[发明专利]针对SiC材质实现大尺度、高深宽比三维结构加工方法无效
| 申请号： | 201210517235.9 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103043606A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 朱健;侯智昊;石归雄;郁元卫 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | B81C99/00 | 分类号： | B81C99/00 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，包括如下工艺步骤：一、利用易加工的硅材料先进行大尺度、高深宽比三维结构构架加工；二、在硅基上异质生长SiC材料；三、将硅腐蚀掉，最后形成SiC大尺度、高深宽比三维结构构架。优点：解决了由于SiC材质类似于金刚石的硬度而无法或很难直接进行大尺度、高深宽比三维结构加工，利用MEMS牺牲层技术和SiC材料生长技术巧妙结合，实现SiC大尺度、高深宽比三维结构加工；本发明包括硅基三维结构设计，硅基上异质生长SiC材料，结构释放，SiC三维结构形成。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 sic 材质 实现 尺度 高深 三维 结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：一、利用易加工的硅材料先进行大尺度、高深宽比三维结构构架加工；二、在硅基上异质生长SiC材料；三、将硅腐蚀掉，最后形成SiC大尺度、高深宽比三维结构构架。
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- 2016-09-30 - 2017-07-28 - B81C99/00
- 本发明公开了一种对MEMS微结构进行非接触式激励的聚焦激波激励装置，包括基板，在基板上设有手动三轴位移台和支座，手动三轴位移台的Z轴溜板上设有微结构单元；在支座上端设有内腔为半个椭球面的椭球腔体，椭球面第一焦点位于椭球腔体内，微结构单元位于椭球面的第二焦点一侧；在椭球腔体上设有针电极单元；二个针电极分别与高压电容的两极电联接，在高压电容与一个针电极之间设有第一空气开关，二个针电极针尖之间距离小于高压电容充分充电后的最大空气击穿间隙；高压电容电联接至高压电源的正负极。有益效果是该装置能够避免底座结构的振动响应对测试结果的干扰，实现了对MEMS微结构的非接触式激励，激励效果好，便于获取微结构的动态特性参数。
- 基于对称型双柔顺铰链的三自由度微定位平台-201510613152.3
- 卢清华;张财喜 - 佛山科学技术学院
- 2015-09-23 - 2017-07-25 - B81C99/00
- 本发明提供一种基于对称型双柔顺铰链的三自由度微定位平台，包括定平台、动平台、设置在定平台上的驱动器和用于连接定平台和动平台的三个杠杆放大机构；三个杠杆放大机构均匀布设在动平台的外围，并分别与定平台、动平台和驱动器连接；其中，每个杠杆放大机构包括活动杠杆、双柔顺铰链和设置有双柔顺铰链的导向机构；活动杠杆通过双柔顺铰链分别与定平台和驱动器连接，并通过导向机构与动平台连接；双柔顺铰链为对称型双柔顺铰链。该微定位平台在满足安装空间和固定频率等各种条件的前提下，可提高位移定位精度和获得尽量大的行程；其具有矫正位移输出功能的微定位平台，使得位移尽量呈线性输出，从而减小耦合位移。
- 一种微型器件及用于微型器件的封装模具-201310074751.3
- 谢元华;姜彬 - 昌和生物医学科技（扬州）有限公司
- 2013-03-08 - 2017-05-24 - B81C99/00
- 本发明涉及一种用于微型器件的封装模具，所述封装模具包括相互盖合的衬底及盖板，其中，所述盖板与所述衬底相互盖合后，形成一用于固定收容所述微型器件的密封腔，在所述微型器件的左、右两侧设置有连接腔，所述微型器件的接脚设置在所述连接腔中。
- 圆片级芯片尺寸封装的测试方法-201510686666.1
- 赵阳;文彪;蒋乐跃;刘海东;程安儒;李斌 - 美新半导体（无锡）有限公司
- 2015-10-21 - 2017-03-08 - B81C99/00
- 本发明提供一种圆片级芯片尺寸封装的测试方法，其包括将一张圆片级芯片尺寸封装的圆片划片切割为多个圆片条带，每个圆片条带包括有多个未划片的芯片尺寸封装器件；将每个圆片条带放置于对应的条带载具上；利用测试设备对放置于所述条带载具上的圆片条带中的各个芯片尺寸封装器件进行测试；和将测试完成后的圆片条带划片分割成单个的芯片尺寸封装器件。由于不是将众多分割后的芯片一个一个装入插座，而是将有限的几个圆片条带放入条带载具，这样流程阻塞得以避免。
- 半导体器件中深槽的填充结构及其填充方法-201310187402.2
- 代丹 - 无锡华润上华半导体有限公司
- 2013-05-17 - 2017-02-08 - B81C99/00
- 本发明公开了一种半导体器件中深槽的填充方法，包括下列步骤对硅衬底进行刻蚀，形成沟槽结构；在沟槽结构的底部和侧壁淀积第一氧化层；在所述第一氧化层表面淀积非晶硅层；在所述非晶硅层表面淀积第二氧化层。本发明还公开了一种半导体器件中深槽的填充结构。上述半导体器件中深槽的填充方法，填充结构在花瓶深槽的瓶颈处填充得更完全，结构更稳固。高温处理（例如退火）后不会在膜层表面出现断裂或脱落现象。所以可在该填充结构上继续生长其它器件结构层，进行光刻等工艺。
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