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[实用新型]一种用于真空蒸发镀膜的镀料坩埚-CN202321050297.3有效
发明人：李丽娟 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于真空蒸发镀膜的镀料坩埚，所述坩埚包括坩埚本体和连接在所述坩埚本体正上方的外延结构，所述外延结构为标准圆柱形。坩埚本体与传统坩埚外形一致，坩埚本体上方的外延结构采用标准圆柱状，对蒸镀出的镀料原子或分子的方向做出选择，使其延相对准直向上的方向发射，发射出的蒸镀原子或分子直接进入到衬底的孔洞中，以获得更好的填充密度。
一种用于真空蒸发镀膜坩埚

[实用新型]一种去胶机晶圆载盘-CN202321345165.3有效
发明人：赵志敏 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种去胶机晶圆载盘，包括多个设置于盘体上的晶圆凹槽，所述晶圆凹槽的形状适配晶圆形状，晶圆凹槽的深度大于晶圆的深度，每个晶圆凹槽外圈均设置有缺口；所述晶圆凹槽底部为十字网格线槽，且每个晶圆凹槽底部设置有三针升降孔。本实用新型的盘体采用底部粗糙处理设计，减少因晶圆背部光滑而造成晶圆在放置和加工过程中位移，从而减少晶圆和载盘晶圆凹槽的碰撞，并且在取片的时候可以释放晶圆背部的应力，不会因太光滑和晶圆相互吸引使得晶圆难以取出；每个晶圆凹槽底部设置有三针升降孔，该三针升降孔可通过外部升降针进行操作，从而方便升起和降下晶圆，减少使用直接通过缺口取出对操作人员的烫伤问题。
一种去胶机晶圆载盘

[实用新型]一种可用于多种光刻机对位用光罩-CN202321161441.0有效
发明人：高雅楠;程鑫怡 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可用于多种光刻机对位用光罩，属于光刻机的对位系统及对位标记技术领域，所述光罩上设有对准标记组，对准标记组包括至少两种型号光刻机所需的对准标记，各对准标记相互独立。本实用新型在光罩上集成各型号光刻机所需的对准标记，即提供了一种可兼容不同型号曝光机对位用的对准标记组，为后续不同曝光机的对位提供基准，进而保证后续有序曝光，提高了产品制程效率；各对准标记相互独立，彼此间不会相互影响，避免了各类对位标记相互遮挡的问题。
一种用于多种光刻对位用光

[实用新型]一种降低晶圆运输过程中碎边与碎片风险的晶圆盒-CN202321409680.3有效
发明人：刘晓辉 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种降低晶圆运输过程中碎边与碎片风险的晶圆盒，属于半导体设备技术领域，晶圆盒本体内设有承载晶圆的腔体；晶圆盒本体两侧均开设有竖直盲槽，盲槽内均设有缓冲杆，缓冲杆顶部均经弹性件与晶圆盒本体连接，腔体上方或下方左右两侧分别开设有一“L”型通槽；两个通槽内均设有具有弹性的伸缩杆，两个伸缩杆分别与缓冲杆连接。在搬运晶圆盒过程中，弹性件处于拉伸状态，此时缓冲杆向下运动，并带动伸缩杆进行伸缩位移，使伸缩杆接触至晶圆表面，为晶圆提供缓冲或固定晶圆，进而降低晶圆运输过程中碎边和碎片风险。
一种降低运输过程中碎边碎片风险晶圆盒

[实用新型]适用于多蒸发源的改善蒸发设备膜均匀性的修正装置和蒸发设备-CN202321345549.5有效
发明人：李海江 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于多蒸发源的改善蒸发设备膜均匀性的修正装置和蒸发设备，修正装置包括：一旋转主架，竖向设置；至少两个旋转支架，连接在旋转主架的顶端；每个旋转支架分别与旋转主架呈100‑150度设置，且相邻旋转支架的角度大于30度；修正板，可拆卸式的安装在旋转支架上；驱动电机，与旋转主架电连接。在本实用新型中，根据实际蒸发源的类型，分别选择对应结构的修正板安装在旋转支架上，此时旋转主架上包括多个安装有修正板的旋转支架；之后根据实际蒸发源使用的先后顺序，在驱动电机的驱动下，旋转主架先后带动旋转支架转动至蒸发源上方，从而使得对应结构的修正板适配对应的工艺流程，从而达到最好的制备效果。
适用于蒸发改善设备均匀修正装置

[发明专利]一种提升SiC MOSFET器件崩溃电压的方法-CN202310910585.X在审
发明人：林张鸿;冯小涛;赵炎;张淞;何泽涛;林书勋;黎明 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升SiC MOSFET器件崩溃电压的方法，属于半导体技术领域，包括：将多个MOSFET管并联，将SiC MOSFET器件的沟道区域由现有垂直的排列结构，重新设计成垂直和水平结构共存；将所述MOSFET管的栅极设计为方形矩阵列式。该方法提升MOSFET器件沟道的面积，增加器件栅极开关可控的沟道面积再并联多个MOSFET，进而提升整体并联后的等校晶体管的崩溃电压，该方法形成的SiC MOSFET器件有别于一般传统硅基MOSFET，碳化硅基MOSFET器件单位面积的功率密度更高，适用于1200V～1500V高压器件开关。
一种提升 sic mosfet 器件崩溃电压方法

[发明专利]在基于碳化硅高阻衬底的氮化镓晶圆上制作T型栅的制作工艺-CN202310959184.3在审
发明人：张峻峰 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了在基于碳化硅高阻衬底的氮化镓晶圆上制作T型栅的制作工艺，包括：在氮化镓晶圆上通过生长一层氮化硅介质层；在氮化硅介质层上均匀涂抹一层电子束光刻胶并烘烤；利用磁控溅射技术在电子束光刻胶表面溅射一层Au导电层；电子束扫描曝光；去除Au导电层；T型栅的栅槽图形刻蚀，制作T型栅的栅帽图形；在栅槽图形和栅帽图形蒸镀金属；去除负光刻胶。本发明为减少表面电荷积累，再在电子束光刻胶的表面溅射一层超薄导电金属层即Au导电层；第二层的栅帽制作采用传统的I‑line光刻工艺，只需一次涂胶、曝光、显影，无需缩胶。完成栅帽图形光刻后，进行一次栅金属物理气相沉积，之后进行剥离去胶，可适用于0.15微米T型栅制作。
基于碳化硅衬底氮化镓晶圆上制作工艺

[实用新型]一种芯片化学喷淋去层装置-CN202321345181.2有效
发明人：杨梅;朱洪辉;王金龙 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片化学喷淋去层装置，属于芯片去层技术领域，包括固定底座以及设置在固定底座上用于固定芯片的支撑装置，所述支撑装置上设置有喷淋装置；本实用新型的支撑装置同时固定托台与喷淋装置，由于喷淋装置的喷淋头位于托台的正上方，使得去层喷淋时，自动将喷淋头定位在芯片正上方，不需要人工调节定位，避免了去层时不便于对芯片进行定位的问题；将连接管、导管和喷淋头连通，实现自动喷淋，通过真空吸盘与负压泵自动将芯片进行吸附固定，节省了化学喷淋去层时大量的手工操作，提高效率、质量以及精度。
一种芯片化学喷淋装置

[实用新型]一种芯片表面颗粒及多余物去除装置-CN202320754200.0有效
发明人：丁一 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片表面颗粒及多余物去除装置，属于芯片外观处理技术领域，包括显微镜和真空发生子装置；显微镜上设有放置芯片的载物台，真空发生子装置的气路出口对准芯片。本实用新型与真空发生子装置的结合，将芯片表面的颗粒和多余物暴露在显微镜下，人员通过显微镜观测具体位置后，再使用真空发生子装置将芯片表面颗粒和多余物去除，操作简单，有效提高了芯片外观处理效率，较目前芯片外观处理方式效率至少提升10倍，同时能够节约人工成本开销。
一种芯片表面颗粒多余去除装置

[发明专利]一种兼容多种厚度晶圆的电镀设备的设计方法-CN202310951132.1在审
发明人：程盼盼 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C25D17/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼容多种厚度晶圆的电镀设备的设计方法，包括：提供一个电镀槽用于盛放电镀液；提供一个温控装置用来保障制程温度；提供一套循环系统用于电镀液的循环和补充排放；提供一个电镀载具用于安装多种厚度待镀晶圆；提供一个传送机构用来保障所述电镀载具的传送及晶圆电镀的便捷性均一性；提供一个晶圆装载平台用于晶圆的取放；提供一套清洁干燥手臂用于晶圆表面的清洁及干燥。本发明便于晶圆的取放与电镀前后晶圆的清洁干燥，减少电镀过程中晶圆表面气泡的产生，并可兼容多种厚度晶圆，避免碎片。
一种兼容多种厚度电镀设备设计方法

[实用新型]一种晶圆键合辅助补胶装置-CN202320543917.0有效
发明人：刘晓辉 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B05C9/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆键合辅助补胶装置，属于半导体设备技术领域，平台，用于放置待补胶件；补胶部件，包括注射器，注射器内存储有键合胶，注射器的出胶口与待补胶件的待补胶位置平行。本实用新型采用注射器便于精确对准晶圆待补胶位置，同时能够精细控制键合胶的出胶量，以此对晶圆待补胶位置进行精准补胶，解决涂胶工艺导致的漏胶问题，提高了晶圆键合良率，通过胶层对晶圆进行支撑，降低了后续减薄工艺出现碎边或者碎片的问题，同时还避免了产品rework造成的效率低下、成本增加的问题。
一种晶圆键合辅助装置

[发明专利]一种大幅提高设备稼动率的晶圆传送方法-CN202310811482.8在审
发明人：程盼盼 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种大幅提高设备稼动率的晶圆传送方法，基于晶圆传送系统，所述系统包括：晶圆传送装置；以及手臂，设置于晶圆传送装置和外部晶圆制程腔室之间；所述方法包括以下步骤：手臂在其中一组承载组件上取放晶圆时，根据实际需求手臂在第一晶圆定位栓和承载平台之间所形成的取放空间按照需求角度将晶圆抬起高于第二晶圆定位栓后，直接按照对应方向移动。在本发明中，平台支架两端具有一定水平距离，手臂的取放空间为第一晶圆定位栓和承载平台之间所形成，从而使得手臂可以有更广的角度从晶圆传送装置上顺利取放晶圆，实现从晶圆传送装置同时取放晶圆，大幅提升设备稼动率。
一种大幅提高设备稼动率传送方法

[发明专利]一种含镁高电子迁移率电子自旋晶体管的外延结构、制备方法和晶体管-CN202310238532.8在审
发明人：张珂 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种含镁高电子迁移率电子自旋晶体管的外延结构、制备方法和晶体管，外延结构包括由下至上依次设置的：GaAs衬底、ZnTe缓冲层、p‑Zn70％Mg30％Te薄膜层、ZnTe阻止层、(Zn90％，Cr10％)Te磁性层、AlN绝缘层、Au电压引出层，所述p‑Zn70％Mg30％Te薄膜层的掺杂元素为N原子。本发明在p‑Zn70％Mg30％Te薄膜层之上的ZnTe阻止层的作用是防止p‑Zn70％Mg30％Te薄膜层的N原子向(Zn90％，Cr10％)Te磁性层进行扩散，从而改变(Zn90％，Cr10％)Te磁性层的物理特性，并进一步提高器件的有效工作温度。
一种含镁电子迁移率自旋晶体管外延结构制备方法

[发明专利]一种版图元器件关键信息提取方法及终端-CN202310021934.2在审
发明人：汪昌思;蒋志超 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种版图元器件关键信息提取方法及终端，属于化合物半导体版图设计及制造技术领域，包括以下步骤：对版图划片槽工艺层进行识别，获取芯片特征方框信息；根据芯片特征方框信息获取芯片尺寸信息及位置信息；根据芯片尺寸信息对芯片进行分类处理；获取各类芯片的元器件关键信息，包括特征图形信息以及坐标点信息。本发明通过依次获取芯片特征方框信息、芯片尺寸信息及位置信息，并对芯片进行分类处理，进而获取各类芯片包含的元器件关键信息，即元器件种类、尺寸以及位置分布等信息，以此实现版图元器件信息的高效化处理，能够为工艺优化提供信息参考与指导。
一种版图元器件关键信息提取方法终端

[发明专利]一种晶圆划片方法-CN202310146175.2在审
发明人：孙锦洋 -专利权人： 成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆划片方法，包括：在晶圆划片机安装第一切割刀片后进行第一次切割，去除工艺生产中间产物；将安装在晶圆划片机的第一切割刀片更换为第二切割刀片后进行第二次切割；所述晶圆划片机包括：夹具，连接划片机的主轴端部和切割刀片，所述夹具包括顺次固定连接的套接部、支撑部和卡接部；所述套接部内设置有与所述主轴端部匹配的套接凹槽，所述卡接部内设置有第一螺纹孔，所述第一螺纹孔与主轴端部的第二螺纹孔的结构和位置匹配；所述第一螺纹孔和套接凹槽相连并贯穿整个夹具。本发明保证刀片安装过程中刀片不会受损，延长主轴的使用寿命，降低划片机的使用成本，并且节省换刀时间，提高换刀效率，增加切割产能。
一种划片方法

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