[发明专利]形成无支撑的半导体晶片的方法有效
申请号: | 201380016899.X | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN104205292B | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | J-P·福里;B·博蒙 | 申请(专利权)人: | 圣戈班晶体及检测公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种形成无支撑的半导体晶片的方法,包括提供包括半导体层的半导体衬底,所述半导体层具有后表面和与后表面相对的上表面,其中半导体层包括在上表面与后表面之间的至少一个持久缺陷;从半导体层移除半导体层的后表面的一部分和持久缺陷;以及在移除后表面的一部分和持久缺陷之后形成上表面的一部分。 | ||
搜索关键词: | 形成 支撑 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】:
一种形成无支撑的半导体晶片的方法,包括:提供包括半导体层的半导体衬底,所述半导体层具有后表面和与所述后表面相对的上表面,其中提供半导体衬底包括形成覆盖基衬底的包括多个薄膜的缓冲层,在生长工艺期间形成半导体层,所述半导体层包括在所述上表面与所述后表面之间的至少一个持久缺陷;从所述半导体层移除所述半导体层的所述后表面的一部分和所述持久缺陷;以及在移除所述后表面的一部分和所述持久缺陷之后形成所述上表面的一部分;其中所述缓冲层包括:直接接触所述基衬底的表面的包括硅的第一薄膜,直接接触所述第一薄膜的表面的包括第13‑15族材料的第二薄膜;以及其中在生长工艺中,第一薄膜通过所述第一薄膜的热分解来促进基衬底与半导体层之间的分离。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造