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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]气体侦测装置以及特气分流箱-CN202222997653.4有效
  • 吴庆东;王树强;陶玉佳;薛会海;黄俊 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2022-11-10 - 2023-10-20 - G01N33/00
  • 本实用新型提供一种气体侦测装置以及特气分流箱。所述气体侦测装置，包括：传感器；控制主机，连接所述传感器；报警器，连接至所述控制主机；管理者设备，连接至所述控制主机；预设响应设备，连接至所述控制主机；所述控制主机被配置为收到传感器检测到的异常信号后：发出第一信号至报警器，所述报警器发出报警信号；发出第二信号至管理者设备，通知管理者；发出第三信号至预设响应设备，启动设备进行应急处理。上述技术方案，通过控制主机同时传输信号至现场报警器、管理者、以及预设响应设备，提高信息传输速度；直接传输信号至管理者，管理者无需通过现场报警获取信息，提高了管理者响应效率。
  • 气体侦测装置以及分流
  • [发明专利]去除衬底背封表面多晶硅的方法-CN202310219942.8在审
  • 吴庆东;杜防修;杨俊;万超;李国扣 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2023-03-08 - 2023-07-21 - H01L21/02
  • 本申请提供了一种去除衬底背封表面多晶硅的方法，所述方法包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底背面沉积二氧化硅形成背封层，所述背封层表面形成有多晶硅；采用第一清洗液清洗所述背封层表面3～8分钟，所述第一清洗液为包含NH4OH的水溶液；采用第二清洗液清洗所述背封层表面4～8分钟，从而去除所述多晶硅，所述第二清洗液为包含HCL的水溶液。本申请分别采用NH4OH的水溶液和HCL的水溶液对所述背封层进行清洗，可以有效去除背封表面的多晶硅，改善背封效果，提高产品的总良率。
  • 去除衬底表面多晶方法
  • [发明专利]改善边缘气泡的键合方法-CN202310325972.7在审
  • 陈国兴;汪聪颖;刘燕 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2023-03-29 - 2023-07-07 - H01L21/762
  • 本申请提供了一种改善边缘气泡的键合方法，包括如下步骤：提供一第一硅衬底和一第二硅衬底；在所述第一硅衬底和所述第二硅衬底的至少其一表面形成氧化层，对第一硅衬底和第二硅衬底的待键合表面进行等离子处理提高表面附着力；采用NH4OH溶液清洗所述待键合表面以附着羟基；在真空环境下对所述第一硅衬底和所述第二硅衬底进行键合得到SOI材料，从而提高SOI材料的边缘键合强度，减少边缘气泡的产生。
  • 改善边缘气泡方法
  • [发明专利]用于晶粒观测的样品的制备方法-CN202310295625.4在审
  • 刘燕;汪聪颖;陈国兴 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-06-27 - G01N23/2202
  • 本申请提供了一种用于晶粒观测的样品的制备方法，所述方法包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆表面为多晶硅层；采用HF溶液腐蚀所述多晶硅层表面的氧化物；采用CH3OOCH、HNO3、HF、以及KI的混合溶液腐蚀所述晶圆表面的多晶硅层，形成用于观测晶粒的样品。本申请采用HF溶液和CH3OOCH、HNO3、HF、以及KI的混合溶液对晶圆表面的多晶硅层进行腐蚀，形成用于晶粒观测的样品。本申请采用CH3OOCH、HNO3、HF、以及KI的混合溶液替代了现有技术中的重铬酸钾刻蚀剂，在保护环境的同时，制备出用于晶粒观测的样品。
  • 用于晶粒观测样品制备方法
  • [发明专利]制备双层SOI材料的方法-CN202310331894.1在审
  • 陈国兴;汪聪颖;刘燕 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-06-27 - H01L21/762
  • 本申请提供了一种制备双层SOI材料的方法，所述方法包括如下步骤：提供一第一衬底；在所述第一衬底的表面注入起泡离子；提供一第二衬底，将所述第一衬底注入起泡离子的表面与第二衬底进行键合；剥离远离所述第二衬底的部分第一衬底得到单层SOI材料；提供一第三衬底；在所述第三衬底的表面注入起泡离子；将所述第三衬底注入起泡离子的表面与所述单层SOI材料进行键合；剥离远离所述单层SOI材料的部分第三衬底得到双层SOI材料。通过本方法可以得到均匀性良好的双层SOI材料。
  • 制备双层soi材料方法
  • [发明专利]外延多晶硅的方法-CN202310293274.3在审
  • 刘燕;汪聪颖;陈国兴 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-06-23 - C30B29/06
  • 本申请提供了一种外延多晶硅的方法，所述方法包括如下步骤：提供一反应室，所述反应室中放置有一衬底；向所述反应室中通入氯化氢气体对所述衬底表面进行刻蚀；在所述衬底表面沉积多晶硅。上述技术方案，在对所述衬底沉积多晶硅前，向反应室中通入氯化氢气体对所述衬底进行预处理，可以改善外延多晶硅薄膜表面平整度，提高多晶硅薄膜的质量。
  • 外延多晶方法
  • [实用新型]光束遮挡器及注入机-CN202320177658.4有效
  • 马群 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2023-02-07 - 2023-04-18 - H01J37/02
  • 本实用新型提供一种光束遮挡器及注入机。所述光束遮挡器包括：导热板；冷却板，位于导热板一侧，用于冷却所述导热板；所述导热板边缘设置有螺栓孔，通过螺栓固定于所述冷却板表面。上述技术方案，通过增大导热板的面积以增加导热板与冷却板的接触面积，提高冷却效率；将导热板直接固定于所述冷却板上，减少因固定压环变形而导致的器件报废，提高器件寿命，节约生产成本。
  • 光束遮挡注入
  • [实用新型]片盒支架-CN202222758432.1有效
  • 胡继云 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2022-10-19 - 2023-03-24 - B08B9/20
  • 本发明提供了一种片盒支架，包括：内胆支架，每一内胆支架设置四个内胆放置仓；外壳支架，设置于内胆支架两侧，每一外壳支架包括两个外壳放置仓。上述技术方案，改进内胆支架的结构，使得内胆支架的内胆容量增加，并提高片盒支架中外壳支架与内胆支架的配比，在满足片盒清洗机配重和片盒外壳与内胆数量匹配的基础上，提高片盒清洗机单次清洗片盒数量，进而提高片盒清洗机以及片盒支架的空间利用率，从而提升设备产能。
  • 支架
  • [实用新型]片盒清洗机-CN202222758448.2有效
  • 胡继云 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2022-10-19 - 2023-03-24 - B08B9/08
  • 本实用新型提供了一种片盒清洗机。所述片盒清洗机包括：清洗腔体，位于所述片盒清洗机中央；抽气式风扇，位于所述片盒清洗机边缘内部，用于抽出所述片盒清洗机运行时机械部件产生的颗粒；所述抽气式风扇通过所述片盒清洗机的通风孔将外部空气抽入所述片盒清洗机内部，通风孔与所述抽气式风扇相互垂直设置。上述技术方案通过将片盒清洗机原有的吹气式风扇更换为抽气式风扇，在散热的同时，将片盒清洗机运行时内部产生的颗粒抽出机体外，大大降低了片盒清洗机内部存在的颗粒浓度，避免了清洗后的二次污染。
  • 清洗
  • [实用新型]尾气排放装置-CN202222959877.6有效
  • 吴庆东;陶玉佳;黄俊;李晓标;诸良 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2022-11-07 - 2023-03-24 - B01D53/04
  • 本实用新型提供了一种尾气排放装置，包括：水洗塔，连接至所述装置的反应腔；吸附桶，连接至所述反应腔以及所述水洗塔，用于吸附反应腔内的有害气体；以及阀门，连接至所述反应腔；在反应腔内存在有害气体的状态下，阀门切换使所述反应腔与所述吸附桶导通。上述技术方案，增加吸附桶对有害气体进行吸附回收，并通过切换阀门控制尾气流向，在反应腔内存在有害气体的状态下，先进入吸附桶再进入水洗塔，实现对尾气排放的精准控制。
  • 尾气排放装置
  • [实用新型]抑制电极的固定结构以及注入机-CN202223035172.1有效
  • 李春 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2022-11-15 - 2023-03-24 - H01J37/04
  • 本实用新型提供一种抑制电极的固定结构以及注入机。所述抑制电极的固定结构包括：石墨基板，所述石墨基板包括一抑制电极放置槽；抑制电极，放置于所述石墨基板的抑制电极放置槽中；所述石墨基板设置有通孔，所述抑制电极设置有内螺纹孔，所述通孔与所述受力螺纹通过螺丝连接。上述技术方案，通过将内螺纹孔设置于抑制电极内，延长内螺纹孔的长度，增加固定强度；避免石墨基板保养时对内螺纹孔带来的损伤，延长了螺纹寿命。
  • 抑制电极固定结构以及注入
  • [实用新型]晶圆自传输系统-CN202222772194.X有效
  • 吴庆东;胡平;李晓标;王树强;诸良 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2022-10-20 - 2023-03-17 - H01L21/677
  • 本实用新型提供了一种晶圆自传输系统，包括：机械臂；上料工位和反应腔工位，所述机械臂将所述晶圆自上料工位传输至反应腔工位；还包括清洁工位，用于清洁机械臂。上述技术方案，通过引入清洁工位，在机械臂不需要工作的间隙，自动清洁机械臂，不需要停机即可完成清洁，提高清洁效率，减少机台停机带来的影响。此外，清洁工位引入去静电装置，减少清洁产生的静电，减少颗粒的吸附，更持久地维持机械臂清洁。
  • 传输系统
  • [发明专利]氧化片的制备方法-CN202211432238.2在审
  • 李飞;张雅荣 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2022-11-15 - 2023-02-03 - H01L21/18
  • 本发明提供一种氧化片的制备方法。所述氧化片的制备方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底包括单晶硅和二氧化硅，所述单晶硅边缘含有氢离子；在含有氩气的气氛中对所述衬底进行退火，使氢离子溢出衬底；采用氢氟酸稀溶液清洗所述衬底上的二氧化硅，得到单晶硅；平坦化所述单晶硅；在所述单晶硅表面形成氧化层，得到所述氧化片。上述技术方案，在氢氟酸清洗之前通入氩气退火，使残留的氢离子溢出硅片，通过氩气修复衬底表面结构，使氧化后的衬底减少形变，提高氧化片的质量。
  • 氧化制备方法
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