首页 在售
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
求购
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
查询 申请 展会 资讯 专利榜 企服商城 升级VIP
专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2894个，建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体工艺腔室及其控制方法-CN202310876817.4在审
  • 霍立宁;尹子剑;石烁;张润 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2023-07-17 - 2023-10-24 - H01L21/67
  • 本申请实施例提供了半导体工艺腔室及其控制方法，其中，所述半导体工艺腔室，包括：腔室本体，距离检测装置，以及设置在腔室本体内的磁悬浮定子和环形的磁悬浮转子；磁悬浮定子用于驱动磁悬浮转子悬浮和旋转；磁悬浮转子的目标侧面设有多个检测部，多个检测部沿磁悬浮转子的周向均匀分布，检测部相对目标侧面凹陷或凸出；距离检测装置相对目标侧面设置，且距离检测装置的检查窗口在磁悬浮转子的正投影位于目标侧面内，在磁悬浮转子旋转的过程中，各检测部能够分别与检查窗口相对，距离检测装置用于检测目标侧面与检查窗口的间距。
  • 半导体工艺及其控制方法
  • [发明专利]碳化硅籽晶粘接方法-CN202310886307.5在审
  • 崔殿鹏 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2020-11-12 - 2023-10-24 - C30B23/00
  • 本发明实施例提供一种碳化硅籽晶粘接方法，其包括：在籽晶托的粘接面上形成第一有机层，用以降低籽晶托的孔隙率；在碳化硅籽晶的粘接面上形成第二有机层，用以保护碳化硅籽晶；将柔性阻隔片的两个表面分别与籽晶托上的所述第一有机层和碳化硅籽晶上的第二有机层粘接；采用加热的方式对粘接后的碳化硅籽晶进行固化。本发明实施例提供的碳化硅籽晶粘接方法，可以减少晶体生长过程中的六方空洞缺陷，提升晶体质量。
  • 碳化硅籽晶方法
  • [发明专利]一种射频电源测试系统-CN202310754270.0在审
  • 李冠军 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2023-06-25 - 2023-10-20 - G01R31/40
  • 本发明实施例提供了一种射频电源测试系统，包括：负载模拟装置与所述射频电源输出端连接，用于在测试所述射频电源时，接收并执行控制指令，以模拟客户端在预设场景下的阻抗特性；上位机与所述负载模拟装置连接，用于接收预设设置指令，依据所述预设设置指令从所述预设场景中确定目标测试场景，依据所述预设设置指令确定所述目标测试场景对应的阻抗特性；依据所述目标测试场景和所述目标测试场景对应的阻抗特性生成所述控制指令并发送至所述负载模拟装置。通过本发明实施例可以在测试时，准确模拟客户端腔室阻抗特性以及设置多种预设测试场景，使得测试结果更加准确。
  • 一种射频电源测试系统
  • [发明专利]阀门测试装置及方法-CN202310800587.3在审
  • 许璐;郑洪;赵宏宇 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-10-20 - G01M3/28
  • 本发明实施例提供了阀门测试装置及方法；该阀门装置包括：第一输入管路和第一输出管路；待测阀门的一端通过第一输入管路连接于供液组件的出液端，另一端通过第一输出管路连接于供液组件的进液端；第一输入管路设有第一输入开关阀；第一输出管路设有第一输出开关阀和第一采样部。该阀门检测方法应用于该阀门检测装置。该循环管路专门用来对待测阀门进行检测，无其他功能管路，无多余管路，管路清晰、集中，具有检测结构简单、容易实现的优点。
  • 阀门测试装置方法
  • [发明专利]金属氧化物的去除方法及光刻胶的去除方法-CN202310658304.6在审
  • 蒋兴宇;沈涛;董云鹤;蒋中伟 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2023-06-05 - 2023-10-17 - H10N70/00
  • 本发明提供了一种金属氧化物的去除方法及光刻胶的去除方法，涉及半导体技术领域，该金属氧化物的去除方法包括：处理步骤，向反应腔室通入第一工艺气体，激发第一工艺气体形成等离子体，以对晶圆金属层表面的金属氧化物进行处理，使金属氧化物转变为金属氮化物；其中，第一工艺气体包括含氮元素气体；刻蚀步骤，向反应腔室通入第二工艺气体，激发第二工艺气体形成等离子体，以刻蚀去除金属氮化物；其中，第二工艺气体包括含氯元素气体。本发明能够提升去除金属表面的金属氧化物的处理效率及处理效果，避免影响半导体器件的使用寿命，提升了半导体器件制造的可靠性。
  • 金属氧化物去除方法光刻
  • [发明专利]承载装置和半导体工艺设备-CN202311086936.6在审
  • 田西强;董涛;叶华;刘国杰 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2023-08-28 - 2023-10-17 - C23C16/455
  • 本发明提供一种承载装置和半导体工艺设备，该装置中，至少一个环形通道围绕承载面的轴线设置；第二匀气通道组环绕于环形通道的外围；多个第一连接通道位于环形通道所围空间中，且相对于承载面的轴线对称分布，每个第一连接通道的一端用作进气口，另一端与环形通道连通；环形通道与第二匀气通道组之间通过多个第二连接通道连通；并且，多个第二连接通道相对于承载面的轴线的周向间隔设置。本方案可以有效提高朝晶圆的边缘部分吹出的吹扫气体在周向上的分布均匀性，从而可以提高工艺均匀性。
  • 承载装置半导体工艺设备
  • [发明专利]参数设置方法及参数设置系统-CN201911178829.X有效
  • 姜英伟 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2019-11-27 - 2023-10-17 - G06Q10/0633
  • 本发明提供一种参数设置方法及参数设置系统，所述参数设置方法包括：采集并记录循环进行工艺中的指定参数的实际值；在工艺每经过N次循环之后，对自当前循环次数算起，前M次循环对应的所述指定参数的实际值进行统计和计算，至少得到所述指定参数的第一统计数据和第二统计数据；判断所述第二统计数据是否满足当前工艺所对应的调度算法的阈值范围；若判断结果为是，则将所述第一统计数据赋值给当前工艺所对应的调度算法中的所述指定参数，作为工艺下一次循环时的所述指定参数的数值；其中，M≤N，且M和N均为大于1的整数。通过本发明提高了产能以及工艺效果。
  • 参数设置方法系统
  • [发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室-CN202210732648.2有效
  • 李冰 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2022-06-24 - 2023-10-13 - C23C14/56
  • 本申请公开了一种半导体工艺设备及其工艺腔室，属于半导体工艺技术。该半导体工艺设备的工艺腔室包括：遮蔽盘，用于对基座进行遮挡保护；旋转动力机构，用于驱动遮蔽盘旋转，使得遮蔽盘在第一位置与第二位置之间来回切换；升降动力机构，用于驱动遮蔽盘升降，使得遮蔽盘在第三位置与第二位置之间来回切换。本申请的工艺腔室，可实现遮蔽盘的升起和降落，以在对基座进行遮挡保护的同时，避免在遮蔽盘转移过程中因相对摩擦而产生颗粒导致产品不良的问题。
  • 半导体工艺设备及其工艺
  • [发明专利]薄膜沉积方法-CN202210026845.2有效
  • 张图 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2022-01-11 - 2023-10-13 - C23C14/35
  • 本发明提供一种薄膜沉积方法，包括：通气预热步骤，向反应腔室中通入溅射气体，同时开启反应腔室中的加热装置，对反应腔室的内环境及通入反应腔室中的溅射气体进行加热；薄膜沉积步骤，继续向反应腔室中通入溅射气体，并保持加热装置开启，且开启溅射电源，向靶材加载溅射功率，以在置于基座上的晶圆表面沉积薄膜；其中，加热装置在通气预热步骤中输出的加热功率小于在薄膜沉积步骤中输出的加热功率。本发明提供的薄膜沉积方法，其可以解决晶圆中心区域的晶粒生长能量不足的问题，从而可以提高薄膜的厚度均匀性、致密度和密度均匀性，进而可以提高薄膜的腐蚀均匀性。
  • 薄膜沉积方法
  • [发明专利]尾气处理装置-CN202210610918.2有效
  • 陈建升;谢远祥;闫士泉;杨帅 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2022-05-31 - 2023-10-13 - B01D53/00
  • 本发明实施例提供一种尾气处理装置，用于处理半导体工艺设备排出的氢气尾气。该尾气处理装置包括依次设置的进气腔、燃烧腔和冷凝腔，进气腔与燃烧相互隔绝，燃烧腔与冷凝腔相互连通，冷凝腔用于与厂务管道连通；其中，进气腔中设置有互不连通的氢气管路和氧气管路；氢气管路的进气口与半导体工艺设备的排气口连通，氧气管路的进气口与氧气源连通；氢气管路和氧气管路的出气口均与燃烧腔连通；燃烧腔用于供氢气和氧气燃烧；冷凝腔中设置有冷凝装置；冷凝装置用于冷凝燃烧产生的水蒸气，并收集冷凝水。本发明实施例提供的尾气处理装置，其能够避免氢气因燃烧不充分而产生爆鸣，并且能够避免冷凝水回流而影响燃烧反应的发生。
  • 尾气处理装置
友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期
咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top