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[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202111138400.5在审
发明人：内藤启;三好秀典;土场重树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够适当地降低等离子体处理中的基板背面的金属污染。基板处理装置具有：处理容器，在所述处理容器的内部对基板进行处理；等离子体生成空间，其形成于所述处理容器的内部；处理空间，其经由分隔板而与所述等离子体生成空间连通；载置台，其设置于所述处理空间的内部，在所述载置台的上表面载置基板；以及升降机构，其使基板在所述载置台上进行升降，其中，在所述处理空间中的基板的等离子体处理中，使用所述升降机构使基板进行升降，来使该等离子体处理中的基板发生电位变化。
处理方法装置

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN201910694304.5在审
发明人：阿部拓也;三好秀典;清水昭贵;长仓幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，能够对形成于微细凹部的内表面的SiN或Si均匀地进行蚀刻。蚀刻方法包括以下工序：将具有凹部且在凹部的内表面存在由SiN或Si构成的蚀刻对象部的基板设置在处理容器内；在处理容器内对基板进行含氧等离子体处理，优先地使所述凹部的顶部的蚀刻对象部的表面改性；接着，对蚀刻对象部进行各向同性的干蚀刻。
蚀刻凹部处理容器内表面含氧等离子体表面改性基板设置蚀刻装置微细对基板干蚀刻

[发明专利]金属膜的加工方法及加工装置-CN201280003850.6无效
发明人：军司勋男;三好秀典;原谦一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供一种金属膜的加工方法及加工装置。在利用气体团簇束对形成于被处理体（W）的表面的金属膜（72）进行加工的金属膜的加工方法中，通过将氧化金属膜的元素而形成氧化物的氧化气体、与氧化物反应而形成有机金属络合物的络合化气体以及稀有气体的混合气体绝热膨胀来形成气体团簇束，使气体团簇束碰撞于被处理体的金属膜，从而对金属膜进行蚀刻加工。
金属膜加工方法装置

[发明专利]阻挡层、成膜方法以及处理系统-CN201080025342.9无效
发明人： 三好秀典 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-06-16 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种阻挡层、成膜方法以及处理系统。该成膜方法用于对被处理体实施成膜处理，该被处理体在表面形成有绝缘层(1)，该绝缘层(1)由具有凹部(2)的low-k膜构成，金属层(3)暴露于该凹部(2)的底面，该成膜方法包括：第1金属含有膜形成工序，其用于形成第1金属含有膜，该第1金属含有膜含有第1金属、例如钌(Ru)；第2金属含有膜形成工序，其在上述第1金属含有膜形成工序之后进行，用于形成第2金属含有膜，该第2金属含有膜含有对填充到上述凹部中的填充金属具有阻挡性的第2金属、例如锰(Mn)。
阻挡方法以及处理系统

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201180005389.3无效
发明人： 三好秀典;伊藤仁;佐藤浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供的成膜方法包括：在成膜装置（100）的处理容器（1）内配置设置有绝缘膜的晶片（W）的工序；在处理容器（1）内供给TEOS等含有硅原子的化合物的气体和水蒸汽等OH基供给性气体，使Si-OH基在绝缘膜的表面形成的表面改性工序；和在处理容器（1）内供给包含含锰材料的成膜气体，由CVD法在形成有Si-OH基的绝缘膜的表面形成含锰膜的成膜工序。在表面改性工序中，在处理容器内既可以同时也可以交替地供给含有硅原子的化合物的气体和OH基供给性气体。
方法装置

[发明专利]成膜方法-CN201080031692.6无效
发明人： 三好秀典;原正道 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了对在表面暴露有使用铜的配线和绝缘膜的基板形成含锰膜的成膜方法。该成膜方法具备在使用铜的配线上，利用使用了锰化合物的CVD法形成含锰膜的工序(步骤2)。
方法

[发明专利]成膜方法、前处理装置和处理系统-CN201080026564.2无效
发明人：松本贤治;伊藤仁;三好秀典;保坂重敏;佐藤浩;根石浩司;小池淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2010-06-16 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明在于提供一种对具有凹部(2)的在表面形成有由low-k膜构成的绝缘层(122)的被处理体(W)形成含Mn的薄膜的成膜方法，其包括：在绝缘层的表面实施亲水化处理而形成亲水性表面的亲水化工序；通过在进行过亲水化处理的绝缘层的表面使用含Mn原料实施成膜处理形成含Mn的薄膜的薄膜形成工序。由此，在相对电容率低的由low-k膜构成的绝缘层的表面高效地形成含Mn的薄膜，例如MnOx膜。
方法处理装置系统

[发明专利]等离子体生成装置、等离子体处理装置以及处理方法-CN201110221979.1无效
发明人：堀胜;丰田浩孝;关根诚;伊藤仁;三好秀典 -专利权人：国立大学法人名古屋大学;东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种既能尽量降低微波的损失又能高效地生成高密度等离子体的等离子体生成装置(100)。具备：微波发生装置(21)，产生微波；中空状的矩形波导管(22)，与所述微波发生装置(21)连接，在微波的传送方向形成为细长状，与该传送方向正交的方向的截面形成矩形；气体供给装置(23)，与矩形波导管(22)连接并朝其内部供给处理气体；天线部(40)，是所述矩形波导管(22)的一部分，将在内部生成的等离子体朝外部放出。天线部(40)在其截面构成为短边的壁(40a)上具有1或多条隙缝孔(41)，由微波使供给至大气压状态的矩形波导管(22)内的处理气体等离子体化，进而从隙缝孔(41)朝外部的被处理体放出。
等离子体生成装置处理以及方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201080016867.6无效
发明人：松本贤治;三好秀典 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜装置，在能够抽真空的处理容器内，使用有机金属原料气体在被处理体表面形成薄膜的成膜装置中，其特征在于，在暴露在所述处理容器内的气氛的部件的表面，设置疏水层。
装置方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201080012807.7无效
发明人： 三好秀典 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在使用有机酸含有气体除去在基板上的Cu配线结构中的Cu表面的氧化铜膜和层间绝缘膜附着的Cu含有物残渣时，进行一边加热基板以使基板温度变为相对低温的第一温度，一边向基板供给含有有机酸气体的处理气体，以进行Cu含有物残渣的蚀刻除去的工序；和一边加热基板以使基板温度变为比上述第一温度更高温的第二温度，一边向基板供给含有有机酸气体的处理气体，通过以还原为主体的反应来除去上述Cu表面的氧化铜膜的工序。
处理方法装置

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN200880123403.8无效
发明人：军司勋男;三好秀典;伊藤仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，具有：使二价的羧酸金属盐与羧酸反应而生成一价的羧酸金属盐气体的工序；向基板(1)上供给一价的羧酸金属盐气体而沉积一价的羧酸金属盐膜(2)的工序；以及对沉积有一价的羧酸金属盐膜(2)的基板(1)提供能量，将一价的羧酸金属盐膜(2)分解，形成金属膜(3)的工序。
方法装置

[发明专利]金属附着物的除去方法-CN201010205234.1有效
发明人： 三好秀典;石川健治;立石秀树;林雅一;西川伸之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种金属附着物的除去方法，其特征在于：该方法用于除去附着于处理容器的内部的金属附着物，该处理容器在内部具有对形成有金属层的被处理基板进行处理的处理空间，控制所述处理容器内部的温度和所述处理空间的压力以使所述金属附着物升华。
金属附着物除去方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和记录介质-CN200880007585.2无效
发明人： 三好秀典;西村荣一;久保田和宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-03-04 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法，能够提供减少残留在构成半导体装置的金属上的氟而可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置的制造方法包括进行除去在形成电极或配线的金属上生成的金属氟化物的处理的氟化物除去工序，其中，该电极或配线是在被处理基板上形成的半导体装置的电极或配线，该半导体装置的制造方法的特征在于：在上述氟化物除去工序中，向上述被处理基板供给气体状态的甲酸，除去上述金属氟化物。
半导体装置制造方法记录介质

[发明专利]基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质-CN200780031448.8有效
发明人： 三好秀典;石川健治;立石秀树;林雅一;西川伸之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，包括：第一工序，将形成有金属层的被处理基板设定在第一温度，使含有有机化合物的处理气体附着在所述金属层上形成金属络合物；和第二工序，将所述被处理基板加热成比所述第一温度高的第二温度，使所述络合物升华。
处理方法半导体装置制造以及记录介质

[发明专利]CVD成膜方法和CVD成膜装置-CN200780028337.1无效
发明人： 三好秀典 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种CVD成膜方法和CVD成膜装置。在腔室(21)内的基座(22)上配置晶片(W)，向腔室(121)内连续供给来自气体供给机构(50)的金属化合物气体供给部(51)的金属化合物气体和来自气体供给机构(50)的还原性有机化合物气体供给部(52)的还原性有机化合物气体，由此在晶片(W)的表面形成金属膜。
cvd 方法装置

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