专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]开关稳压器的电磁干扰缓解-CN202280017489.6在审
  • R·S·艾斯阿德;A·W·佩雷拉;张刚强;K·A·王 - 德州仪器公司
  • 2022-03-18 - 2023-10-27 - H03K17/082
  • 在一种开关稳压器驱动器(400)中,感测电路(402)具有晶体管电流输入和感测电路输出。逻辑电路(404)具有逻辑电路输入以及第一输出和第二输出。逻辑电路输入耦合到感测电路输出。计数器(406)具有计数器时钟输入、计数器控制输入和计数器输出。计数器时钟输入耦合到第一输出。计数器控制输入耦合到第二输出。计数器(406)被配置为在计数器输出处提供计数值。可编程驱动强度电路(408)具有驱动强度电路输入和晶体管控制输出。驱动强度电路输入耦合到计数器输出。可编程驱动强度电路(408)被配置为基于计数值调整晶体管控制输出处的驱动电流。
  • 开关稳压器电磁干扰缓解
  • [发明专利]用于宽的低电压供应范围的电平移位器-CN201880032684.X有效
  • 克里斯托弗·M·格拉韦斯 - 德州仪器公司
  • 2018-06-28 - 2023-10-27 - H03K19/088
  • 一种电平移位器(400)经耦合以接收第一和第二输入控制信号(S1、S2)且提供输出控制信号(S3T)。所述电平移位器(400)包含具有第一和第二PMOS晶体管(MPL15、MPL16)以及第一和第二NMOS晶体管(MNL15、MNL16)的电平移位电路(402)。第三NMOS晶体管(MNL17)耦合于上轨(VCCB)与所述第一PMOS晶体管(MPL15)的漏极之间,且所述第三NMOS晶体管(MNL17)的栅极由所述第一输入控制信号(S1)控制。第四NMOS晶体管(MNL18)耦合于所述上轨(VCCB)与所述第二PMOS晶体管(MPL16)的漏极之间,且所述第四NMOS晶体管(MNL18)的栅极由所述第二输入控制信号(S2)控制。
  • 用于电压供应范围电平移位
  • [发明专利]带电容补偿的电流感测-CN202280017469.9在审
  • 郭松;绍拉夫·班迪奥帕迪亚雅 - 德州仪器公司
  • 2022-03-21 - 2023-10-20 - H02M1/00
  • 一种电流感测电路(300)包括感测放大器(306)、电流镜电路(308)、电阻器(316)、低通滤波器(322)和电容器(318)。感测放大器(306)被适配为耦合到DC‑DC转换器的开关晶体管(204)。电流镜电路(308)耦合到感测放大器(306),并被配置为生成与流经开关晶体管(204)的电流成比例的感测电流。电阻器(316)耦合到电流镜电路(308),并被配置为基于感测电流而生成感测电压。低通滤波器(322)耦合到电阻器(316),并被配置为在平均间隔内对感测电压进行平均。电容器(318)耦合到电阻器(316),并被配置为在平均间隔之前的消隐间隔中存储感测电压,并且在平均间隔中提供补偿电流。
  • 电容补偿流感
  • [发明专利]从块装置引导的方法及设备-CN202310390125.9在审
  • S·伐文达拉扬;M·N·莫迪;P·S·叶亚迪阿纳南塔;S·戈特加尔卡;K·漆尼什 - 德州仪器公司
  • 2023-04-12 - 2023-10-20 - G06F13/34
  • 本公开的实施例涉及从块装置引导的方法及设备。一种实例设备包含:第一接口(126),其经配置以耦合到处理器核心(112);第二接口(120),其经配置以耦合到经配置以存储包含一组切片(102A到102F)的映像的第一存储器(102);第三接口(122),其耦合到所述第一接口(126),所述第三接口(122)经配置以耦合到第二存储器(106);直接存储器存取电路(128),其耦合到所述第二接口(120)及所述第三接口(122)且经配置以:从所述第二接口(120)接收事务,其中所述事务指定对所述一组切片(102A到102F)中的切片的读取;及基于所述事务:从所述第一存储器(102)读取所述切片;对所述切片执行实时操作;及将所述切片存储在所述第二存储器(106)中。
  • 装置引导方法设备
  • [发明专利]高线性度相位内插器-CN201780068625.3有效
  • B·哈龙;周文婷;K·Y·塔姆;R·霍什亚;A·基埃 - 德州仪器公司
  • 2017-11-08 - 2023-10-20 - H03D3/00
  • 在高线性度相位内插器PI(107)的所描述实例中,控制逻辑可提供指示输出信号与输入时钟信号边沿之间的期望相位差的相位值参数(α)。可在第一时间段内运用与所述相位值参数成正比的第一电流(401)为第一电容器(C1)充电,以在所述电容器上产生与所述相位值参数成正比的第一电压。可在第二时间段内运用具有恒定值的第二电流(402)进一步为所述第一电容器(C1)充电,以形成被偏移了所述第一电压的电压斜坡。可在所述第二时间段期间比较(110)参考电压(Vref)与所述电压斜坡(PIout)。可在所述电压斜坡等于所述参考电压时断言所述输出信号(120)。
  • 线性相位内插
  • [发明专利]文件存取方法及其系统-CN201910556434.2有效
  • 马丹·斯里尼瓦斯;维拉马尼坎达恩·拉朱;凯沙瓦·穆内高达 - 德州仪器公司
  • 2014-11-06 - 2023-10-20 - G06F16/13
  • 本发明涉及一种文件存取方法及其系统。在一个实施例中,一种方法,其包括将文件写入具有包括文件分配表FAT的文件系统的存储装置。写入该文件包括分配该文件系统的多个群集至该文件,其中经分配的该群集的至少一部分相连。该FAT包括对应于经分配的该群集的多个群集地址。签名值存储在对应于该相连群集的第一群集的群集地址中以指示该相连群集的存在。在对应于该第一群集的该群集地址之后的一组相连群集中的每一者中,部分地表示该相连群集的数目的值被存储。该相连群集的数目由组合存储在该组相连群集中的每一者中的该值而确定。
  • 文件存取方法及其系统
  • [发明专利]P沟道DEMOS装置-CN201710266873.0有效
  • 蔡金宇;伊姆兰·汗;吴小菊 - 德州仪器公司
  • 2017-04-21 - 2023-10-20 - H01L21/77
  • 本发明提供一种p沟道漏极延伸金属氧化物半导体DEPMOS装置(100),其包含经掺杂表面层(115)、在所述经掺杂表面层内界定n阱长度及宽度方向的至少一个n阱指形件(1201)。第一p阱(125a)位于所述n阱指形件的一侧上、包含p+源极(126),且第二p阱(125b)位于所述n阱指形件的相对侧上、包含p+漏极(136)。栅极堆叠界定所述n阱指形件的在所述源极(126)与漏极(136)之间的沟道区域(120a)。场电介质层(111)位于所述经掺杂表面层的一部分上,所述部分界定有源区边界、包含第一有源区(140),所述第一有源区(140)具有包含沿着所述宽度方向的第一有源区边界(WD边界)(140a1)的第一有源区边界(140a)。所述n阱指形件包含位于所述WD边界(140a1)的一部分上方的掺杂降低指形件边缘区域(160)。
  • 沟道demos装置
  • [发明专利]片上系统防火墙存储器架构-CN201980029917.5有效
  • A·S·慕卓;C·胡 - 德州仪器公司
  • 2019-05-23 - 2023-10-20 - G06F12/14
  • 在所描述的实例中,一种片上系统SoC(100)和用于在所述SoC(100)中发送消息的方法包含:使用指向存储在单个、连续存储器中的发起方防火墙块(106)及接收方防火墙块(108)存储器的相应指针来确定所述防火墙块(108)存储器的位置。所述单个存储器内的所述指针的地址取决于所述防火墙块(106、108)的相应唯一防火墙标识符。专用安全配置控制器(116)使用所述指针来通过与系统总线(104)电隔离的安全总线(114)配置所述防火墙块(106、108)。所述系统总线(104)用于从发送功能块(102)向接收功能块(102)发送消息。所述发起方防火墙块(106)将消息标识符添加到消息。所述消息标识符取决于所述发起方防火墙块(106)的配置设置。所述接收方防火墙块(108)取决于所述消息标识符和所述接收方防火墙块(108)的配置设置控制所述接收功能块(102)存取所述消息的权限。
  • 系统防火墙存储器架构
  • [发明专利]用于信号颤振减轻的电路及系统-CN202310293031.X在审
  • 李庆闵;萨迪什·库马尔·韦穆里;刘志东;M·J·弗兰克;K·A·麦卡锡 - 德州仪器公司
  • 2023-03-23 - 2023-10-17 - H03K19/003
  • 本申请案涉及用于信号颤振减轻的电路及系统。在一些实例中,电路(500)包含具有第一端子及第二端子的电容器(502),所述第一端子耦合到所述电路的电压供应端子(118)。所述电路还包含具有晶体管栅极、晶体管漏极及晶体管源极的晶体管(510),所述晶体管源极耦合到接地且所述晶体管漏极耦合到所述电路的输入端子(110)。所述晶体管经配置以响应于在所述晶体管栅极处接收的栅极信号而导通,所述栅极信号基于在所述电容器的所述第二端子处提供的信号。所述电路还包含施密特触发器(302),所述施密特触发器具有耦合到所述晶体管漏极的施密特触发器输入。
  • 用于信号减轻电路系统
  • [发明专利]多匝分布式有源变压器功率组合器-CN202310293765.8在审
  • 托尔加·丁奇;斯瓦米纳坦·桑卡兰 - 德州仪器公司
  • 2023-03-23 - 2023-10-17 - H01F27/28
  • 一种设备包含第一初级线圈(120)、第二初级线圈(130)及次级线圈(140)。第一初级线圈(120)及第二初级线圈(130)各自包含第一部分、第二部分及第三部分。次级线圈(140)包含第一晶片层(160)中的第一部分(140A)及第二部分(140B),第一部分(140A)与第二部分(140B)通过第二晶片层(170)中的桥接器(145)耦合在一起。第一初级线圈(120)的第二部分(120B)嵌套在第一晶片层(160)中次级线圈(140)的第一部分(140A)内侧。第二初级线圈(130)的第二部分(130B)嵌套在第一晶片层(160)中次级线圈(140)的第二部分(140B)内侧。第一初级线圈(120)的第一部分(120A)及第三部分(120C)的至少部分邻近次级线圈(140)的第二部分(140B),并且第二初级线圈(130)的第一部分(130A)及第三部分(130C)的至少部分邻近次级线圈(140)的第一部分(140A)。
  • 分布式有源变压器功率组合

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