[发明专利]碳化硅衬底上的电接触

摘要

本发明涉及碳化硅衬底上的电接触。一种用于在碳化硅衬底（105）上制造具有第一金属层（111）和至少一个第二金属层（121‑123）的电接触（106）的方法包括：执行化学清洁工艺（300），以去除碳残留物（302）的至少一部分，用于清洁第一金属层（111）。第一金属层（111）和/或第二金属层（121‑123）可以通过溅射沉积来产生。

主权项

1.一种用于在碳化硅衬底（105）上制造电接触（106）的方法，所述电接触（106）具有第一金属层（111）和至少一个第二金属层（121-123），其中所述方法包括：/n- 在所述碳化硅衬底（105）上沉积所述第一金属层（111），/n- 使所述第一金属层（111）退火，由此形成碳残留物（302），/n- 执行化学清洁工艺（300），以去除所述碳残留物（302）的至少一部分，用于清洁所述第一金属层（111），以及/n- 在已清洁的第一金属层（111）的表面上沉积至少一个第二金属层（121-123）。/n