专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电压转换装置和方法-CN201980043394.X在审
  • P·奈瑟 - P·奈瑟
  • 2019-06-25 - 2021-02-23 - H01L29/68
  • 作用在第一导电材料内的移动电荷载体上的每单位质量的体积力配置为在第一材料的至少一部分内诱发电荷累积的至少一个区域。第一种材料中两个给定点之间电压的相关变化幅度是该材料相关电特性的函数。第二导电材料可以通过第一电触点电耦合到第一材料。第二材料的相关电特性可以配置为不同于第一材料的相关电特性。第一材料中两点之间的电压差可以不同于第二材料中两个等效点之间的电压差。电压差的差异可用于相对于所述电路的另一部分增加开路或闭合电路的一部分内的移动电荷载体的电压。例如,电压转换装置和方法可以用于将热能转换成电能。
  • 电压转换装置方法
  • [发明专利]一种双向可控整流阻变存储器-CN201110114281.X无效
  • 唐东升;郭杰 - 湖南师范大学
  • 2011-05-05 - 2011-10-19 - H01L29/68
  • 一种双向可控整流阻变存储器,包括金属上电极和下电极、上下电极之间的阻变材料,所述阻变材料是掺有+1价金属阳离子的阻变薄膜或纳米线薄膜,所述阻变薄膜或纳米线薄膜与金属电极形成肖特基接触;通过+1价的金属阳离子控制阻变层中产生的氧空位浓度,通过脉冲触发引起氧空位的移动以调节上下势垒的高度实现双向可控整流。本发明掺入金属阳离子所引起的氧空位数目比较大,通过操控氧空位在上下电极之间的移动可以实现双向导通-正向整流负向整流之间的可逆转换,可以用来发展新型的整流器件。同时本发明的阻变存储器也可以用来构建三稳态存储器,所构建的三稳态存储器中存在正向整流,反向整流和双向导通等三个电学存储态,可以通过读取电流的方法获取三个存储态的逻辑值,通过脉冲触发的方法实现存储态之间的相互转换。
  • 一种双向可控整流存储器
  • [实用新型]一种铜线结构的功率晶体管-CN200920314165.0有效
  • 赵振华 - 无锡罗姆半导体科技有限公司
  • 2009-11-06 - 2010-07-14 - H01L29/68
  • 本实用新型涉及了一种铜线结构的功率晶体管,属于一种电子器件,它由芯片、散热板、外引线和塑封料,特征在于芯片与外引线通过铜丝连接在一起,连接处采用铜线球焊连接。优选外引线与芯片连接的铜线为2~3根,直径为25~50μm。为提高焊接可靠性,芯片表面还可以镀4~6μm的金属化铝,外引线根部与铜线键合处局部镀有银或镍。这种功率晶体管连接稳定可靠,生产速度快,能大幅度提高生产效率。
  • 一种铜线结构功率晶体管
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200480000426.1无效
  • 吉井重雄;大塚信之;水野纮一;铃木朝实良 - 松下电器产业株式会社
  • 2004-06-04 - 2005-11-16 - H01L29/68
  • 本发明涉及半导体器件,该器件包括:一基板(101);在该基板(101)上形成的多层半导体结构;该半导体多层结构包括发射极层(102)、基极层(105)和集电极层(107),均由III-V族n型复合半导体构成并按此顺序成层;位于发射极层(102)和基极层(105)之间的量子点势垒层(103);分别同集电极层(107)、基极层(105)和发射极层(102)相连的集电极电极(110)、基极电极(111)和发射极电极(112);包括多个量子点(103c)的量子点势垒层(103);被第一、第二势垒层(103a,103d)分别从发射极层一边和基极层一边夹着的量子点(103);具有凸向基极层(105)的凸出部分的每个量子点(103c);第二势垒层(103d)中的基极层(105)一侧界面(d1),和在基极层(105)中集电极层一侧和发射极层一侧的界面(d2、d3);界面具有对应量子点(103c)的凸出部分向集电极层(107)突出的弯曲部分(d12、d22、d23)。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN96102369.4无效
  • 高桥彻雄;中村胜光;湊忠玄;原田真名 - 三菱电机株式会社
  • 1996-07-17 - 2000-05-10 - H01L29/68
  • 一个由一个P+集电区(1),一个n型缓冲区(3),一个n-区(5)和一个n+阴极区(7)组成的pin二极管。一个从n+阴极区(7)的表面开始穿过n+阴极区(7)后到达n-区(5)的沟槽(9)。沿着沟槽9的内壁形成一层绝缘膜(11)。形成一个栅电极层(13)隔着绝缘与n+阴极区(7)的侧壁相对。形成一个阴极(17)与n+阴极区(7)电连接。形成一个阳极(19)与p+集电区(1)电连接。n+阴极区(7)整个形成在互相平行伸展的沟槽(9)之间的表面上。这样,一种其栅控电路被简化、且导通特性很好的功率半导体器件即可得到。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件-CN97102374.3无效
  • 森岛慎;铃木和弘;村上进;小野濑保夫 - 株式会社日立制作所
  • 1997-01-29 - 1997-10-29 - H01L29/68
  • 半导体器件,具有包括主表面和相对表面的半导体衬底,至少一个部分暴露于衬底侧表面的p-n结,以及具有两个或更多个涂敷于所述半导体衬底侧表面的钝化膜的多层钝化结构,所述半导体衬底表面上提供的第一钝化膜和所述第一钝化膜表面上提供的第二钝化膜之间界面附近感应的界面极化电荷Qr(库/厘米2)满足1.6×10-8≥|Qr|,所述第一钝化膜的电导率σ1和所述第二钝化膜的电导率σ2满足0.05≤σ2/σ1≤10。从而避免感应出电荷密度的界面极化以限制半导体器件的漏电源的增加或变化。
  • 半导体器件

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