专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种采用电压驱动的BJT-CN202010512331.9有效
  • 唐红祥 - 无锡光磊电子科技有限公司
  • 2020-06-08 - 2023-05-23 - H01L29/73
  • 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的BJT,包括N型硅片,N型硅片底部设有集电极,N型硅片顶部设有第一P阱,第一P阱内设有第一N扩散区,N型硅片顶部设有第二P阱,第二P阱内设有第二N扩散区,N型硅片顶部连接绝缘层,绝缘层上设有输出电极,输出电极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接,绝缘层内设有控制电极,控制电极接收驱动集电极和输出电极导通的控制信号A,绝缘层在第二P阱对应处设有发射极和基极,发射极穿过绝缘层与第二N扩散区连接,输出电极与基极电连接,基极穿过绝缘层与第二P阱电连接,本发明将BJT的导通控制从电流驱动变为电压驱动,不用再额外设计大电流驱动电路,减少了BJT的应用成本。
  • 一种采用电压驱动bjt
  • [发明专利]一种MOS管-CN202010513021.9有效
  • 唐红祥;何飞 - 无锡光磊电子科技有限公司
  • 2020-06-08 - 2023-05-23 - H01L29/78
  • 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种MOS管,包括N型硅片,N型硅片底部设有漏极,N型硅片顶部第一P阱,第一P阱内第一N扩散区,N型硅片顶部还设有第二P阱,第二P阱内设有第二N扩散区,N型硅片顶部连接绝缘层,绝缘层上设有控制源极,控制源极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接,绝缘层内还设有控制栅极,绝缘层上还设有主源极,主源极和控制源极被绝缘层隔开,主源极穿过绝缘层分别与第二P阱和第二N扩散区电连接,绝缘层内还设有主栅极,主栅极与控制源极电连接,本发明设计新颖,通过驱动小功率MOS管来控制大功率MOS管导通,降低了大功率MOS管对驱动IC的要求,而且更容易控制。
  • 一种mos
  • [发明专利]一种采用电压驱动的可控硅-CN202010512334.2有效
  • 唐红祥 - 无锡光磊电子科技有限公司
  • 2020-06-08 - 2023-05-23 - H01L29/74
  • 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的可控硅,包括N型硅片,N型硅片底部设有P型扩散层,P型扩散层底部电连接阳极电极,N型硅片顶部设有第一P阱,第一P阱内设有第一N扩散区,N型硅片顶部设有第二P阱,第二P阱内设有第二N扩散区,N型硅片顶部连接绝缘层,绝缘层上设有输出电极,输出电极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接,绝缘层内还设有控制电极,绝缘层在第二P阱的对应处分别设有阴极电极和门极电极,阴极电极穿过绝缘层与第二N扩散区电连接,门极电极穿过绝缘层与第二P阱电连接,本发明将可控硅的导通控制从电流驱动变为电压驱动,降低了对驱动IC的要求,减少了可控硅的应用成本。
  • 一种采用电压驱动可控硅
  • [发明专利]一种光电开关芯片的制备设备及方法-CN202110859561.7有效
  • 姚磊;唐红祥;何飞 - 无锡光磊电子科技有限公司
  • 2021-07-28 - 2022-09-09 - H01L21/67
  • 本发明属于光电开关芯片加工技术领域,具体的说是一种光电开关芯片的制备设备及方法,该光电开关芯片的制备设备包括壳体、液压单元、电机和夹持单元;所述壳体内顶部固连有喷淋单元,且壳体内底部中心位置固连有夹持单元,夹持单元上安装有硅片;所述壳体两侧均开设有放置门;通过设置二号孔,转动管带动三号板运动,三号板运动至接触二号板后推动二号板运动,二号板挤压位于转动管内二号板和一号板之间的清洗液,清洗液从二号孔流出的清洗液流动至毛刷上,将毛刷刷动硅片表面的清洗液膜层沾附的杂质冲刷去除,增加毛刷的清洁程度,从而增加硅片表面的清洁程度,进而增加硅片的加工效率。
  • 一种光电开关芯片制备设备方法
  • [实用新型]一种光耦器件-CN202122978929.X有效
  • 唐红祥 - 无锡光磊电子科技有限公司
  • 2021-11-30 - 2022-07-29 - H01L25/16
  • 本实用新型提供的一种光耦器件,属于半导体技术领域,包括LED发光芯片、光敏接收芯片和透光粘结层;LED发光芯片的发光面和光敏接收芯片的接收面通过透光粘结层连接。将LED发光芯片的发光面直接通过透光粘结层固定在光敏接收芯片的接收面上,最大效率的提高光的传递率和吸收率,且不需要透明包裹材料,不存在热膨胀应力不匹配问题,金属丝断丝率非常低,可靠性高。
  • 一种器件
  • [发明专利]倒装LED芯片焊盘的制备方法-CN201910384722.4有效
  • 唐红祥 - 无锡光磊电子科技有限公司
  • 2019-05-09 - 2022-03-29 - H01L33/00
  • 本发明属于半导体技术领域,具体涉及倒装LED芯片焊盘的制备方法。本发明提供了倒装LED芯片焊盘,倒装LED晶圆芯片和金属层;金属层为锡层,所述锡层为圆球结构,且包裹附着在倒装LED晶圆芯片上。本发明提供的倒装LED芯片焊盘制备方法通过网格板,采用纯锡替代金锡合金,贴装使用时,在固晶过程不需要点锡膏或刷锡膏的步骤,高温熔化锡成球,锡球的成本低,可以做4微米以上的厚度,焊接金属原料足够,焊接良率高,整个工艺的加工成本降低,提高了加工效率。
  • 倒装led芯片制备方法

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