第二半导体层电连接,该导电结构与该第一半导体层之间设置有绝缘侧壁,该绝缘侧壁电隔离该导电结构与该第一半导体层;第一电极层,与该第一半导体层电连接,且与该至少一个导电结构电隔离;以及第二电极层,与该第二半导体层电连接。
  • 电容器及其制作方法
  • [发明专利]可编程部件的混合技术组合件-CN201380034878.0有效
  • 阿瑟·S·莫里斯 - 维斯普瑞公司
  • 2013-04-30 - 2018-02-09 - H01L29/00
  • 本主题涉及用于布置和控制调谐部件的可编程组合件的系统和方法,其中,在单个阵列中组合多于一种形式的切换技术。具体而言,这种阵列可包括一个或多个第一可切换部件,包括第一切换技术(例如,一个或多个固态受控器件);以及一个或多个第二可切换部件,包括与第一切换技术不同的第二切换技术(例如,一个或多个微机电电容器)。然而,一个或多个第一可切换部件以及一个或多个第二可切换部件可被配置为输送组合式可变电抗。
  • 可编程部件混合技术组合
  • [发明专利]半导体开关器件及其制造方法-CN201280024800.6有效
  • 杨智超;S.A.科恩;李保振 - 国际商业机器公司
  • 2012-05-10 - 2014-02-05 - H01L29/00
  • 一种开关器件(140或240),包括:第一电介质层(102或207),具有第一顶表面(108或218);两个导电特征(104、106或214、216),埋设在第一电介质层(102或207)中,每个导电特征(104、106或214、216)具有第二顶表面(110、112或220、222),其基本上与第一电介质层(102或207)的第一顶表面(108或218)共面;以及低扩散迁移率金属的一组离散岛(114a-c或204a-c),位于两个导电特征(104、106或214、216)之间。低扩散迁移率金属的离散岛(114a-c或204a-c)可位于第一顶表面(108)上或埋设在第一电介质层(207)中。当规定的电压施加到两个导电特征(104、106或214、216)时,开关器件(140或240)的两个导电特征(104、106或214、216)间的导电率增加。还提供一种形成该开关器件(140或240)的方法。
  • 半导体开关器件及其制造方法
  • [发明专利]具有底部源极的功率MOSFET器件及其制作方法-CN201110447542.X有效
  • 何约瑟;薛彦迅;黄平 - 万国半导体股份有限公司
  • 2011-11-29 - 2013-06-05 - H01L29/00
  • 一种具有底部源极的功率MOSFET器件及其制作方法,在晶片正面形成有相绝缘的栅极和源极。该源极上电镀有源极凸块;由塑封体包封栅极,以及源极和源极凸块与栅极之间的第一绝缘层;源极金属层形成在源极凸块暴露的表面上,构成源极与外部器件电性连接的区域;晶片背面研磨使厚度减薄。晶片背面形成有漏极金属层作为漏极。一孔槽贯穿晶片背面与栅极连通,使栅极的部分表面从孔槽中暴露形成该栅极与外部器件电性连接区域。晶片的正面朝下,则使源极位于器件底部,而漏极和从孔槽中暴露的栅极就位于器件顶部。本发明中所述漏极及栅极之间,由孔槽内的第二绝缘层以及所述栅极背面的起始层来进行绝缘保护,能有效防止击穿。
  • 具有底部功率mosfet器件及其制作方法

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