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[发明专利]具有衬底连接的深沟槽隔离结构-CN202310271001.9在审
发明人：周俭波;翁向扬;文南七;廖宏昌;杨忠秀 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及具有衬底连接的深沟槽隔离结构。包括深沟槽隔离结构的半导体结构和形成包括深沟槽隔离结构的半导体结构的方法。该半导体结构包括具有器件区的半导体衬底以及位于半导体衬底中的深沟槽隔离结构。深沟槽隔离结构还包括第一部分、与第一部分相邻的第二部分、以及位于第一部分和第二部分中的导体层。深沟槽隔离结构的第一部分中的导体层围绕器件区。深沟槽隔离结构的第二部分中的导体层限定到半导体衬底的电连接。
具有衬底连接深沟隔离结构

[发明专利]薄膜电阻器-CN202310222152.5在审
发明人：王川;薛振胜;Y·塞蒂亚万 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及薄膜电阻器和制造方法。一种结构包括：薄膜电阻器，其具有开口并且位于上绝缘体材料和下绝缘体材料之间；以及接触，其延伸穿过薄膜电阻器中的开口并进入下绝缘体材料。
薄膜电阻器

[发明专利]磁场传感器-CN202310226557.6在审
发明人： V·B·奈克;H·M·迪克西特;山根一阳;卓荣发 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本公开涉及传感器，更具体地涉及磁场传感器。更具体地，一种结构包括具有环绕几何形状和不连续端部的封装，并且包括低磁导率磁性材料。
磁场传感器

[发明专利]片上电流传感器-CN202310156320.5在审
发明人：卓荣发;孙永顺 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01R15/20 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及片上电流传感器及其制造方法。该片上电流传感器包括：竖直霍尔传感器；以及位于竖直霍尔传感器上方在第一布线层中的载流导体。
电流传感器

[发明专利]穿过至少两个金属层的气隙以及相关方法-CN202310052124.3在审
发明人：徐薇惠;谢君毅 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及穿过至少两个金属层的气隙以及相关方法。公开了形成包括延伸穿过至少两个金属层的气隙的半导体器件的方法，以及这样形成的半导体器件。在开口的侧壁上使用电介质衬里层，以确保均匀的宽度并且在扩大用于形成气隙的开口期间保护特定帽层。气隙包括气隙侧壁上的电介质衬里层的残余物。与仅单个金属层中的气隙或不同层中的堆叠气隙相比，该气隙减小了器件层中的晶体管栅极与用于接触晶体管的源极和漏极的相邻布线和过孔之间的电容。
穿过至少两个金属以及相关方法

[发明专利]散热结构-CN202211607439.1在审
发明人： Y·塞蒂亚万;H·莱恩维希;蔡筱丽 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及散热结构及其制造方法。该结构包括：薄膜电阻器，其位于后段制程结构内；以及散热结构，其位于薄膜电阻器下方，该散热结构包括具有开槽配置并位于后段制程结构内的顶板。
散热结构

[发明专利]使用再分布层电极之间的隔离断口的电流隔离-CN202211615884.2在审
发明人：文凤雄;易万兵;陈元文;具正谟 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开涉及使用再分布层电极之间的隔离断口的电流隔离。一种结构包括：包括水平部分的电流隔离，该水平部分包括第一绝缘体层中的第一再分布层(RDL)电极以及第一绝缘体层中的与第一RDL电极横向间隔开的第二RDL电极。隔离断口包括限定在第一RDL电极和第二RDL电极之间的第一绝缘体层中的沟槽以及位于该沟槽中的至少一个第二绝缘体层。第一绝缘体层和第二绝缘体层位于第一RDL电极和第二RDL电极之间。隔离可以使例如具有不同电压电平的电压域分隔开。还公开了一种相关方法。该隔离还可以包括竖直部分，该竖直部分使用第一RDL电极和金属层中的另一电极，该另一电极与第一RDL电极通过多个互连电介质层分隔开。
使用再分电极之间隔离断口电流

[发明专利]具有环绕式外基极的晶体管-CN202211279237.9在审
发明人：蔡新树;陈学深;V·杰恩;J·J·派卡里克;张建幸;张永富;J·R·霍尔特;刘奇志;K·J·施泰因 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及具有环绕式外基极的晶体管和制造方法。该结构包括：衬底；集电极区，其位于衬底内；发射极区，其位于衬底上方并且包括基于单晶硅的材料；内基极，其位于发射极区下方并且包括半导体材料；以及外基极，其围绕发射极并且位于内基极上方。
具有环绕基极晶体管

[发明专利]具有环绕式外基极的晶体管-CN202211279701.4在审
发明人：蔡新树;陈学深;V·杰恩;J·J·派卡里克;张建幸;张永富;J·R·霍尔特;刘奇志;K·J·施泰因 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及具有环绕式外基极的晶体管和制造方法。该结构包括：衬底；集电极区，其位于衬底内；发射极区，其位于衬底上方并且包括基于硅的材料；内基极；以及外基极，其覆盖发射极区和内基极；外基极，其覆盖发射极区和内基极；以及倒“T”形间隔物，其将发射极区与外基极分隔并且将集电极区与发射极区分隔。
具有环绕基极晶体管

[发明专利]高电压静电器件-CN202211252549.0在审
发明人： K·J·黄;R·J·小戈捷;曾杰 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及高电压静电器件。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及高电压静电放电器件的改进的导通电压及制造方法。该结构包括高电压NPN，该高电压NPN具有位于基极区处的隔离结构上的多晶硅材料，多晶硅材料延伸到双极结型晶体管BJT的集电极和发射极中的至少一者，并且多晶硅材料完全覆盖BJT的基极区。
电压静电器件

[发明专利]高电压静电放电器件-CN202210905487.2在审
发明人： K·J·黄;M·保罗;S·P·卡拉卡尔;R·J·小戈捷 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及高电压静电放电(ESD)器件及制造方法。该结构包括连接到阳极的竖直可控硅整流器(SCR)，并且包括与衬底内的第二掺杂剂类型的下伏连续层电接触的第一掺杂剂类型的掩埋层。
电压静电放电器件

[发明专利]具有多厚度缓冲介电层的横向扩散金属氧化物半导体器件-CN202210954588.9在审
发明人： N·穆;翁向扬 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有多厚度缓冲介电层的横向扩散金属氧化物半导体器件。用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构和形成用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构的方法。该结构包括：位于半导体衬底中的漂移阱；位于半导体衬底中的源极区和漏极区；位于半导体衬底上的栅极介电层；以及位于漂移阱上方的半导体衬底上的缓冲介电层。缓冲介电层包括与漏极区相邻的第一侧边缘、与栅极介电层相邻的第二侧边缘、从第二侧边缘延伸到第一侧边缘的第一分段、以及从第二侧边缘朝向第一侧边缘延伸的多个第二分段。第一分段具有第一厚度，并且第二分段具有小于第一厚度的第二厚度。栅极电极包括与缓冲介电层重叠的和与栅极介电层重叠的相应部分。
具有厚度缓冲介电层横向扩散金属氧化物半导体器件

[发明专利]用于ESD保护的双向双极型器件-CN202210723713.5在审
发明人：曾杰;R·库马尔;S·米特拉 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及用于ESD保护的双向双极型器件。一种静电放电(ESD)保护器件，包括：衬底，其包括：第一、第二和第三掺杂区，第二掺杂区设置在第一和第三掺杂区之间，第二掺杂区具有第一导电类型和第一掺杂浓度，并且第一和第三掺杂区具有第二导电类型和第二掺杂浓度；第一和第二掺杂端子区，其分别设置在第一和第二掺杂区内；掺杂岛区，其设置在第二掺杂区内，第一和第二掺杂端子区以及掺杂岛区具有第二导电类型和第三掺杂浓度，第三掺杂浓度高于第一和第二掺杂浓度；以及导电端子，其分别耦接到掺杂端子区；以及绝缘层，其布置在导电端子之间的衬底上，并且至少覆盖第二掺杂区。
用于 esd 保护双向双极型器件

[发明专利]具有改善的接通电压的静电放电（ESD）器件-CN202210435186.8在审
发明人： K·黄;R·库马尔;R·J·小戈捷 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有改善的接通电压的静电放电(ESD)器件。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及静电放电(ESD)器件及制造方法。该结构包括双极型晶体管器件，该双极型晶体管器件包括具有位于第一导电类型的第一阱中的基极接触区的基极区、具有位于第二导电类型的第二阱中的集电极接触区的集电极区，以及具有位于基极接触区和第二阱之间的第一阱中的发射极接触区的发射极区；以及第二导电类型的反型掺杂电阻阱，该反型掺杂电阻阱位于基极接触区和发射极接触区之间的第一导电类型的第一阱中并且被构造为降低双极型晶体管器件的接通电压。
具有改善接通电压静电放电 esd 器件

[发明专利]电阻式随机存取存储器器件-CN202111436085.4在审
发明人：黎佳俊;卓荣发 -专利权人： 格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及电阻式随机存取存储器器件。本公开一般地涉及结构、存储器器件及其形成方法。该结构和存储器器件可以包括第一电极、设置在第一电极上的第一除氧层、设置在第一除氧层上的电阻层、设置在电阻层上的第二除氧层以及设置在第二除氧层上的第二电极。该结构和存储器器件可以降低用于电阻层的双向切换的切换电压或切换电流。
电阻随机存取存储器器件

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