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[发明专利]蚀刻方法-CN202280005713.X在审
发明人：筱田和典;滨村浩孝;前田贤治;横川贤悦;阮氏翠儿;石川健治;堀胜 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-02-01 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供蚀刻量的均匀性高且蚀刻处理的成品率得以提升的蚀刻技术。在对配置于晶片的表面的包含SiGe的处理对象的膜层进行蚀刻的蚀刻方法中，具备如下工序：对膜层的表面供给包含氟、氢、氮的反应性的粒子，来在该膜层的表面形成包含氮‑氢键的反应层；和加热膜层来使反应层脱离。
蚀刻方法

[发明专利]等离子处理装置-CN201980005077.9有效
发明人：岩瀬拓;矶崎真一;横川贤悦;森政士;佐山淳一 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：为了能够使中心高的分布和节分布这两方独立地对等离子密度分布进行控制，针对处理的均匀性能够以更高精度对试料进行等离子处理，将等离子处理装置构成为具备：真空容器，试料被等离子处理；高频电源，提供用于生成等离子的高频电力；试料台，载置试料；和磁场形成部，使真空容器的内部形成磁场并被配置于真空容器的外侧，磁场形成部中具备：第1线圈；第2线圈，被配置于比第1线圈更靠内侧的位置且直径比第1线圈的直径小；第1磁轭，覆盖第1线圈、真空容器的上方以及侧面且第1线圈被配置于内部；和第2磁轭，沿着第2线圈的周方向覆盖第2线圈并在第2线圈的下方侧具有开口部。
等离子处理装置

[发明专利]蚀刻方法-CN202180005025.9在审
发明人：筱田和典;滨村浩孝;前田贤治;横川贤悦;石川健治;堀胜 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供蚀刻量的均匀性高且蚀刻处理的成品率得以提升的蚀刻技术。蚀刻方法对配置于晶片的表面的包含过渡金属的氮化物的处理对象的膜层进行蚀刻，该蚀刻方法具备如下工序：对膜层的表面供给包含氟、氢而不含氧的反应性的粒子，来在该膜层的表面形成反应层；和加热膜层来使反应层脱离。
蚀刻方法

[发明专利]等离子处理装置-CN201910746777.5有效
发明人：一野贵雅;佐藤浩平;中本和则;横川贤悦 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子处理装置。使等离子处理装置具备如下要素而构成：真空容器；载置台，其具备在该真空容器的内部载置被处理样品的电极基材、覆盖该电极基材的外周部分的由绝缘性的材料形成的基座环、和绝缘环，该绝缘环被该基座环覆盖并包围电极基材的外周而配置，在上表面和与电极基材的外周对置的面的一部分形成薄膜电极；第1高频电力施加部，其对该载置台的电极基材施加第1高频电力；第2高频电力施加部，其对形成于绝缘环的薄膜电极施加第2高频电力；等离子产生单元，其在真空容器的内部使载置台的上部产生等离子；和控制部，其控制第1高频电力施加部、第2高频电力施加部和等离子产生单元。
等离子处理装置

[发明专利]等离子处理装置-CN201980015455.1在审
发明人：梶房裕之;横川贤悦;荒濑高男;森政士 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：为了提供能得到稳定的等离子处理特性的等离子处理装置，样品台配置于真空容器内部的处理室内的下部，载置利用所述等离子的处理对象的晶片，且在配置于上部的中央部的凸状部的上表面载置所述晶片，在该样品台中具备：配置于内部且在所述晶片的处理中供给高频电力的电极、以及在所述样品台的所述凸状部的外周侧包围所述上表面而配置的导体制的环状构件的电极；电介质制的第1环状覆盖物，在该环状构件与所述处理室之间、以及该环状构件与所述样品台的上表面之间，相对于所述环状构件覆盖而配置；导体制的第2环状覆盖物，在所述处理室与第1环状覆盖物的上表面之间将第1环状覆盖物的上表面覆盖而配置，还具备：调节器，对应于检测在晶片的处理中供给到导体制的环状构件的高频电力的电压的结果来调节该高频电力的大小。
等离子处理装置

[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法-CN201811538842.7有效
发明人：荒卷徹;横川贤悦 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于提高等离子体处理装置的可靠性，并提高等离子体处理中的合格率。等离子体蚀刻装置(100)具有：基座环(113)，覆盖样品台的表面；导体环(131)，配置在基座环(113)的内部，并且供给来自第二高频电源的第二高频电力；和供电连接器(161)，构成向导体环(131)供给上述第二高频电力的路径。进而，供电连接器(161)具备板簧(135)，该板簧(135)配置于在上述样品台的贯通孔(120c)内配置的绝缘凸台(144)的内部，并且，与上部端子(143)以及下部端子(145)连接且具有沿上下方向P施力而伸缩的弹性。
等离子体处理装置以及方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201910061907.1有效
发明人：丹藤匠;一野贵雅;横川贤悦 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的等离子体处理装置提高等离子体处理装置的合格率。具备：处理室；样品台，设置在该处理室内部，对被处理物进行载置；真空排气部，将处理室内部排气成真空；和等离子体产生部，在处理室内部产生等离子体，在处理室内部载置被处理物的样品台，具备：第1金属制基材，在内部形成有冷媒的流路；第2金属制基材，处于该第1金属制基材上部且热传导率比第1金属制基材小；和多个升降销钉，使被处理物相对于样品台上下地移动，在第1金属制基材和第2金属制基材形成穿过多个升降销钉的多个贯通孔，在多个贯通孔各自的内部构成为使升降销钉和第1金属制基材以及第2金属制基材电绝缘，且将由热传导率比第2金属制基材高的绝缘构件形成的凸台插入。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201810153827.4有效
发明人：岩濑拓;手束勉;矶崎真一;横川贤悦;森政士 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，具备：处理室，配置于真空容器内部；样品台，配置于该处理室内部，在上表面放置处理对象的晶片；电介质制的圆板构件，在处理室上方与样品台上表面对置配置；圆板状的上部电极，面向样品台的一侧被圆板构件覆盖而配置，被提供用于形成用于在处理室内形成等离子体的电场的第1高频电力；线圈，覆盖处理室的上方和周围配置于真空容器的外部，产生用于形成等离子体的磁场；和下部电极，配置于样品台的内部，被提供用于在放置于样品台的晶片上形成偏置电位的第2高频电力，具备：环状的凹部，在圆板构件与上部电极之间形成于圆板构件一侧；和金属制的环状的构件，嵌入该环状的凹部并且与上部电极相接。据此，提升处理的成品率。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子处理装置-CN201880004600.1在审
发明人：近藤勇树;横川贤悦;森政士;宇根聪;中本和则 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供能减少样品的针对面内方向的处理的偏差并提高处理的成品率的技术。本等离子处理装置(1)具备：配置于样品台(110)内的第1电极(基材(110B))；包围样品台(110)的上表面部(310)(电介质膜部(110A))的外周侧地配置的环状的第2电极(导体环(114))；覆盖第2电极并包围上表面部(310)的外周地配置的电介质制的环状构件(基座环(113))；用于对第1电极以及第2电极各自从高频电源提供高频电力的多个供电路径；和配置于向第2电极的供电路径上的匹配器(117)。并且，向第2电极的供电路径上的匹配器(117)与第2电极之间的第1部位(A1)、和接地部位之间经由被设为给定的值的电阻(118)电连接。
电极供电路径上表面部配置的匹配器样品台外周等离子处理装置包围电介质膜电介质制高频电力高频电源环状构件接地部位成品率导体环电连接基座环内方向电阻基材配置覆盖

[外观设计]等离子处理装置用环-CN201930195899.0有效
发明人：矶崎真一;森政士;横川贤悦;荒濑高男;岩濑拓 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：等离子处理装置用环。2．本外观设计产品的用途：本产品为一种等离子处理装置用环，其在半导体制造装置上使用，设置在气体流路上用于优化等离子形成空间。3．本外观设计产品的设计要点：如立体图所示内容最能体现本外观设计产品的设计要点。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．在使用状态及示出各部名称参考图中，E‑等离子处理室，F‑电极头，G‑半导体晶圆，H‑绝缘环，I‑基座，J‑本外观设计产品，K‑环壳。
外观设计等离子处理装置半导体制造装置等离子形成空间等离子处理室半导体晶圆电极头绝缘环气体流环壳优化图片

[外观设计]等离子处理装置用电极板外周环-CN201830046523.9有效
发明人：矶崎真一;森政士;横川贤悦;荒濑高男;桥本尊久 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：等离子处理装置用电极板外周环。2．本外观设计产品的用途：如使用状态及示出各部名称参考图所示，本产品为在半导体制造的等离子处理装置中，设置在喷出气体的电极板外周附近的外周环。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图2。5．在使用状态及示出各部名称参考图中，F ‑硅片，G ‑等离子受光端口，H‑等离子处理装置用电极板，I‑本外观设计产品，J‑等离子处理装置用感受器，K‑本外观设计产品，L‑锥形部。
外观设计等离子处理装置用电极板外周环半导体制造等离子电极板感受器锥形部硅片喷出受光外周图片

[外观设计]等离子处理装置用电极板-CN201830046524.3有效
发明人：矶崎真一;森政士;横川贤悦;荒濑高男;桥本尊久 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：等离子处理装置用电极板。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于作为在半导体制造中等离子处理装置的气体喷出板上使用的电极板。3．本外观设计产品的设计要点：如立体图所示内容，最能体现本外观设计产品的设计要点。特别在于B部放大图中所示产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．在使用状态及示出各部名称参考图中，E‑硅片，F‑等离子受光端口，G‑上部对侧电极，H‑本外观设计产品，I‑等离子处理装置用电极板外周环，J‑等离子处理装置用感受器。在各个示出透光及透明部参考图中，斜线所示的外环部具有透光性，中间灰色部分为透明。
外观设计等离子处理装置用电极板半导体制造产品形状侧电极等离子电极板感受器喷出板透光性透明部外环部外周环透光斜线硅片受光透明图片

[外观设计]等离子处理装置用基座-CN201830046879.2有效
发明人：矶崎真一;森政士;横川贤悦;荒濑高男;酒井洋辅 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：等离子处理装置用基座。2．本外观设计产品的用途：本产品为在半导体制造的等离子处理装置中，从等离子中保护试料台的基座。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．在使用状态及示出各部名称参考图中，D‑硅片，E‑等离子受光端口，F‑等离子处理装置用电极板，G‑等离子处理装置用电极板外周环，H‑本外观设计产品。
外观设计等离子处理装置用电极板等离子半导体制造试料台外周环硅片受光图片

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