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[发明专利]一种压力传感器及其制备方法-CN202310459845.6在审
发明人：段文哲;李杨;王霄;陈治伟;敖金平 -专利权人：江南大学
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种压力传感器及其制备方法，属于半导体技术与制造领域。本发明的压力传感器，由下往上依次包括：硅衬底、缓冲层、GaN层和AlGaN层，AlGaN层上有栅极、源极和漏极；硅衬底包括：基底，基底上从左往右依次设置第一支撑体、第二支撑体和第三支撑体；第二支撑体和第三支撑体的上表面与缓冲层下表面贴合，第二支撑体和第三支撑体之间形成空腔；第一支撑体的高度小于第二支撑体，与缓冲层之间有间隙。本发明通过受压时漏极内部电流传感通道的电阻发生增加，从而导致电流下降，进而实现压力传感，仿真结果证明，本发明的压力传感器不仅具备较高的灵敏度，且同时获得了更大的量程。
一种压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种GaN基CMOS器件及其制备方法-CN202010476435.9有效
发明人： 敖金平;蒲涛飞;李柳岸;李小波 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN基CMOS器件，所述器件包括衬底和衬底上的依次设置的缓冲层、外延层和栅介质层，在所述栅介质层上设有NMOS栅电极、NMOS欧姆电极、PMOS欧姆电极和PMOS栅电极，所述外延层包括依次设置的GaN层、AlGaN层、p‑‑GaN层和p+‑GaN层。该器件以常规的常关型P‑GaN/AlGaN/GaN结构为基础，针对该结构中空穴迁移率低的问题引入P‑‑GaN层，提高了PMOS区中空穴的迁移率；同时采用SiN作为栅介质层，在形成P沟道和N沟道MOS结构的同时，提高NMOS晶体管的阈值电压及耐压性。本发明还提供了该GaN基CMOS器件的制备方法，在制备P‑‑GaN层时采用低损伤干法刻蚀技术，有利于PMOS晶体管阈值电压负移。
一种 gan cmos 器件及其制备方法

[发明专利]一种自主调节带宽的微带八木整流天线及应用-CN202310459846.0在审
发明人：邵波;李杨;姚俊超;李秋璇;黄韧频;王霄;陈治伟;敖金平 -专利权人：江南大学
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01Q19/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种自主调节带宽的微带八木整流天线及应用，属于物联网传感器领域。本发明能够应用于物联网传感器，包括微带八木天线和整流器，所述微带八木天线包括第一基板、有源振子、反射器、引向天线，所述整流器包括微带线和阻抗变化器。本发明实现了自主供电，节约电能；同时利用电阻分压电路和MOS管的组合，同时直流电压利用电阻分压电路分压和MOS管的组合作用控制引向天线的开闭，构成多种开闭组合，以调节不同的带宽大小，解决了传统传感器需要有源供电、通信带宽窄不可调节的问题。
一种自主调节带宽微带整流天线应用

[发明专利]一种智慧照明的子像素排列方式-CN202110247524.0有效
发明人：王广洲;田志怀;张江鹏;孟立智;唐兰香;皮义群;敖金平 -专利权人：同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2021-03-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06V20/00 文献下载
摘要：本发明涉及智慧照明技术领域，具体为一种智慧照明的子像素排列方式，包括图像识别装置识别照射的景物，并存储正常静止事物的常态画面，若有车辆和行人经过，图像识别装置发现有类似人形的事物，图像识别装置处理图像中变化的像素点，并控制照射灯内部的照射区域的亮度，将照射区域分成多块区域，分别标记为A1至An，先将类似人形的事物区域内的图像亮度进行调低，将该区域内的图像进行压缩，之后将区域内类似脸型的光亮调低；其便于判断照射事物，便于调整部分区域光照的强度。
一种智慧照明像素排列方式

[发明专利]一种多沟道GaN压力传感器件及其制备方法-CN202310147195.1在审
发明人： 敖金平;王利强;繆璟润;王霄;李杨;陈治伟;白利华;朱霞 -专利权人：江南大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N30/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种多沟道GaN压力传感器件及其制备方法，包括由下至上依次设置的衬底、沟道结构层、设置于沟道结构层上的栅极以及位于沟道结构层两侧的源极和漏极；其中，沟道结构层由多层堆叠的GaN层和AlGaN势垒层构成，GaN层位于AlGaN势垒层下方。本发明通过多次进行AlGaN/GaN材料的堆叠构成多沟道压力传感器在微纳尺度方面，可以较大的提高相关性能参数，灵敏度高、可靠性强、检测限低。
一种沟道 gan 压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种GaN基CMOS器件及其制备方法-CN202310263055.0在审
发明人： 敖金平;朱霞;左敏;王霄;李杨;陈治伟;白利华 -专利权人：江南大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基CMOS器件及其制备方法，包括衬底；缓冲层，缓冲层的下表面与所述衬底接触；外延层，由位于所述缓冲层上表面的PMOS区和NMOS区构成；以及，电极，包括在所述NMOS区设置的NMOS肖特基栅电极、NMOS欧姆电极以及在所述PMOS区设置的PMOS欧姆电极和PMOS肖特基栅电极；其中，所述NMOS肖特基栅电极和所述PMOS肖特基栅电极均为鳍状结构。本发明的GaN基CMOS器件，载流子迁移率大大提升，栅控能力更强，栅泄漏较小，具有更广的实用范围。
一种 gan cmos 器件及其制备方法

[发明专利]一种新型Vivaldi天线-CN202310172708.4在审
发明人：黄韧频;李杨;邵波;姚俊超;敖金平;陈治伟;王霄 -专利权人：江南大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型Vivaldi天线，属于天线技术领域。本发明通过基板渐变槽结构并加载3DGP，解决了二维结构天线增益低，方向性差的问题，相比于传统的Vivaldi天线，增益提高了1.28dB，相对于现有增益提升技术，本发明通过切割介质基板和设置引向器，无需涉及复杂的制备工艺流程，且不用额外增加体积较大的元器件，不会增加Vivaldi天线的尺寸，因此本发明在不增加天线尺寸、降低制备复杂度的同时，可以有效地提升增益，可以广泛地应用于小型家电的应用场景中。
一种新型 vivaldi 天线

[发明专利]一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法-CN202211722619.4在审
发明人：王霄;陈小钰;王佳玮;敖金平;李杨;陈治伟;白利华;王利强 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括自下而上依次叠层的阴极、n+‑Ga2O3外延层、n‑‑Ga2O3外延层和阳极；其中，所述n+‑Ga2O3外延层与所述阴极之间构成欧姆接触，所述阴极为钛和金的叠层；所述n‑‑Ga2O3外延层与所述阳极之间形成肖特基接触，所述阳极为具有低功函数的材料和金的叠层。本发明降低了器件结构的复杂性的同时降低了正向导通电压，从而提高了二极管器件性能，实现正向导通电压小，有利于应用在微波功率整流方面。
一种向导通电氧化镓肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法-CN202210951099.8在审
发明人：王霄;赵梓辰;敖金平;李杨;陈治伟;杨毅喆;张志达 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，氮化镓肖特基势垒二极管，由衬底、缓冲层、n+GaN外延层、n‑GaN外延层、欧姆电极、肖特基电极和导电层组成；其中，所述衬底、所述缓冲层、所述n+GaN外延层和所述n‑GaN外延层自下而上依次接触；所述欧姆电极与所述n+GaN外延层的上表面构成欧姆接触；所述肖特基电极与所述n‑GaN外延层的上表面构成肖特基接触；所述欧姆电极和所述肖特基电极的上表面覆盖导电层。本发明采用等离子体氮化形成的氮化镍作为肖特基电极，具有更高的稳定性和更低的反向泄漏电流。
一种氮化肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]一种改善SiC器件界面特征的方法-CN202110223085.X有效
发明人：白欣娇;李帅;崔素杭;张策;李晓波;张乾;敖金平 -专利权人：同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善SiC器件界面特征的方法，包括以下步骤：S1、对SiC器件表面进行光刻胶的涂覆；S2、对SiC器件进行加热；S3、对SiC器件进行高温退火；S4、清洗SiC器件表面；S5、对SiC器件表面进行氧化；S6、对SiC器件表面进行退火；S7、对SiC器件表面进行二次氧化；S8、紫外线照射；S9、清理表面；S10、性能测试；本发明在使用时，通过对SiC器件表面涂覆光刻胶，并使其表面碳化形成碳化膜对SiC器件表面粗糙度进行改善，并在对SiC器件进行氧化处理后，通过湿氧二次氧化法对SiC器件进行二次氧化处理，减小SiC器件过渡区厚度并降低过渡区成分含量；本发明在使用时，通过多次性能测试，对SiC器件改善过程中存在的问题进行记录，便于进行进一步的改善工作。
一种改善 sic 器件界面特征方法

[发明专利]一种用于检测葡萄糖浓度的GaN传感器及检测方法-CN202210914761.2在审
发明人：王霄;杨毅喆;敖金平;李杨;陈治伟;赵梓辰;张志达 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检测葡萄糖浓度的GaN传感器及检测方法。用于检测葡萄糖浓度的GaN传感器包括有机官能团，其沉积在金单质层上，所述有机官能团为在常温常压、pH为4～9能与葡萄糖发生反应且反应前后存在极性或电负性差异的化合物；葡萄糖浓度的检测方法包括将葡萄糖特异性孔位分子印迹薄膜通过巯基与栅极上的金单质层相连，制备GaN传感器。本发明所述装置及方法使用官能团为葡萄糖特异性孔位分子印迹薄膜作为葡萄糖检测探头并利用GaN半导体器件的二维电子气结构捕捉官能团和葡萄糖分子反应产生的电位变化；使用p型层结构改变传感器阈值电压，减小传感器能耗，并使其无需配合参比电极和对电极使用，避免栅极通电对葡萄糖测量准确性的影响。
一种用于检测葡萄糖浓度 gan 传感器方法

[发明专利]一种带有结终端场板结构的氮化镓晶体管及其制作方法-CN202210905165.8在审
发明人：王霄;郑鑫;敖金平;李杨;陈治伟;王桥旺 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有结终端场板结构的氮化镓晶体管的制作方法，属于微电子器件技术领域。可用于解决击穿电压低、器件易损坏、可靠性差的问题，扩展了器件的使用环境。其自下而上包括衬底(1)、缓冲层(2)、氮化镓层(3)、铝镓氮层(4)及欧姆金属层、肖特基金属层(6)，该肖特基金属层的栅极与铝镓氮层之间增设有p型层(5)；并在p型层和栅极的上方及两端设有氮化硅/氧化铝/二氧化硅钝化层(7)；在钝化介质层的上方及靠近漏极一端设有金属场板层(8)，该金属场板层采用结终端场板结构，本发明提高了氮化镓晶体管的反向击穿电压。
一种带有终端板结氮化晶体管及其制作方法

[发明专利]一种用于检测新冠病毒的GaN传感器及检测方法-CN202210861597.3在审
发明人：王霄;王桥旺;敖金平;李杨;陈治伟;郑鑫 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测新冠病毒的GaN传感器及检测方法，可以用于日常生活中较为即时的新冠病毒检测。该GaN传感器包括栅极区域、源极、漏极、铝镓氮层、氮化镓层、缓冲层，衬底层。而该检测器核心部分是在栅极区域加上与新冠病毒S蛋白能进行吸附的有机触媒层，通过S蛋白与触媒的吸附引起的栅极电位变化，进而控制流过晶体管的电流达到检测新冠病毒的目的。本发明对于日常的核酸检测提供了新思路，并能通过流过晶体管的电流大小直观判断新冠病毒的浓度大小。
一种用于检测病毒 gan 传感器方法

[发明专利]一种氮化镓微波整流肖特基二极管及制备方法-CN202011324390.X有效
发明人：李杨;敖金平 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓微波整流肖特基二极管及制备方法，该肖特基二极管包括：肖特基阳极，肖特基阳极包括至少两个并列的指型结构及至少一个肖特基金属连接部，相邻两个指型结构的同一侧端部通过肖特基金属连接部相连接，指型结构和肖特基金属连接部共同构成肖特基结。该二极管的肖特基阳极采用肖特基金属连接部将独立的指型结构连接，可以平衡指型结构之间的电位，降低了二极管的电阻；由于多个肖特基金属连接部引入多个馈电点，多个馈电点的引入降低了二极管的电阻，采用多个指型结构可以在电阻保持不变的情况下缩小阳极面积，从而降低了二极管结电容；进而二极管的串联电阻和结电容都得到了改善，使得二极管更适合在微波频段使用。
一种氮化微波整流肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种用于检测mi-RNA的探针、GaN传感器及检测方法-CN202210924661.8在审
发明人：王霄;郑云辉;敖金平;李杨;陈治伟;白利华;张岩 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检测mi‑RNA的探针、GaN传感器及检测方法，GaN传感器的栅极上设置有mi‑RNA探针；mi‑RNA的检测方法包括如下步骤，制备GaN传感器；根据GaN传感器电学参数设置源极和漏极电压；配置不同目标mi‑RNA浓度的缓冲液，将GaN传感器插入缓冲液中测试，确定标准曲线；将GaN传感器插入待测溶液，对比检测待测溶液时输出电流与标准曲线输出电流的大小，根据两者电流的大小判断待测溶液中是否有目标mi‑RNA，并通过具体电流值得到目标mi‑RNA的浓度。本发明使用mi‑RNA探针并利用GaN半导体器件的二维电子气结构捕mi‑RNA探针和目标mi‑RNA杂交产生的栅极电位变化；使用p型层结构改变传感器阈值电压，减小传感器能耗，并使其无需配合参比电极和对电极使用，避免栅极通电对测量准确性的影响。
一种用于检测 mi rna 探针 gan 传感器方法

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