“V·杰恩”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]自适应设备注册-CN201880056539.5有效
发明人： N·布鲁耶特;H·帕特尔;U·奈克;V·杰恩;S·拉弗里;A·杰恩;N·谢蒂 -专利权人：威睿公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本文描述的示例包括用于动态确定注册要求并将用户设备注册到管理系统的系统和方法。基于在用户设备上执行的操作系统的类型和版本，系统和方法可能有所不同。对于某些操作系统，可以通过执行其他功能的单个应用程序完成注册，例如提供对企业资源的单点登录访问。对于其他操作系统，可以通过暂停第一应用程序并要求安装代理应用程序以完成注册来完成注册。可以自动完成关于如何以及何时注册用户设备的确定，并且该确定可以基于用户所属的组织组。
自适应设备注册

[发明专利]具有环绕式外基极的晶体管-CN202211279237.9在审
发明人：蔡新树;陈学深;V·杰恩;J·J·派卡里克;张建幸;张永富;J·R·霍尔特;刘奇志;K·J·施泰因 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及具有环绕式外基极的晶体管和制造方法。该结构包括：衬底；集电极区，其位于衬底内；发射极区，其位于衬底上方并且包括基于单晶硅的材料；内基极，其位于发射极区下方并且包括半导体材料；以及外基极，其围绕发射极并且位于内基极上方。
具有环绕基极晶体管

[发明专利]具有环绕式外基极的晶体管-CN202211279701.4在审
发明人：蔡新树;陈学深;V·杰恩;J·J·派卡里克;张建幸;张永富;J·R·霍尔特;刘奇志;K·J·施泰因 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及具有环绕式外基极的晶体管和制造方法。该结构包括：衬底；集电极区，其位于衬底内；发射极区，其位于衬底上方并且包括基于硅的材料；内基极；以及外基极，其覆盖发射极区和内基极；外基极，其覆盖发射极区和内基极；以及倒“T”形间隔物，其将发射极区与外基极分隔并且将集电极区与发射极区分隔。
具有环绕基极晶体管

[发明专利]具有到掺杂半导体阱的发射极/集电极接触的双极型晶体管结构和相关方法-CN202211159566.X在审
发明人：余鸿;V·杰恩 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种具有到掺杂半导体阱的发射极/集电极(E/C)接触的横向双极型晶体管结构和相关方法。根据本公开的双极型晶体管结构可以包括位于半导体衬底上方的掺杂半导体阱。绝缘区位于掺杂半导体阱上。基极层位于绝缘区上，以及发射极/集电极(E/C)层位于绝缘区上并且与基极层的第一侧壁相邻。到掺杂半导体阱的E/C接触包括与绝缘区相邻的下部和与E/C层相邻并电耦合的上部。
具有掺杂半导体发射极集电极接触双极型晶体管结构相关方法

[发明专利]具有一个或多个升高的端子的二极管结构-CN202210993014.2在审
发明人： V·杰恩;J·R·霍尔特 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有一个或多个升高的端子的二极管结构。用于二极管的结构和制造用于二极管的结构的方法。该结构包括由半导体材料构成的层。该层包括第一分段、第二分段和横向定位在第一分段和第二分段之间的第三分段。该结构包括：第一端子，其具有位于该层的第一分段上的第一升高的半导体层；第二端子，其包括位于该层的第二分段上的一部分；以及栅极，其位于该层的第三分段上。
具有一个升高端子二极管结构

[发明专利]横向双极型晶体管-CN202210997998.1在审
发明人：王海艇;A·德里克森;J·辛格;V·杰恩;A·克诺尔;A·马丁;J·R·霍尔特;Z·胡 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及一种横向双极型晶体管和制造方法。一种结构包括：内基极，其包括位于半导体衬底的沟道区中的半导体材料；外基极，其竖直位于内基极上方；升高的集电极区，其位于半导体衬底上并横向连接到内基极；以及升高的发射极区，其位于半导体衬底上并横向连接到内基极。
横向双极型晶体管

[发明专利]具有栅控集电极的横向双极型晶体管-CN202210915316.8在审
发明人： A·德里克森;V·杰恩;J·R·霍尔特;J·辛格;杨满圭 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有栅控集电极的横向双极型晶体管和制造方法。该结构包括：外基极区，其竖直地位于半导体衬底上方，并且包括位于外基极区的相反侧壁上的非对称侧壁间隔物；集电极区，其位于半导体衬底上，并通过非对称侧壁间隔物中的至少第一间隔物与外基极区分隔开；以及发射极区，其位于半导体衬底上，并通过非对称侧壁间隔物中的第二间隔物与所述外基极区分隔开。
具有集电极横向双极型晶体管

[发明专利]从PCI快件端点取回诊断信息-CN202180035896.5在审
发明人： V·杰恩;T·C·梅普斯;J·K·罗丝 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本公开与用于促进从发生故障状态的计算端点高效取回诊断信息的系统、方法和计算机可读介质有关。例如，本文描述的系统可以检测或以其他方式标识与在错误或不可预测事件中操作的计算端点相关联的故障状态。本文描述的系统可以涉及在计算端点上划分主机系统(例如CPU)可以访问的存储器的部分。本文所述的系统可以进一步提供可发现的资源，该可发现的资源响应于以高效的方式标识故障状态使主机系统能够标识和收集诊断数据，而无需计算端点能够响应数据请求。
pci 快件端点取回诊断信息

[发明专利]包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件-CN202210137384.6在审
发明人： V·杰恩;S·M·尚克;安东尼·肯德尔·斯坦普;J·J·埃利斯-莫纳甘;J·J·派卡里克;卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本公开涉及一种包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件。“芯片实验室”包括光流控传感器和用于分析来自光流控传感器的信号的部件。光流控传感器包括：衬底；沟道，其至少部分地由衬底上的第一材料层的一部分限定；与沟道流体连通的输入和输出流体储器；耦合到衬底的至少第一辐射源，其适于在朝向沟道的方向上生成辐射；以及与沟道相邻并位于其下方的至少一个光电二极管。
包括具有集成光电二极管光流控传感器器件

[发明专利]用于具有与FET栅极对准的外基极的双极型晶体管的集成电路结构和方法-CN202210122456.X在审
发明人：乌兹玛·拉娜;V·杰恩;安东尼·肯德尔·斯坦普;刘奇志;S·P·阿杜苏米利 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于具有与FET栅极对准的外基极的双极型晶体管的集成电路结构和方法。本公开的方面提供了一种在衬底内具有双极型晶体管堆叠的集成电路(IC)结构。双极型晶体管堆叠可以包括：集电极、位于集电极上的基极、以及位于基极的第一部分上的发射极。发射极的水平宽度小于基极的水平宽度，并且发射极的上表面与衬底的上表面基本共面。外基极结构位于双极型晶体管堆叠的基极的第二部分上并与发射极水平相邻。外基极结构包括位于衬底的上表面上方的上表面。
用于具有 fet 栅极对准基极双极型晶体管集成电路结构方法

[发明专利]非平面硅化半导体电熔丝-CN202111374294.0在审
发明人： E·G·盖布里斯莱希;V·杰恩;Y·T·尼古;J·A·坎塔罗夫斯基;A·F·卢瓦索 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及非平面硅化半导体电熔丝。一种电熔丝包括熔丝链，熔丝链包括位于覆盖栅极导体的电介质层上方的硅化半导体层。硅化半导体层是非平面的并且在栅极导体上方正交延伸。第一端子电耦接到熔丝链的第一端，第二端子电耦接到熔丝链的第二端。熔丝链可以与双极型晶体管的内基极和/或外基极形成在同一层。栅极导体可以控制电流源以对电熔丝进行编程。与常规电熔丝相比，该电熔丝减小了占位面积和所需的编程能量。
平面半导体电熔丝

[发明专利]用认证膜认证集成电路的方法及相关结构-CN202111367821.5在审
发明人： V·杰恩;S·K·辛格;J·A·康塔洛夫斯基;S·P·阿杜苏米利;S·T·文特罗内;J·J·埃利斯-莫纳甘;Y·T·尼古 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及用认证膜认证集成电路的方法及相关结构。本公开提供了一种认证集成电路IC结构的方法。该方法可以包括在IC结构内形成第一认证膜AF材料。第一AF材料的组成不同于IC结构内的相邻材料。该方法包括将第一AF材料转化为IC结构内的空隙。此外，该方法包括创建IC结构的认证布局以包括用于认证IC结构的IC结构中空隙的位置。
认证集成电路方法相关结构

[发明专利]包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件-CN202110966192.1在审
发明人： S·M·尚克;V·杰恩;A·斯塔珀;J·佩卡里克;J·埃利斯-莫纳甘;R·哈兹布恩 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本公开涉及一种包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件。本文公开的一个示例性器件包括：半导体衬底；沟道，其至少部分地由半导体衬底的至少一部分来限定；输入流体储器和输出流体储器，其中沟道与输入流体储器和输出流体储器流体连通。在该示例中，器件还包括：第一辐射源，其可操作地耦合到衬底，其中第一辐射源适于在朝向沟道的方向上生成辐射；以及至少一个光电二极管，其被定位成与沟道邻近。
包括具有集成光电二极管光流控传感器器件

[发明专利]主动式X射线攻击预防装置-CN202110494954.2在审
发明人： V·杰恩;S·T·文特罗内;S·P·埃杜苏米利;J·J·埃利斯-莫纳甘;A·拉曼 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及主动式X射线攻击预防装置。本公开涉及一种用于保护集成电路的主动式x射线攻击预防装置的金属层。具体地，本公开涉及一种结构，该结构包括：半导体材料；位于半导体材料正面上的一个或多个器件；位于一个或多个器件下方的背面图案化金属层，其被定位和构造以保护一个或多个器件免受主动入侵；以及至少一个接触，其提供穿过半导体材料到背面图案化金属层的正面的电连接。背面图案化金属层位于半导体材料和绝缘体层中的一者与晶片之间。
主动射线攻击预防装置

[发明专利]用于多租户身份和数据安全管理云服务的租户自助服务故障排除-CN201780047219.9有效
发明人： V·杰恩;A·古普塔;G·P·科尔;V·兰德 -专利权人：甲骨文国际公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：一种系统提供基于云的身份和访问管理。所述系统向身份管理服务的租户提供用户界面(“UI”)。所述系统基于经由所述UI接收到的用户输入启用租户的诊断功能，其中所述诊断功能允许所述租户中的用户配置和接收与所述身份管理服务相关的诊断报告。然后，所述系统接收对所述身份管理服务的请求，基于所述请求来访问微服务，由所述微服务执行所述身份管理服务，在执行所述身份管理服务期间收集和记录诊断信息，并经由所述UI向所述用户显示所述诊断信息。
用于租户身份数据安全管理服务自助故障排除

1
2
下一页»
尾页
共 22 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top