“爱思开矽得荣株式会社”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果85个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]针孔检测设备及方法-CN202210802573.0在审
发明人：金昌洛;康珍镐 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01V9/00 文献下载
摘要：公开了一种针孔检查设备和方法，用于确定用薄膜纸真空包装的前开口运输盒(FOSB)的真空包装状态是否有缺陷。针孔检查设备包括：接纳单元，该接纳单元构造成使得用薄膜纸真空包装的FOSB被接纳在其上并由其支承；吸附单元，该吸附单元被真空吸附到薄膜纸的目标部分上，以拉动薄膜纸，吸附单元构造成围绕被接纳在接收单元上并由接纳单元支承的FOSB；位移测量单元，该位移测量单元构造成测量通过吸附单元被拉出的薄膜纸的隆起程度；以及处理单元，该处理单元构造成通过位移测量单元获取的测量位移值与预先存储的参考位移值进行比较来确定是否产生了针孔。
针孔检测设备方法

[发明专利]锭生长设备及其监测方法-CN202310250211.X在审
发明人：尹玟载 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种用于从容纳在腔室的坩埚中的熔体中生长锭的锭生长设备及其监测方法。该设备包括第一传感器和控制器。第一传感器安装在腔室的一个侧面上，用于实时检测来自锭的侧面部分的检测信号。锭的侧面部分旋转经过被第一传感器聚焦的检测区域。控制器基于实时检测到的检测信号在多个采样点中的每一个采样点处获得检测信号，基于多个采样点中的每一个采样点处的检测信号获得锭的中心点的值，并且基于锭的中心点的值来确定锭是否有缺陷。
生长设备及其监测方法

[发明专利]用于评估硅晶片中的边缘缺陷的装置及其方法-CN202310246340.1在审
发明人：申正源 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：一种用于评估硅晶片中的边缘缺陷的装置，包括：图像获取单元，图像获取单元被配置为获取硅晶片的边缘区域的图像数据；数据预处理单元，数据预处理单元被配置为当在所获取的图像数据中检测到边缘缺陷时，使用测量设备测量硅晶片的边缘区域，以确定所检测到的边缘缺陷的缺陷属性；以及处理器。处理器进行控制以对所获取的图像数据进行学习，以输出与所检测到的边缘缺陷相对应的缺陷属性，以及基于所确定的边缘缺陷的缺陷属性来验证所输出的边缘缺陷的缺陷属性的准确度。
用于评估晶片中的边缘缺陷装置及其方法

[发明专利]单晶片式晶片清洁设备及使用其控制晶片的表面粗糙度的方法-CN202180092173.9在审
发明人：李健豪;李致福;徐大基;高秉河 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2021-02-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出了一种单晶片式晶片清洁设备和用于控制晶片的表面粗糙度的单晶片式方法，其中，在晶片清洁处理中，在晶片的两侧分别执行互不相同的清洁处理，并且根据被清洁的晶片的侧面使用互不相同的化学品，从而使得两侧各自的粗糙度不同。单晶片式晶片清洁设备包括旋转室、第一化学品供应设备、第二化学品供应设备和第三化学品供应设备。
晶片清洁设备使用控制表面粗糙方法

[发明专利]锭生长设备及锭生长方法-CN202310252905.7在审
发明人：朴玹雨 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：一种锭生长设备及锭生长方法，锭由颈部部分、肩部部分、主体部分以及尾部部分构成。锭生长设备包括存储器和处理器，存储器被配置成存储人工神经网络。处理器学习人工神经网络以获得与训练数据对应的初级肩部形状模型，基于在第一锭的肩部部分生长期间获得的肩部信息来更新获得的初级肩部形状模型以获得二级肩部形状模型，基于二级肩部形状模型来设置用于第一锭的尾部部分生长的目标尾部温度，并且根据设置的目标尾部温度来控制第一锭的尾部部分的生长。
生长设备方法

[发明专利]用于生长单晶硅锭的方法以及设备-CN202080107486.2在审
发明人：金祐泰 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：一实施方式提供了生长单晶硅锭的方法，所述方法包括如下步骤：(a)将多晶硅注入腔室内的坩埚中；(b)使坩埚中的多晶硅熔化以形成硅熔体；(c)测量多晶硅的熔化程度；和(d)在预定部分多晶硅已经熔化之后，增加供应到腔室的惰性气体的供应量，并降低腔室内的压力。
用于生长单晶硅方法以及设备

[发明专利]衬部以及包括该衬部的外延反应器-CN202210618682.7在审
发明人：李世理;白承喆 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：根据本公开的一个方面，提供了一种外延反应器的衬部，该衬部包括：下主体，下主体包括入口台阶状部分，入口台阶状部分被布置在下主体的外侧表面的一侧的上端部上，并且源气体通过入口台阶状部分被引入；多个下分隔部，多个下分隔部被布置成在入口台阶状部分上彼此隔开；上主体，上主体被布置在下主体上以面对下主体，并且包括入口盖部部分，入口盖部部分形成流动路径，该流动路径位于入口台阶状部分和入口盖部部分之间，并且源气体通过该流动路径被引入；以及多个上分隔部，多个上分隔部被布置成在入口盖部部分上彼此隔开，其中，上分隔部在入口盖部部分的两侧部分中比在中心部分中更密集地布置。本公开的另一方面提供了一种外延反应器。
以及包括外延反应器

[发明专利]用于确定硅晶片上的细颗粒缺陷的方法-CN202210564307.9在审
发明人：朴佑泳 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了用于确定硅晶片上的细颗粒缺陷的方法，该方法包括检测硅晶片表面上的第一缺陷，在其上沉积薄膜，检测其上的第二缺陷，在薄膜沉积后确定是否形成附加缺陷，以及从附加缺陷中去除噪声。使用该方法，可识别在对第一缺陷进行检测之前存在于硅晶片的表面上的超细颗粒缺陷。
用于确定晶片颗粒缺陷方法

[发明专利]晶片清洗装置-CN201980013114.0有效
发明人：河世根 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种可以防止清洗溶液泄漏并能够及时处理的晶片清洗装置。本发明提供一种晶片清洗装置，该晶片清洗装置包括：清洗槽，该清洗槽接纳清洗溶液，并且清洗溶液由于晶片的浸入而从清洗槽中溢出；多个提升部件，该多个提升部件被布置在清洗槽的外部并且将晶盒浸入到清洗槽内的清洗溶液中；外部水箱，该外部水箱具有被接纳在其中的清洗槽和提升部件，并且包括排放孔，清洗溶液通过该排放孔排出；以及托盘，该托盘可拆卸地附接至外部水箱的内底表面并收集清洁溶液，以将清洗溶液引导至排放孔。
晶片清洗装置

[发明专利]用于晶圆安装的蜡涂覆设备及相关的晶圆安装设备-CN202310147158.0在审
发明人：张广宁 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B05C9/14 文献下载
摘要：用于晶圆安装的蜡涂覆设备及相关的晶圆安装设备，实施例的用于晶圆安装的蜡涂覆设备包括：真空吸盘，提供真空压力的真空流道嵌入在真空吸盘中；加热盘，加热盘被安装在真空吸盘的上侧部上并且具有孔和凹槽，孔和凹槽被连接到真空吸盘的真空流道，以吸附块部，晶圆被粘附到块部；旋转轴，旋转轴被连接到真空吸盘的下侧部；驱动马达，驱动马达用于使旋转轴旋转；以及蜡喷嘴，蜡喷嘴被布置成与真空吸盘的上侧部间隔开，其中，加热盘可以被操作成在蜡喷嘴将蜡喷涂到块部上时对块部进行加热。
用于安装蜡涂覆设备相关

[发明专利]用于预测硅晶片氧化物层厚度的方法-CN201811276317.2有效
发明人：朴正吉;郑盛宇;金慈暎 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一个实施方式提供了用于预测硅晶片氧化物层厚度的方法，所述方法包括：使热处理炉(炉)老化；在将多个参考晶片设置在位于炉中的热处理舟的槽中并形成氧化物层之后，对每层氧化物层的厚度进行测定；以及在将多个参考晶片和测试晶片设置在位于炉中的热处理舟的槽中并形成氧化物层之后，对每层氧化物层的厚度进行测定。
用于预测晶片氧化物厚度方法

[发明专利]识别晶片中缺陷区域的方法-CN201811480564.4有效
发明人：李在炯 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了一种识别晶片缺陷区域的方法。所述方法包括：制备样品晶片，在800℃至1000℃的温度下在样品晶片上形成初级氧化物膜，在1000℃至1100℃的温度下在初级氧化物膜上形成第二氧化物膜，在1100℃至1200℃的温度下在第二氧化物膜上形成第三氧化物膜，去除初级氧化物膜至第三氧化物膜，对去除了初级氧化物膜至第三氧化物膜的样品晶片的一个表面进行蚀刻，以在样品晶片的一个表面上形成模糊化，并且基于模糊化识别样品晶片的缺陷区域。
识别晶片缺陷区域方法

[发明专利]用于锭块的Y轴补偿的工作板以及使用该工作板的锭块的Y轴补偿方法-CN202210201824.X在审
发明人：金娥凛 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于锭块的Y轴补偿的工作板及使用该工作板的锭块的Y轴补偿方法，其构造成在锭块以切割平面角度附连至工作板的状态下有助于锭块的Y轴补偿，从而使用线切割设备进行切割。更具体地，工作板包括底板和顶板，底板具有上表面，该上表面形成为相对于附连至工作板的锭块的纵向方向向下弯曲，顶板联接至底板，使得其下表面沿着底板的上表面是可运动的，并且构造成使得锭块能够以X轴切割平面角度联接至其上部。
用于补偿工作以及使用方法

[发明专利]晶片以及用于分析该晶片形状的方法-CN201811294557.5有效
发明人：李愚星;李應周 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种分析晶片形状的方法，该方法包括：测量多个晶片的截面形状；获取由第一线和晶片的前表面形成的第一角度，上述第一线连接第一点和第二点，上述第二点在晶片的边缘区域中具有最大曲率；在每个晶片的表面上形成薄膜层；测量晶片的边缘区域的厚度轮廓，在上述晶片上形成有每个薄膜层；在多个晶片中确认具有薄膜层的最小最大厚度轮廓的晶片。
晶片以及用于分析形状方法

[发明专利]下板的自动磨损补偿系统和具有该系统的晶片研磨装置-CN202211428621.0在审
发明人：李哉漂;郑成哲;郑引俊 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：公开了一种下板的自动磨损补偿系统和具有该系统的晶片研磨装置。该自动磨损补偿系统减少了当下板与传送机器人之间的距离由于研磨处理期间下板的磨损而逐渐增加时发生的晶片错误装载和晶片装载检查中的误差。该自动磨损补偿系统包括超声波传感器，超声波传感器被设置在传送机器人上；夹具，位于超声波传感器的正下方，并且安装在下板上；控制器，被配置为通过以超声波传感器测量与夹具相距的距离来获取测量距离信息，来将测量距离信息与设置的参考距离信息进行比较，并且生成调整控制信号；以及驱动器，驱动器被配置为取决于由控制器发送的调整控制信号，自动调整传送机器人的Z轴位置。
自动磨损补偿系统具有晶片研磨装置

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 85 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top