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- [发明专利]一种采用电压驱动的BJT-CN202010512331.9有效
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唐红祥
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无锡光磊电子科技有限公司
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2020-06-08
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2023-05-23
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H01L29/73
- 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的BJT,包括N型硅片,N型硅片底部设有集电极,N型硅片顶部设有第一P阱,第一P阱内设有第一N扩散区,N型硅片顶部设有第二P阱,第二P阱内设有第二N扩散区,N型硅片顶部连接绝缘层,绝缘层上设有输出电极,输出电极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接,绝缘层内设有控制电极,控制电极接收驱动集电极和输出电极导通的控制信号A,绝缘层在第二P阱对应处设有发射极和基极,发射极穿过绝缘层与第二N扩散区连接,输出电极与基极电连接,基极穿过绝缘层与第二P阱电连接,本发明将BJT的导通控制从电流驱动变为电压驱动,不用再额外设计大电流驱动电路,减少了BJT的应用成本。
- 一种采用电压驱动bjt
- [发明专利]一种MOS管-CN202010513021.9有效
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唐红祥;何飞
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无锡光磊电子科技有限公司
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2020-06-08
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2023-05-23
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H01L29/78
- 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种MOS管,包括N型硅片,N型硅片底部设有漏极,N型硅片顶部第一P阱,第一P阱内第一N扩散区,N型硅片顶部还设有第二P阱,第二P阱内设有第二N扩散区,N型硅片顶部连接绝缘层,绝缘层上设有控制源极,控制源极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接,绝缘层内还设有控制栅极,绝缘层上还设有主源极,主源极和控制源极被绝缘层隔开,主源极穿过绝缘层分别与第二P阱和第二N扩散区电连接,绝缘层内还设有主栅极,主栅极与控制源极电连接,本发明设计新颖,通过驱动小功率MOS管来控制大功率MOS管导通,降低了大功率MOS管对驱动IC的要求,而且更容易控制。
- 一种mos
- [发明专利]一种采用电压驱动的可控硅-CN202010512334.2有效
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唐红祥
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无锡光磊电子科技有限公司
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2020-06-08
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2023-05-23
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H01L29/74
- 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的可控硅,包括N型硅片,N型硅片底部设有P型扩散层,P型扩散层底部电连接阳极电极,N型硅片顶部设有第一P阱,第一P阱内设有第一N扩散区,N型硅片顶部设有第二P阱,第二P阱内设有第二N扩散区,N型硅片顶部连接绝缘层,绝缘层上设有输出电极,输出电极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接,绝缘层内还设有控制电极,绝缘层在第二P阱的对应处分别设有阴极电极和门极电极,阴极电极穿过绝缘层与第二N扩散区电连接,门极电极穿过绝缘层与第二P阱电连接,本发明将可控硅的导通控制从电流驱动变为电压驱动,降低了对驱动IC的要求,减少了可控硅的应用成本。
- 一种采用电压驱动可控硅
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