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[发明专利]具有嵌入式电池组的半导体装置及其方法-CN202310308484.5在审
发明人：斯坦凡·赖安·胡珀;查农·素旺卡萨布;沙亚通·萨克朗;小克里斯普洛·埃斯蒂拉·利茨陶;阿蒙帖·赛亚吉塔拉;多米尼克（波蒙）·科伊 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：提供一种制造封装半导体装置的方法。所述方法包括将传感器系统附连到引线框架的管芯垫部分。将电池组附连到所述引线框架，包括将所述电池组的第一端附连到所述引线框架的第一支腿，且将所述电池组的第二端附连到所述引线框架的第二支腿。包封物包封所述传感器系统、电池组和引线框架。
具有嵌入式电池组半导体装置及其方法

[发明专利]电平移位器备用单元-CN201710777355.5有效
发明人：戈喆;檀苗林;王沛东 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种配置电平移位器备用单元的方法包括：提供至少一个电源轨，所述至少一个电源轨能连接到相应的电源域，其中所述电源域具有电源电平；提供至少一个电平移位器电路的备用单元，其中所述电平移位器电路具有能连接到所述至少一个电源轨的第一端、第二端；以及将所述第一端、第二端相对于所述至少一个电源轨浮置。在此还披露了一种集成电路。
电平移位备用单元

[发明专利]触摸传感器和用于确定触摸位置的方法-CN201710149490.5有效
发明人：梅汪生;陈永刚;王奔;吴崑 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种触摸传感器，其包括：具有多个输入端的处理器；和多个串行排列的电极，其中所述多个电极包括：第一组串行排列的电极，第一组电极中的每一个与所述处理器的相应输入端相耦合；串行排列于第一组电极一端的第二组电极，第二组电极顺序地与处理器的输入端中耦合到第一组电极中奇数个电极的输入端相耦合；串行排列在第二组电极的与第一组电极相反一端的第三组电极，第三组电极顺序地与处理器的输入端中耦合到第一组电极中偶数个电极的输入端相耦合；其中，所述多个电极被布置为，除在端部的电极外，每个电极与其相邻的电极中的至少一个同时触发，并且其中当电极被触发时，该被触发的电极产生相应的感测信号。
触摸传感器用于确定位置方法

[发明专利]金属氧化物层的形成-CN201810579777.6有效
发明人：拉马·I·赫格德 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于在晶片上形成金属氧化物层的方法。在一些实施例中，所述方法包括在晶片上形成金属卤氧化物层，接着对所述晶片进行退火，所述退火从所述层移除卤素以形成金属氧化物层。半导体装置可由所述晶片形成。
金属氧化物形成

[发明专利]用于半导体装置制造的衬底处理方法-CN201810626640.1有效
发明人：拉马·I·赫格德 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供一种去除氧化物层的方法。金属层沉积在形成于锗衬底的顶表面处的氧化物层上。金属氧化物层沉积在所述金属层上。所述金属氧化物层包括与所述金属层相同的金属材料。所述金属层和所述氧化物层反应并且与所述金属氧化物层组合以在退火处理期间形成介电层。在所述退火处理期间，所述氧化物层与所述金属层反应并且被去除。
用于半导体装置制造衬底处理方法

[发明专利]具有离轴防震的MEMS装置-CN201810139900.2有效
发明人：阿龙·A·盖斯贝格尔;李丰园 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种微机电系统(MEMS)装置，例如单轴加速度计，包括悬挂在基板上的可移动质量。所述可移动质量具有第一部分和第二部分。第一弹簧系统使所述可移动质量的所述第一部分与所述可移动质量的所述第二部分互连。第二弹簧系统使所述第一部分与锚定系统互连。所述第一弹簧系统实现所述可移动质量的所述第二部分响应于强加到所述可移动质量上的震动事件力而在与感测方向正交的第一方向上的移动，其中所述第一弹簧系统抑制所述可移动质量的所述第一部分响应于所述震动事件力而在所述第一方向上的移动。然而，所述第一和第二可移动质量响应于加速力而在所述感测方向上一起移动。
具有防震 mems 装置

[发明专利]自适应线性驱动器-CN202310417738.7在审
发明人：赛马克·德尔沙特伯;严鹏 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：各种实施例涉及一种自适应线性驱动器，包括：连续时间线性均衡器(CTLE)；可编程传输驱动器，所述可编程传输驱动器与所述CTLE的输出耦合，其中所述传输驱动器包括第一控制端口，所述第一控制端口被配置成接收被配置成调整所述可编程传输驱动器的输出电平的第一控制信号；输出比较器，所述输出比较器耦合到所述可编程传输驱动器的输出，其中所述输出比较器被配置成将所述可编程传输驱动器的所述输出与参考信号进行比较并产生第一比较信号；以及控制器，所述控制器耦合到所述输出比较器和所述第一控制端口，其中所述控制器基于所述第一比较信号产生第一控制信号。
自适应线性驱动器

[发明专利]对含辅助件的DC-DC转换器的控制-CN202310339987.9在审
发明人：纳米尔·艾哈迈德·汗;奥利维耶·特雷斯卡泽斯;约翰·皮戈特;亨德里克·约翰内斯·伯格维德;赫拉德·比拉尔皮克;阿拉·艾尔丁·Y·埃尔谢里夫 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：公开一种控制器和电力转换器，所述电力转换器具有连接在第一输入电压与接地之间并具有主输出的主降压转换器、连接在第二端与接地之间并具有连接到所述主输出的辅助输出的双向辅助转换器、输出电容器和连接在所述第二端与所述接地之间以用于在所述第二端处提供第二端电压的辅助电容器；所述控制器包括：被配置成在第一频率操作所述主转换器的第一控制电路；以及被配置成在较高频率操作所述辅助转换器的第二控制电路；所述第一控制电路另外被配置成依据所述第二端电压操作所述主转换器；并且所述第二控制电路另外被配置成操作所述辅助转换器以控制主输出端处的电压。
辅助 dc 转换器控制

[发明专利]对含辅助件的DC-DC转换器的控制-CN202310342624.0在审
发明人：纳米尔·艾哈迈德·汗;奥利维耶·特雷斯卡泽斯;约翰·皮戈特;亨德里克·约翰内斯·伯格维德;赫拉德·比拉尔皮克;阿拉·艾尔丁·Y·埃尔谢里夫 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H02J1/10 文献下载
摘要：公开一种方法、电力转换器和控制器以用于控制电力转换器，所述电力转换器具有连接在第一输入电压与接地之间并在输出端处具有主输出的主转换器、连接在第二输入电压与所述接地之间并具有辅助输出的辅助转换器、连接在主输出端与接地之间的输出电容器，和连接在所述辅助输出与所述主输出端之间的辅助电容器，以及控制器；所述方法包括：在第一频率操作所述主转换器，在第二频率操作所述辅助转换器，控制所述主转换器以控制所述辅助输出处的电压，以及控制所述辅助转换器以控制所述主输出处的电压。
辅助 dc 转换器控制

[发明专利]电力管理电路-CN202310375804.9在审
发明人：特雷弗·马克·纽林 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一个例子公开一种电力管理电路，所述电力管理电路包括：电压参考电路，其包括耦合到第一微调电路并由所述第一微调电路配置的带隙电路；欠压锁定(UVLO)电路，其耦合到第二微调电路并由所述第二微调电路配置；其中所述第一微调电路和所述第二微调电路被配置成接收单个微调控制设置。
电力管理电路

[发明专利]具有再辐射器的RF加热设备-CN202010159871.3有效
发明人：格列高利·J·杜尔南 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： F24C7/02 文献下载
摘要：一种热增加系统可以包括再辐射器，所述再辐射器位于用于容纳负载的腔中。微波能量可以由一个或多个微波生成模块生成，并且在所述热增加系统操作期间朝所述腔引导，从而在所述腔中产生电磁场。系统控制器可以控制耦接在所述再辐射器与对应接地节点之间的开关，以选择性地激活和去激活所述再辐射器。所述系统控制器可以控制耦接在一对再辐射器之间的开关，以重新分布所述腔中的所述电磁场。移相器可以位于一对再辐射器之间，这可以为在所述再辐射器之间传递的能量提供相移。所述移相器可以是可变移相器，所述可变移相器根据从所述系统控制器接收的命令对所述能量施加可变相移。
具有辐射器 rf 加热设备

[发明专利]RF装置的阻抗匹配电路及其方法-CN201910326983.0有效
发明人：瑞卡都·优斯库拉;米歇尔·林恩·米耶拉;赛·苏尼尔·曼加卡;伊特什·沃什洼尼 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了形成于RF装置的阻抗匹配电路。所述阻抗匹配电路包括：焊盘结构。所述结构包括形成于基板上方的第一导电层。在所述第一导电层的第一部分上方形成有第二导电层，并且所述第二导电层的第一部分形成第一电容器电极。在所述第一导电层和所述第二导电层上方形成有第三导电层，并且所述第三导电层的第一部分形成第二电容器电极。所述第三导电层的第二部分形成引线键合区域。在所述第一电容器电极与所述第二电容器电极之间布置有介电材料以形成第一电容器。
rf 装置阻抗匹配电路及其方法

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN201811112069.8有效
发明人： B·格罗特;S·R·梅霍特拉;L·拉蒂克;V·坎姆卡;M·E·吉普森 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及场效应晶体管及其方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽。在所述沟槽中形成栅电极，其中所述栅电极的第一边缘接近所述沟槽的第一侧壁。在所述沟槽中形成第一场板，其中所述第一场板位于所述栅电极的第二边缘与所述沟槽的第二侧壁之间。在所述沟槽中形成介电材料，其中所述介电材料具有介于所述第一侧壁与所述第一场板的第一边缘之间的第一厚度，以及介于所述第二侧壁与所述第一场板的第二边缘之间的第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN201811120582.1有效
发明人： S·R·梅霍特拉;L·拉蒂克;B·格罗特 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及场效应晶体管及其方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽，所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁。在所述沟槽中形成竖直场板，并且所述竖直场板位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间。在所述沟槽中形成栅电极，其中所述栅电极的第一边缘接近所述第一侧壁，并且所述栅电极的第二边缘接近所述竖直场板。在所述沟槽中形成第一介电材料，所述第一介电材料介于所述第一侧壁与所述竖直场板之间。在所述沟槽中形成第二介电材料，所述第二介电材料介于所述竖直场板与所述第二侧壁之间，其中所述第二介电材料的介电常数低于所述第一介电材料的介电常数。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]用于功率晶体管的偏压控制电路-CN202310139216.5在审
发明人： E·A·玛卢浮;马旭 -专利权人： 恩智浦美国有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本公开涉及用于功率晶体管的偏压控制电路。一种系统包括：参考场效应晶体管(FET)，其中所述参考FET为耗尽型晶体管；以及偏压控制电路。所述偏压控制电路包括连接到所述参考FET的漏极端的电压传感器。所述电压传感器被配置成测量所述参考FET的所述漏极端处的电压作为测得电压，确定参考电压与所述测得电压之间的电压差，并且在电压传感器输出端处输出所述电压差。所述系统包括连接所述电压传感器输出端的转换电路。所述转换电路被配置成将所述电压差变换成负栅极偏压电压，并且将所述负栅极偏压电压施加到所述参考FET的栅极端。
用于功率晶体管偏压控制电路

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