“P·古帕拉加”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]自对准高深宽比结构及制作方法-CN201880055895.5有效
发明人： S·S·罗伊;P·古帕拉加;A·B·玛里克;S·冈迪科塔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了形成自对准高深宽比特征的处理方法。所述方法包括在结构化基板上沉积金属膜、容积地扩张所述金属膜、在所扩张的柱体之间沉积第二膜、与可选地使所述柱体凹陷以及重复此处理以形成高深宽比结构。
对准高深结构制作方法

[发明专利]3D存储器结构中由下而上方式的高深宽比孔洞形成-CN201880057320.7有效
发明人： P·古帕拉加;S·S·罗伊;A·B·玛里克;S·冈迪科塔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：描述了形成存储器结构的方法。金属膜沉积在结构化基板的特征中，且体积地膨胀以形成柱。将毯覆膜沉积达一高度，所述高度小于所述柱的高度，且从所述柱的顶部移除所述毯覆膜。减少所述柱的高度，使得所述柱的顶部是在所述毯覆膜的表面下方，且任选地重复该工艺，以形成预定高度的结构。在形成所述预定高度的结构之后，能够从所述特征移除所述柱，以形成高深宽比特征。
存储器结构由下而上方式高深孔洞形成

[发明专利]单一氧化物金属沉积腔室-CN201780045536.7有效
发明人： A·K·萨布莱曼尼;P·古帕拉加;T-J·龚;H·K·博尼坎帝;P·A·克劳斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本文所描述实现大体涉及处理腔室中的金属氧化物沉积。更特定地，本文所公开的实现涉及组合的化学气相沉积和物理气相沉积腔室。使用单一氧化物金属沉积腔室，能够执行CVD及PVD两者以有利地减小均匀半导体处理的成本。此外，所述单一氧化物金属沉积系统减小沉积半导体基板所必要的时间，且减小处理半导体基板所需要的占用面积。在一个实现中，所述处理腔室包含设置在腔室主体中的气体分配平板、设置在所述腔室主体中的一个或更多个金属靶以及设置在所述气体分配平板和一个或更多个靶下方的基板支撑件。
单一氧化物金属沉积

[发明专利]用于稳定蚀刻后界面以使下一处理步骤之前的队列时间问题最小化的方法-CN201480051107.7有效
发明人： S·D·耐马尼;P·古帕拉加;T·越泽 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于使用低温蚀刻工艺以及后续的界面保护层沉积工艺来蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中，用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括以下步骤：将基板转移至蚀刻处理腔室中，所述基板具有设置在所述基板上的电介质阻挡层；对电介质阻挡层执行处理工艺；在供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物中远程地生成等离子体以蚀刻设置在所述基板上的经处理电介质阻挡层；对所述电介质阻挡层进行等离子体退火以将所述电介质阻挡层从所述基板去除；以及将所述电介质阻挡从所述基板去除之后，形成界面保护层。
用于稳定蚀刻界面使下一处理步骤之前队列时间问题最小化方法

[发明专利]在等离子体反应器中用于可调节工件偏压的系统-CN201880009994.X在审
发明人： T·高;P·A·克劳斯;L·多尔夫;P·古帕拉加 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文提供了在等离子体反应器中用于可调节工件偏压的系统和方法。在一些实施例中，系统包含：等离子体腔室，所述等离子体腔室执行工件上的等离子体处理；第一脉冲电压源，所述第一脉冲电压源直接耦合至工件；第二脉冲电压源，所述第二脉冲电压源电容性地耦合至所述工件；以及偏压控制器，所述偏压控制器基于所述第一脉冲电压源和所述第二脉冲电压源的一个或更多个参数来独立地控制所述第一脉冲电压源和所述第二脉冲电压源，以便裁制被引导至所述工件的离子通量的离子能量分布。
脉冲电压源等离子体反应器等离子体腔室偏压控制器工件偏压可调节等离子体处理电容性地离子能量离子通量直接耦合耦合裁制

[发明专利]溅射喷淋头-CN201780044489.4在审
发明人： A·K·萨布莱曼尼;T-J·龚;P·古帕拉加;H·K·博尼坎帝 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：在一个实施方案中，提供一种溅射喷淋头组件。所述溅射喷淋头组件包含面板，所述面板包含溅射表面以及与所述溅射表面相对的第二表面，所述溅射表面包含靶材料，其中多个气体通道从所述溅射表面延伸到所述第二表面。溅射喷淋头组件进一步包含定位成与所述面板的所述第二表面相邻的背板。所述背板包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面。所述溅射喷淋头组件是具有由所述背板的所述第一表面与所述面板的所述第二表面限定的气室。所述溅射喷淋头组件进一步包含沿着所述背板的所述第二表面定位的一个或更多个磁电管。
第二表面溅射喷淋头组件溅射表面背板第一表面气体通道靶材料磁电管喷淋头气室延伸

1
共 6 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top