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[发明专利]双栅极导体晶体管及相关方法-CN201980037906.1有效
发明人： T·K·卡斯特罗;M·A·祖尼加;B·法特米扎德赫;A·布兰德;J·夏;R·辛格;M·徐;C-N·倪 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构和垂直栅极。该垂直栅极包括：(a)第一栅极导体和第二栅极导体，各自在厚度方向上从该硅半导体结构的第一外表面延伸到该硅半导体结构中，(b)第一隔离电介质层，该第一隔离电介质层在该垂直栅极内将该第一栅极导体与该第二栅极导体隔离，以及(c)栅极电介质层，该栅极电介质层将该第一栅极导体和该第二栅极导体中的每一个与该硅半导体结构隔离。
栅极导体晶体管相关方法

[发明专利]形成发光器件的P型层的方法-CN201780044861.1有效
发明人： I.维尔德森;E.C.尼尔森;P.德布 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：在根据本发明的实施例的方法中，生长了一种半导体结构，该半导体结构包括被设置在p型区和n型区之间的III族氮化物发光层。p型区被掩埋在半导体结构内。在半导体结构中形成沟槽。该沟槽暴露p型区。在形成沟槽之后，半导体结构被退火。
形成发光器件方法

[实用新型]高正向浪涌电流能力的SiC二极管-CN202121505909.4有效
发明人：张振中;郝建勇 -专利权人：杭州中瑞宏芯半导体有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高正向浪涌电流能力的SiC二极管,包括SiC层(1)，SiC层(1)上设有若干第一沟槽(2)，第一沟槽(2)的中部上端设有第二沟槽(3)，第二沟槽(3)的两侧和第一沟槽(2)之间留有间隙，第二沟槽(3)内填充有浅P+grid层，第一沟槽(2)和第二沟槽(3)之间填充有深P‑grid层，SiC层(1)的外部设有离子注入层(4)。本实用新型能够进一步提高SiC二极管的正向浪涌电流能力。
正向浪涌电流能力 sic 二极管

[发明专利]一种基于富缺陷氧族化合物的肖特基结及其制备方法-CN202010751738.7有效
发明人：雷永鹏;王裕超;宋成叶 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：一种基于富缺陷氧族化合物的肖特基结及其制备方法，所述肖特基结为富缺陷氧族化合物、过渡金属单质和/或合金以及氮掺杂的碳构成的球状复合材料颗粒，富缺陷氧族化合物、过渡金属单质、过渡金属合金以及氮掺杂的碳在颗粒中均匀分布。所述方法为：（1）将富缺陷氧族化合物和锌源加入有机溶液中，搅拌，得溶液A；（2）将2‑甲基咪唑有机溶液加入溶液A中，搅拌，过滤，洗涤；（3）分散于有机溶剂，再将过渡金属源有机溶液加入，搅拌，离心，干燥；（4）保护性气氛中，热处理，即成。本发明肖特基结氢析出过电势低、Tafel斜率低、电流密度高、电荷传输阻力低、稳定性好、水电解氢转化率高。本发明工艺简单、成本低、适宜于工业化生产。
一种基于缺陷化合物肖特基结及其制备方法

[发明专利]隧道结、其制备方法和应用-CN201910135365.8在审
发明人：葛欢;宋小会 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种一种隧道结，所述隧道结包括：衬底，和衬底上从下到上依次设置的：第一正常金属层，绝缘层和第二正常金属层，其中，所述绝缘层具有内凹的台阶结构，所述台阶上下薄膜断开。还提供了该隧道结的制备方法和应用。本发明为制备真空隧道结提供一种新的微加工工艺途径。这涉及制备器件的微加工技术：此种方法制备的隧道结器件包括紫外光刻，湿法刻蚀与镀膜工艺如磁控溅射或者电子束蒸发。本发明中的紫外曝光技术和湿法刻蚀技术的配合可得到多个真空隧道结，且制备成功率很高。
隧道制备方法应用

[发明专利]具有钝化层的半导体器件及用于制作其的方法-CN201510099304.2有效
发明人： C.黑希特;A.卡巴科夫;J.P.康拉特;R.鲁普 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有钝化层的半导体器件及用于制作其的方法。一种半导体器件包括具有第一表面的半导体本体、在第一表面上的接触电极、和在第一表面上与接触电极相邻并且与接触电极部分重叠的钝化层。该钝化层包括具有第一层和第二层的层堆叠，该第一层包括在第一表面上的氧化物，该第二层包括在第一层上的氮化物。
具有钝化半导体器件用于制作方法

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN201510469712.2有效
发明人： U.格拉泽;P.伊尔西格勒;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和制造方法。半导体器件包括从第一表面延伸到半导体主体中的沟槽。三元碳化物和三元氮化物的至少一个在沟槽中。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种电子束准直装置及电子束准直系统-CN201610242353.1有效
发明人：尤文龙;王雪峰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明提供的一种电子束准直装置及电子束准直系统，其中，一种电子束准直装置，包括准直模块，该准直模块包括叠在一起的三层外尔半金属薄膜，三层外尔半金属薄膜中位于两侧的两层外尔半金属薄膜为相同的薄膜，且位于中间的外尔半金属薄膜与位于两侧的外尔半金属薄膜的外尔节点能量不同，以由垂直外尔半金属薄膜射入准直模块且能量在预设能量范围内的电子中获取横向动量在预设动量范围内的电子并射出。由此，由垂直外尔半金属薄膜射入的电子中获取到横向动量在预设动量范围内的电子，进而将其射出，其中，预设动量范围为0或者接近于0的范围，因此，射出电子不会在横向动量的影响下偏移原来的轨道运动，准直效果较佳。
一种电子束装置系统

[发明专利]用于高电子迁移率晶体管的衬底-CN201510315434.5有效
发明人：闫发旺;张峰;王文宇 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于高电子迁移率晶体管的衬底，包括支撑衬底、支撑衬底表面的高阻层、高阻层表面的沟道层、以及沟道层表面的势垒层，所述高阻层、沟道层以及势垒层的材料均为氮化物，所述沟道层的材料为掺杂元素浓度为1×1015cm‑3～9×1019cm‑3的GaN材料，所述掺杂元素选自于As和P中的一种，以及两者的混合物。本发明的优点在于，外延生长氮化物沟道层过程中掺入等电子元素砷或磷，以改善材料的微观电子结构，降低缺陷密度，改善晶格完整性，提高晶体质量，从而提高材料的电子特性如电子迁移率、降低方块面电阻等。
用于电子迁移率晶体管衬底

[发明专利]电致发光器件及其制造方法、显示基板和显示装置-CN201410499304.7有效
发明人：井口真介;廖金龙;高雪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电致发光器件及其制造方法、显示基板和显示装置，该电致发光器件包括基板和形成于基板的上方的像素界定层，像素界定层上形成有像素开口矩阵，该像素开口矩阵包括多个像素开口，像素开口内形成有电致发光层，处于同一列的全部电致发光层中至少存在一个电致发光层与其他电致发光层的厚度不相等。本发明通过将电致发光器件内的处于同一列的全部电致发光层中设置至少一个电致发光层与其他电致发光层的厚度不相等，从而使得对应列中的电致发光层在发光时所产生的亮度不均匀，进而使得电致发光器件上的条纹mura被淡化，提升了该电致发光器件的品质。
电致发光器件及其制造方法显示显示装置

[发明专利]具有应力增强的可调触发电压的可控硅整流器-CN201280026479.5有效
发明人： R.卡米洛-卡斯蒂洛;E.M.达尔斯特罗姆;R.J.高蒂尔;E.G.格布雷塞拉西;R.A.费尔普斯;石云;A.斯特里克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：可控硅整流器的装置结构、制造方法、操作方法和设计结构。该方法包括以足以调制可控硅整流器（SCR）的触发电流的水平施加机械应力到SCR的一个区域。该装置和设计结构包括SCR（62），SCR（62）具有阳极（63）、阴极（65）、第一区域（14）和导电类型与第一区域相反的第二区域（16）。SCR的第一和第二区域设置在SCR的阳极和阴极之间的载流通道中。层（26）相对于第一区域设置在半导体衬底（30）的顶表面上，并且构造成使在SCR的第一区域中引起的机械应力处于足以调制SCR的触发电流的水平。
具有应力增强可调触发电压可控硅整流器

[实用新型]一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构-CN201620430747.5有效
发明人：王国峰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本实用新型的主要目的为提供一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构，在N型单晶硅片的N面上间隔地排列制造出高浓度的N+结，具有自调制效应，形成良好的软恢复特性；此材料片通过硅氧化方式将N面粘附一片单晶片，在加工过程中不易碎片；此结构的制造成本低于外延片的成本。使用本实用新型的含阴极辅助的快恢复二极管材料片，与传统的外延片加工相比，具有良好的快速、软恢复特性，成本更低。
一种阴极辅助恢复二极管材料结构

[发明专利]一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构及其制造方法-CN201610314304.4在审
发明人：王国峰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明的主要目的为提供一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构，在N型单晶硅片的N面上间隔地排列制造出高浓度的N+结，具有自调制效应，形成良好的软恢复特性；此材料片通过硅氧化方式将N面粘附一片单晶片，在加工过程中不易碎片；此结构的制造成本低于外延片的成本。使用本发明的含阴极辅助的快恢复二极管材料片，与传统的外延片加工相比，具有良好的快速、软恢复特性，成本更低。
一种阴极辅助恢复二极管材料结构及其制造方法

[发明专利]衬底结构及其制造方法-CN201410287674.4在审
发明人：陈建桦;李德章;谢盛祺 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底结构，其包括：绝缘衬底，所述绝缘衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述绝缘衬底包括从所述第一表面形成到所述绝缘衬底中的第一沟槽，所述第一沟槽由第一侧壁及第一底部形成。所述衬底结构包括第一导电材料，至少部分所述第一导电材料位于所述第一沟槽中，其中所述第一导电材料具有第一表面，所述第一表面未接触所述第一底部及所述第一侧壁。
衬底结构及其制造方法

[发明专利]集成电路以及用于生产集成电路的系统和方法-CN201380057171.1在审
发明人： D·E·尼科诺夫;R·L·赞克曼;R·金;J·潘 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明描述了包括半导体有机材料的三维集成电路。在一些实施例中，三维集成电路包括一个或多个电子部件，一个或多个电子部件包括由一种或多种半导体有机材料形成的半导体区。三维集成电路的电子部件还可以包括由有机绝缘材料形成的绝缘区和由导电材料形成的导电区。三维集成电路可以由诸如三维印刷的加法制造工艺形成。本发明还描述了用于生产和测试三维集成电路的装置和方法。
集成电路以及用于生产系统方法

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