[发明专利]高深宽比开口的刻蚀方法及刻蚀气体在审
| 申请号： | 201910865997.X | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110544627A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 黄海辉;左明光;王猛;曾最新;朱宏斌;霍宗亮;程卫华 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F1/12 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 骆希聪<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高深宽比开口的刻蚀方法及半导体器件。所述高深宽比开口的刻蚀方法包括以下步骤：利用包括刻蚀气体和氧源气体的馈送气体对电介质层进行干法刻蚀，以形成开口，所述刻蚀气体包括通式为C3HxFy的一种或多种气体，其中x为0至8之间的整数、y为0至8之间的整数，且x+y＝8。 | ||
| 搜索关键词： | 开口 高深宽比 刻蚀气体 刻蚀 馈送 半导体器件 电介质层 干法刻蚀 氧源气体 | ||
【主权项】：
1.一种高深宽比开口的刻蚀方法，包括以下步骤：/n利用包括刻蚀气体和氧源气体的馈送气体对电介质层进行干法刻蚀，以形成开口，所述刻蚀气体包括通式为C3HxFy的一种或多种气体，其中x为0至8之间的整数、y为0至8之间的整数，且x+y＝8。/n
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- 提供用于蚀刻设置在基板上的电介质层的方法。所述方法包括：在蚀刻处理腔室中，将基板从静电夹头松开；以及在将基板从静电夹头松开的同时，循环地蚀刻电介质层。循环蚀刻的步骤包括：由供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物远程地生成等离子体，以便在第一温度下蚀刻设置在基板上的电介质层。蚀刻电介质层生成蚀刻副产物。循环蚀刻的步骤也包括：在蚀刻处理腔室中，竖直地向气体分配板移动基板；以及使升华气体从气体分配板流向基板以使蚀刻副产物升华。在第二温度下执行升华，其中第二温度高于第一温度。
- 用于稳定蚀刻后界面以使下一处理步骤之前的队列时间问题最小化的方法-201480051107.7
- S·D·耐马尼;P·古帕拉加;T·越泽 - 应用材料公司
- 2014-07-28 - 2019-11-26 - H01L21/3065
- 提供了用于使用低温蚀刻工艺以及后续的界面保护层沉积工艺来蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中，用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括以下步骤：将基板转移至蚀刻处理腔室中，所述基板具有设置在所述基板上的电介质阻挡层；对电介质阻挡层执行处理工艺；在供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物中远程地生成等离子体以蚀刻设置在所述基板上的经处理电介质阻挡层；对所述电介质阻挡层进行等离子体退火以将所述电介质阻挡层从所述基板去除；以及将所述电介质阻挡从所述基板去除之后，形成界面保护层。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
