[发明专利]对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置在审

申请号：	201910444639.1	申请日：	2019-05-27
公开（公告）号：	CN110544628A	公开（公告）日：	2019-12-06
发明（设计）人：	胜沼隆幸	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/311	分类号：	H01L21/311;H01J37/32
代理公司：	11322 北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人：	龙淳;刘芃茜<国际申请>=<国际公布>=
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供一种方法，其能够不封闭膜的开口，而面内均匀地形成保护侧壁面不受对膜进行蚀刻的化学种的影响的保护区域。在例示的实施方式的对膜进行蚀刻的方法中，在膜上形成前体的单分子层。膜具有用于形成开口的侧壁面和底面。利用化学种对膜进行蚀刻，该化学种来自从处理气体形成的等离子体。在对膜进行蚀刻期间，利用来自等离子体的化学种或来自等离子体的其他化学种，从单分子层形成保护区域。
搜索关键词：	蚀刻等离子体保护区域单分子层侧壁面开口处理气体不封闭底面前体
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【主权项】：

1.一种对膜进行蚀刻的方法，其特征在于：/n所述膜为具有用于形成开口的侧壁面和底面的有机膜，/n该方法包括：/n在所述有机膜上形成前体的单分子层的工序；和/n利用氧化学种对所述有机膜进行蚀刻的工序，其中所述氧化学种来自从含氧气体形成的等离子体，/n在对所述有机膜进行蚀刻的所述工序中，利用来自所述等离子体的所述氧化学种氧化所述单分子层来形成保护区域。/n

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摘要：一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法。涉及二极管加工工艺，尤其涉及一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法。提供了一种降低生产成本，提高加工效率和质量的一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法。本发明中在刻蚀过程中增加氧气改善了SiN/SiO选择比，将SiN/SiO的选择比从0.7左右提高至1.4左右，使得钝化层刻蚀时优先刻蚀尽SiN层，再较缓慢刻蚀SiO，保证了钝化层的刻蚀干净并且不会对划片道下层的SiO产生较多损失，提升了钝化层刻蚀后的外观良率，同时降低了正金腐蚀的返工次数，提升了产品的流转效率，降低了产品的生产成本。

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摘要：本发明涉及化合物半导体加工制造领域，公开了一种去除光刻胶底膜的工艺方法，包括如下步骤：利用传送手臂将待处理晶圆送至感应耦合等离子体刻蚀机的工艺腔体内，并将传送手臂收回；待晶圆位置固定之后，在工艺腔体内采用Ar等离子体处理待处理晶圆，并控制感应耦合等离子体刻蚀机的功率处于第一预设功率，偏置功率处于第二预设功率，并停留预设时长；在工艺腔体内采用O

去除半导体基片掩膜层的方法-201510644262.6
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摘要：一种去除半导体基片掩膜层的方法，首先对基片正面进行减薄工艺，去除部分的第一掩膜层；然后再对基片进行湿法腐蚀工艺，以去除余下的第一掩膜层以及去除部分的第二掩膜层，靠近基片背面的LTO结构处于第二掩膜层的保护下，并不会受到湿法腐蚀工艺的损坏，从而很好地保护了LTO结构，避免了晶片的损坏，降低了晶片报废的风险。

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摘要：本发明提供一种在对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的技术中抑制由氮化硅构成的第2区域被削去且使处理时间较短的蚀刻方法。在本发明的蚀刻方法中，为了对第1区域进行蚀刻而执行一次以上的序列。一次以上的序列中的各个序列具有如下工序：在被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物的第1工序和利用堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对第1区域进行蚀刻的第2工序。在执行一次以上的序列之后，生成含有碳氟化合物气体的第2处理气体的等离子体而对第1区域进一步进行蚀刻。

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摘要：本发明提供一种在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。在本发明的蚀刻方法中，为了对第1区域进行蚀刻，执行一次以上的第1序列，然后，执行一次以上的第2序列。一次以上的第1序列中的各个序列和一次以上的第2序列中的各个序列包含：第1工序，在该第1工序中，在被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物；以及第2工序，在该第2工序中，利用堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。第1区域被一次以上的第1序列中的各个序列蚀刻的量少于第1区域被一次以上的第2序列中的各个序列蚀刻的量。

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发明人：渡边光;辻晃弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L21/311
摘要：本发明提供一种在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；(b)第2工序，在该第2工序中，在容纳有被处理体的处理容器内进一步生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；以及(c)第3工序，在该第3工序中，利用通过第1工序和第2工序而形成在被处理体上的堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。第1工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率小于第2工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率。

对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置-201910444639.1
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摘要：本发明提供一种方法，其能够不封闭膜的开口，而面内均匀地形成保护侧壁面不受对膜进行蚀刻的化学种的影响的保护区域。在例示的实施方式的对膜进行蚀刻的方法中，在膜上形成前体的单分子层。膜具有用于形成开口的侧壁面和底面。利用化学种对膜进行蚀刻，该化学种来自从处理气体形成的等离子体。在对膜进行蚀刻期间，利用来自等离子体的化学种或来自等离子体的其他化学种，从单分子层形成保护区域。

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摘要：本发明提供一种氧化层去除方法及半导体加工设备，该氧化层去除方法包括以下步骤：S1，对待加工层进行氧化，以形成指定氧化层；S2，对具有指定氧化层的待加工层进行刻蚀；循环进行步骤S1和步骤S2，直至达到预设的总刻蚀厚度；其中，通过调节步骤S1获得的指定氧化层的厚度，使步骤S2中指定氧化层和待加工层的刻蚀选择比达到预设比例。本发明提供的氧化层去除方法及半导体加工设备的技术方案中，能够使指定氧化层和待加工层的刻蚀选择比达到预设比例，满足工艺对刻蚀选择比的要求。

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摘要：本发明提供了一种集成离子刻蚀划片槽和密封环的制造方法，包括：第一步骤：在形成有介质层的晶圆上淀积钝化层氧化硅；第二步骤：利用第一次光刻工艺定义密封环区域和划片槽区域，刻蚀掉划片槽区域以及与划片槽区域邻接的部分密封环区域内的介质层直至露出衬底表面；第三步骤：淀积钝化层氮化硅，同时使露出的衬底表面以及密封环区域侧壁形成一层氮化硅保护层；第四步骤：利用第二次光刻工艺定义焊盘区域和划片槽区域，刻蚀掉划片槽区域中的氮化硅保护层。

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摘要：本发明公开了一种TiN薄膜的刻蚀方法，该TiN薄膜包含氧化层；该刻蚀方法包括：步骤S1前处理步骤，采用第一清洗液，在第一清洗液温度下，清洗第一清洗时间；步骤S2主处理步骤，采用第二清洗液，在第二清洗液温度下，清洗第二清洗时间。在同一清洗腔内，进行完所述步骤S1之后，连续地进行所述步骤S2。据此，根据所述刻蚀方法，能够先将TiN薄膜表面的氧化层去除后，随即进行TiN薄膜，此时即消除了氧化层的影响，TiN薄膜的刻蚀速率并不会因在不同材料间的刻蚀而产生波动，从而能够对刻蚀速率进行监测，并且据此对刻蚀工艺参数进行调节，使得该湿法刻蚀的工艺精度提升，减小对后续工艺的不良影响，最终制造出满足精度要求的器件。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置在审

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