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[发明专利]利用硬掩模层的纳米线晶体管制造-CN201910241401.9有效
发明人： S·H·成;S·金;K·库恩;W·拉赫马迪;J·卡瓦列罗斯 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本说明的纳米线器件可以用以下方法产生：在至少一个纳米线晶体管的制造期间并入至少一个硬掩模以帮助保护最上层沟道纳米线使其免受可能由诸如置换栅极工艺和/或纳米线释放工艺中使用的那些工艺等的制造工艺所产生的损害。至少一个硬掩模的使用可以在多层堆叠的纳米线晶体管中产生大体上无损害的最上层沟道纳米线，这可以提高沟道纳米线的均匀性和整个多层堆叠的纳米线晶体管的可靠性。
利用硬掩模层纳米晶体管制造

[发明专利]用于测量色氨酸及其代谢物的同位素方法-CN201680063757.2有效
发明人： S·康卡雷维奇;K·库恩;P·舒尔茨-克纳佩;I·H·派克;C·奥皮茨;M·普拉滕 -专利权人：电泳有限公司;鲁普莱希特-卡尔斯大学;德国癌症研究中心
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01N33/68 文献下载
摘要：色氨酸降解是控制免疫反应的关键代谢途径，并且证据表明在癌症进展过程中，色氨酸代谢物的产生可能是以自分泌方式促进癌症细胞的恶性表型的免疫逃避的基础。本发明涉及测量质量标签标记的色氨酸及其代谢物的方法，以及使用标记的分子监测受试者治疗的有效性和治疗后疾病复发、用于分层患者和用于诊断受试者免疫响应抑制的方法。
用于测量色氨酸及其代谢物同位素方法

[发明专利]分瓣转轮-CN201880046640.2有效
发明人： B·勒切尔;K·库恩;P·伊斯勒 -专利权人：安德里茨水电有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： F04D29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于水轮机、水泵或水泵水轮机、特别是用于法式水轮机的转轮(1)，所述转轮(1)可以被安装为使得它可以被围绕旋转轴线(10)旋转，并且具有沿着圆周方向、围绕旋转轴线(10)布置的转轮叶片(4)，其中所述转轮(1)具有经由接触表面(9)彼此连接的至少两个转轮部分。为了实现简单的制造能力，根据本发明提供接触表面(9)被以这样的方式定位和定向，即，力矩可以基本上经由相对于接触表面(9)切向的力、在转轮部分之间、围绕旋转轴线(10)被传送。
转轮

[发明专利]粉状的打底材料组合物-CN201680071103.4有效
发明人： K·赛普;K·库恩;P·伊林 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C09D5/03 文献下载
摘要：本发明涉及粉末形式的打底材料组合物，其包含基于玻璃化转变温度Tg范围为‑50℃至+30℃的丙烯酸酯聚合物的分散体粉末，以及水泥。本发明的组合物具有突出的良好的水阻挡效果、良好的粉尘粘结能力和低的盐渗斑倾向。所述组合物被用于给砖石、混凝土、抹灰层表面、磨蚀抹灰层、石膏表面、墙砌块、木材和陶瓷砖打底。它们也可以用作诸如釉面陶瓷或玻璃砖、金属表面或塑料表面等非吸附性基材的粘结促进剂。
粉状打底材料组合

[发明专利]在微电子器件中形成低带隙源极和漏极结构的方法-CN201380079074.2有效
发明人： R·里奥斯;R·科特利尔;K·库恩 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：描述了利用设置于源极/漏极结构中的位错来形成应变沟道器件的方法。那些方法/结构可以包括：在器件的衬底中形成源极/漏极区、以及在源极/漏极区中形成合金，其中合金包括将源极/漏极接触部与源极/漏极区之间的带隙减小到大体上为零的材料。本文中的实施例减小了器件的外部寄生电阻。
微电子器件形成低带隙源极结构方法

[发明专利]用于纳米线晶体管的内部间隔体及其制造方法-CN201380079334.6有效
发明人： S·金;D·西蒙;N·拉哈尔乌拉比;C-H·林;K·库恩 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-10-03 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：可以采用内部间隔体，来生产本说明书的纳米线晶体管，在内部间隔体制造期间，通过使用牺牲间隔体来形成内部间隔体。一旦形成了纳米线晶体管，就可以去除(分别)位于晶体管栅极以及源极和漏极之间的牺牲间隔体。然后，可以去除纳米线晶体管的沟道纳米线之间的牺牲材料，并且可以沉积电介质材料以填充沟道纳米线之间的空间。可以去除不在沟道纳米线之间的电介质材料以形成内部间隔体。然后可以与内部间隔体和晶体管沟道纳米线相邻，形成(分别)位于晶体管栅极与源极和漏极之间的外部间隔体。
用于纳米晶体管内部间隔及其制造方法

[发明专利]用于机动车减振器的阻尼阀组件-CN201910463043.6在审
发明人： A·塞伯;K·库恩 -专利权人： ZF腓特烈斯哈芬股份公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： F16F9/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于机动车减振器的、具有递减的阻尼力特性曲线的阻尼阀组件1，其包括至少一个布置在支座2上的、可轴向地在减振缸3中运动的减振活塞4，其中所述减振活塞包括：活塞体5，所述活塞体具有至少一个流体通道6；以及至少一个阀盘7，所述阀盘轴向地覆盖流体通道6；以及弹性的预紧装置8，所述预紧装置将在活塞体5的方向上作用的弹簧力F1施加到阀盘7上，其特征在于，所述阻尼阀组件1此外包括布置在预紧装置8和阀盘7之间的传递构件9，所述传递构件直接地沿着其朝向流体通道6的接触面10轴向地支撑在阀盘7的背离流体通道6的表面11上并且实施成：所述传递构件将由预紧装置8在活塞体5的方向上作用的弹簧力F1传递到阀盘7上并且将弹簧力均匀地分配到阀盘7上。
阀盘流体通道预紧装置活塞体传递构件弹簧力阻尼阀组件减振活塞轴向阻尼力特性曲线弹性的阀盘轴减振缸减振器递减机动车背离施加传递分配覆盖支撑

[发明专利]用于环绕栅极架构的选择性蚀刻-CN201380081248.9有效
发明人： S·H·宋;R·B·小蒂尔科特;A·默西;S·金;K·库恩 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开内容涉及一种对牺牲材料进行蚀刻的方法。该方法包括：在反应室中供应半导体衬底，其中衬底包括被布置在衬底上的沟道以及被布置在沟道的至少一部分上的牺牲层。该方法还包括：向反应室供应卤间化合物蒸汽；利用卤间化合物蒸汽来对牺牲层的至少一部分进行蚀刻；以及从牺牲层下方暴露出所述沟道的至少一部分。
用于环绕栅极架构选择性蚀刻

[发明专利]反应性质量标记物的集合-CN201510144106.3有效
发明人： C·哈莫;J·施瓦茨;W·贝克;S·基勒;K·库恩;J·查弗尔 -专利权人：电泳有限公司
申请日： 2006-07-26 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C07D403/12 文献下载
摘要：一种反应性质量标记物的集合，其特征在于，所述集合中各质量标记物具有以下结构：X^(*)n‑L‑M^(*)m；其中X是质量标记部分，L是可切割接头，M是质量标准化部分，*是同位素质量调整部分，以及n和m是0或更大的整数，从而使得：该集合中各标记物所含质量标记部分具有共同的质量并且该集合中各标记物具有独特的总质量，或该集合中各标记物所含质量标记部分具有独特的质量并且该集合中各标记物具有共同的总质量。
用于包含甲基哌啶嘧啶基硫代亚质量标记部分以及琥珀胺基羰基活性官能团

[发明专利]多涂层色彩和/或效应油漆体系中的聚合物-CN201580010362.1有效
发明人： B·莱特曼;P·霍夫曼;R·雅斯佩尔;K·库恩;H-J·肯珀;M·西格特 -专利权人：巴斯夫涂料有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C08G18/48 文献下载
摘要：本发明涉及可如下制备的聚合物：使以下组分反应：至少一种聚合物，其可通过(a)二聚物脂肪酸与(b)至少一种具有C₃‑C₆亚烷基和450‑2200克/摩尔的数均分子量的聚醚反应而制备，组分(a)和(b)以0.7/2.3‑1.3/1.7的摩尔比使用，且所得聚合物具有1500‑5000克/摩尔的数均分子量和<10mgKOH/g的酸值，至少一种具有C₃‑C₆亚烷基和250‑3000克/摩尔的数均分子量的聚醚，至少一种具有至少一个阴离子基团和/或至少一个能够形成阴离子的官能团和至少一个，更特别是至少两个异氰酸酯反应性官能团的化合物，至少一种多异氰酸酯，和任选至少一种单醇或二醇，至少一种具有多于两个异氰酸酯反应性官能团的化合物，以及任选将组分(C)的能够形成阴离子的基团中和。
涂层色彩效应油漆体系中的聚合物

[发明专利]利用硬掩模层的纳米线晶体管制造-CN201380073111.9有效
发明人： S·H·成;S·金;K·库恩;W·拉赫马迪;J·卡瓦列罗斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本说明的纳米线器件可以用以下方法产生：在至少一个纳米线晶体管的制造期间并入至少一个硬掩模以帮助保护最上层沟道纳米线使其免受可能由诸如置换栅极工艺和/或纳米线释放工艺中使用的那些工艺等的制造工艺所产生的损害。至少一个硬掩模的使用可以在多层堆叠的纳米线晶体管中产生大体上无损害的最上层沟道纳米线，这可以提高沟道纳米线的均匀性和整个多层堆叠的纳米线晶体管的可靠性。
利用硬掩模层纳米晶体管制造

[发明专利]用于纳米线晶体管的漏电减少结构-CN201380073081.1有效
发明人： S·金;K·库恩;R·里奥斯;M·阿姆斯特朗 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本说明书的纳米线器件可以包括形成在至少一个纳米线晶体管与微电子衬底之间的高掺杂垫层，纳米线晶体管形成在微电子衬底上，其中，高掺杂垫层可以减小或基本上消除漏电和高栅极电容，漏电和高栅极电容可以发生在纳米线晶体管的栅极结构的底部。由于形成高掺杂垫层可能在纳米线晶体管的源极结构与漏极结构之间的界面处引起栅极感应的漏极漏电，因此可以在高掺杂垫层与纳米线晶体管之间形成薄的未掺杂或低掺杂材料层。
用于纳米晶体管漏电减少结构

[发明专利]具有底层蚀刻停止的纳米线晶体管-CN201380073109.1有效
发明人： S·金;D·奥贝蒂内;K·库恩;A·默西 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：可以借助包含在至少一个纳米线晶体管的制造期间形成的至少一个底层蚀刻停止来产生本描述中的纳米线器件，以便帮助保护源极结构和/或漏极结构免于可能由于制造工艺而导致的损坏。当用于制造所述源极结构和/或所述漏极结构的材料易于受到用在去除牺牲材料中的工艺的蚀刻时，即，对于所述源极结构和/或所述漏极结构材料的低选择性，所述底层蚀刻停止可以防止对所述源极结构和/或所述漏极结构的损坏，以便可以防止在晶体管栅极电极与为所述源极结构和/或所述漏极结构形成的触点之间的可能的短路。
具有底层蚀刻停止纳米晶体管

[发明专利]基于纳米线的机械开关器件-CN201380072798.4有效
发明人： C·帕瓦申;R·金;S·金;K·库恩;S·马尼帕特鲁尼;R·里奥斯;I·A·扬;K·林;A·乔杜里 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：描述了基于纳米线的机械开关器件。例如，纳米线继电器包括设置在空隙中的纳米线，空隙被设置在衬底上方。纳米线具有锚定部分和悬浮部分。第一栅极电极被设置为邻近空隙并与纳米线间隔开。第一导电区被设置为邻近第一栅极电极并邻近空隙，并且与纳米线间隔开。
基于纳米机械开关器件

[发明专利]非致龋性果冻糖果-CN201480005317.2有效
发明人： K·库恩 -专利权人：甜糖（曼海姆/奥克森富特）股份公司
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： A23L29/231 文献下载
摘要：本发明涉及果冻糖果以及生产这种果冻糖果的方法，该果冻糖果包含：(a)糖，其选自异麦芽酮糖、海藻糖及其组合，(b)至少一种胶凝剂，以及(c)水，其中基于果冻糖果的总重量，果冻糖果中组分(a)的含量在30至0wt％的范围内。该果冻糖果是非致龋性的、非泻下性的，并且具有低血糖指数。
非致龋性果冻糖果

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