[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710019827.0 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106707715B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张学军;张志宇;薛栋林;王孝坤;程强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G03H1/04 | 分类号： | G03H1/04;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 130033 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其制作方法，在形成刻蚀膜之前增加一层截止膜，截止膜的刻蚀速率低于刻蚀膜的速率。在对刻蚀膜进行刻蚀时，刻蚀速率快的部分，刻蚀膜首先被刻蚀完成，此时开始刻蚀截止膜；而刻蚀速率较小的部分继续刻蚀刻蚀膜，由于截止膜的刻蚀速率低于刻蚀膜的刻蚀速率，因此，刻蚀膜被刻蚀较快的部分在截止膜部分等待刻蚀较慢的部分到达截止膜。当刻蚀较慢的刻蚀膜被刻蚀掉时，结束整个刻蚀加工过程，以形成计算全息图。本发明提供的半导体器件制作方法中将刻蚀膜的刻蚀深度均匀性转化为刻蚀膜的生长均匀性，刻蚀膜的生长均匀性相对于刻蚀膜的刻蚀深度均匀性更容易实现，从而降低了半导体器件的制作工艺对刻蚀设备精度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板的一个表面形成截止膜；在所述截止膜背离所述基板的表面制作形成刻蚀膜；对所述刻蚀膜进行刻蚀，以形成计算全息图；其中，所述截止膜的刻蚀速率低于所述刻蚀膜的刻蚀速率；所述截止膜的刻蚀速率与所述刻蚀膜的刻蚀速率比小于1/100。
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- 2017-11-30 - 2019-06-07 - G03H1/04
- 本发明提出一种相移干涉条纹生成系统及其生成方法，该生成系统包括可发射线偏振光的光源，可将所述光源发出光线分设形成为参照光与物体光两束光的分光单元，以及可将参照光与物体光合并的合光单元，所述分光单元与所述合光单元之间形成有参照光传输光路以及物体光传输光路，所述合光单元的光线输出端设置有偏振检波器，通过旋转偏振检波器的角度，以产生相移干涉条纹。该生成方法为基于上述生成系统。该发明实现了高速、高精度的四幅相移干涉条纹生成，极大程度上解决了以往相移干涉条纹生成装置低速、高额且精度差的问题，同时由于本发明装置的高速性在一定程度上也解决了由测量环境变动引起的测量不准等恶性问题。
- 紧凑型准共光路相移数字全息成像系统及方法-201711121140.4
- 张文辉;曹良才;张浩;金国藩 - 清华大学
- 2017-11-14 - 2019-05-28 - G03H1/04
- 本发明公开了一种紧凑型准共光路相移数字全息成像系统及方法，其中，系统包括：激光器；平面镜；显微物镜、针孔、准直透镜和线偏振片；非偏振分光棱镜和镀膜反射镜，镀膜反射镜连接压电陶瓷；像感器采集全息图，其中，全息图通过照射到物体上的物光波和被镀膜反射镜反射的参考光波干涉得到，调节载有非偏振分光棱镜的二维旋转调节架调节物光波角度，控制压电陶瓷实现参考光波的移相，通过相移算法以及衍射传播方法对全息图进行分析、重建，获取成像结果。该系统可以通过紧凑布置一个压电陶瓷驱动的镀膜反射镜和非偏振分光棱镜，调节二维旋转调节架，并控制压电陶瓷得到全息图，从而有效提高成像的稳定性、实用性和可靠性，简单易实现。
- 一种基于衍射光栅的数字全息成像方法、系统-201710676415.4
- 曹良才;张文辉;张浩;周钟海;赵严;金国藩 - 清华大学
- 2017-08-09 - 2019-05-28 - G03H1/04
- 本发明公开了一种基于衍射光栅的数字全息成像方法、系统，该方法通过对波长为λ的激光进行分光，形成第一光束和第二光束；通过在待成像透明物体背面的衍射光栅对入射到所述待成像透明物体的所述第一光束进行衍射调制，形成沿衍射方向的第一级物光波、第二级物光波、第三级物光波；对所述第一级物光波、所述第二级物光波、所述第三级物光波、所述第二光束进行合束，使所述第一级物光波、所述第二级物光波、所述第三级物光波、所述第二光束发生干涉以形成离轴全息图；通过像感器采集所述离轴全息图以形成数字全息成像图。该方法大大提高成像质量，简单易行，对系统稳定性要求不高，且视场扩展效果显著。
- 一种半导体器件及其制作方法-201710019827.0
- 张学军;张志宇;薛栋林;王孝坤;程强 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 2017-01-11 - 2019-05-21 - G03H1/04
- 本申请提供一种半导体器件及其制作方法，在形成刻蚀膜之前增加一层截止膜，截止膜的刻蚀速率低于刻蚀膜的速率。在对刻蚀膜进行刻蚀时，刻蚀速率快的部分，刻蚀膜首先被刻蚀完成，此时开始刻蚀截止膜；而刻蚀速率较小的部分继续刻蚀刻蚀膜，由于截止膜的刻蚀速率低于刻蚀膜的刻蚀速率，因此，刻蚀膜被刻蚀较快的部分在截止膜部分等待刻蚀较慢的部分到达截止膜。当刻蚀较慢的刻蚀膜被刻蚀掉时，结束整个刻蚀加工过程，以形成计算全息图。本发明提供的半导体器件制作方法中将刻蚀膜的刻蚀深度均匀性转化为刻蚀膜的生长均匀性，刻蚀膜的生长均匀性相对于刻蚀膜的刻蚀深度均匀性更容易实现，从而降低了半导体器件的制作工艺对刻蚀设备精度的要求。
- 一种基于压缩感知理论的全息图像高分辨率重建方法及系统-201610541875.1
- 秦文健;李喆;辜嘉 - 中国科学院深圳先进技术研究院
- 2016-07-11 - 2019-04-26 - G03H1/04
- 本发明提供一种基于压缩感知理论的全息图像高分辨率重建方法，包括以下步骤：步骤S1,获取多角度全息数据；步骤S2,将多幅低分辨率序列图像进行融合，提取先验信息，近似到一幅目标图像中；步骤S3,自学习稀疏字典重构，获取所述目标图像下采样图像，构成字典样本库，进行过完备字典训练，通过稀疏编码求稀疏表达系数，更新每个字典原子，采用重构算法求解目标方程以得到多个高分辨率图像块，然后对所述高分辨率图像块进行拼接，得到高分辨率全息图像。本发明还提供了相应的全息图像高分辨率重建系统。本发明提供的全息图像高分辨率重建方法和系统简化了重建过程，改善了重建效果。
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