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- [发明专利]修正装置-CN202280017340.8在审
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杉本重人;水村通伸
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株式会社V技术
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2022-03-02
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2023-10-24
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G02F1/13
- 本发明的修正装置能够在不提高制造成本的情况下以高精度进行定位。该修正装置具有：第一平台，其具有吸附基板的吸附平台；门架，其设置在吸附平台的上侧；第二平台，其设置在门架；头部，其设置在第二平台，具有修正基板的修正头部；第一移动部，其改变第一平台和门架在第一方向上的相对位置；第二移动部，其改变第一平台和第二平台在与第一方向大致正交的第二方向上的相对位置；以及头部移动部，其使头部相对于第二平台移动。第二平台具有大致沿第一方向设置的第一轴，以及大致沿第二方向设置的第二轴，头部移动部使头部沿第一轴在第一方向上移动，使头部沿第二轴在第二方向上移动。头部移动部的定位精度比第一移动部的定位精度和第二移动部的定位精度高。
- 修正装置
- [发明专利]聚焦能量束装置-CN202180054193.7在审
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水村通伸;新井敏成;松本隆德;竹下琢郎
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株式会社V技术
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2021-07-27
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2023-04-28
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H01J37/18
- 提供一种聚焦能量束装置，其具备：支承部，其支承被处理基板；以及聚焦能量束柱状体，其具备差动排气装置且能够以与所述被处理基板的被处理面的任意区域对应的方式进行相对移动，其中，所述支承部在将所述被处理基板水平地配置的状态下仅支承所述被处理基板的周缘部，在由所述支承部支承的所述被处理基板的下方配置有正压腔室，所述正压腔室遍及所述被处理基板的被处理区域整体地施加正压，阻止所述被处理基板因自重产生的挠曲，在所述正压腔室内具备局部负压机构，所述局部负压机构维持与所述被处理基板的下表面不接触的状态来施加负压，来抵消所述差动排气装置的吸引力，所述局部负压机构维持隔着该被处理基板而与所述差动排气装置对置的状态，并且能够追随着所述差动排气装置而相对于被处理基板进行相对移动。
- 聚焦能量束装
- [发明专利]聚焦离子束装置-CN202180042279.8在审
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水村通伸
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株式会社V技术
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2021-06-29
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2023-02-03
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H01J37/18
- 提供一种聚焦离子束装置，其具备差动排气装置和聚焦离子束柱状体，还具备：真空垫，其使吸入面露出以围绕被处理基板的面方向的外侧，且由多孔质材料构成；基板支承台，其载置所述被处理基板和所述真空垫；以及真空泵，其对所述真空垫进行真空吸引，当所述差动排气装置的头部向所述被处理基板的面方向的外侧移动时，所述吸入面进行该吸入面与所述头部之间的空间的吸气，所述聚焦离子束装置无需大的真空腔室，对被处理基板的周缘附近也能进行处理，能够增大被处理基板中的处理区域。
- 聚焦离子束装置
- [发明专利]聚焦离子束装置-CN202180036774.8在审
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水村通伸
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株式会社V技术
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2021-06-17
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2023-01-31
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H01J37/317
- 本发明提供一种聚焦离子束装置，其具备聚焦离子束柱状体，所述聚焦离子束柱状体在镜筒中内置有聚焦离子束光学系统而将聚焦离子束从所述镜筒的前端部射出，其中，在从所述聚焦离子束光学系统射出的所述聚焦离子束的去路的附近配置有向被处理基板的表面供给电子的金属针、金属片等电子供给部、具备捕获二次带电粒子的检测部的微通道板等，聚焦离子束装置通过设为这样简单的结构，由此能够实现聚焦离子束装置的低成本化，并且能够有效地防止带电。
- 聚焦离子束装置
- [发明专利]加工装置-CN202180030902.8在审
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水村通伸;新井敏成;松本隆德;竹下琢郎
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株式会社V技术
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2021-05-31
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2022-12-09
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H01J37/18
- 加工装置具备：差动排气装置，其在头部中的与被处理基板对置的面形成有多个环状槽，该多个环状槽围绕所述头部的中心，在比所述多个环状槽中的最内侧的所述环状槽靠内侧的区域设置有开口部，该开口部形成能够对所述被处理面进行处理的处理用空间，在多个所述环状槽中的至少一个所述环状槽连结真空泵，在使所述对置面与所述被处理面对置的状态下，通过来自所述环状槽的吸气作用将所述处理用空间设为高真空度；以及聚焦离子束柱状体，其具备与所述开口部连结而能够与所述处理用空间连通的镜筒，在所述镜筒内内置有聚焦离子束光学系统而使聚焦离子束穿过所述开口部内而射出，在最内侧的所述环状槽连结原料气体供给部，从该环状槽朝向所述被处理面喷出原料气体而能够使原料气体沿着该被处理面向所述处理用空间移动。
- 加工装置
- [发明专利]缺陷部识别装置及缺陷部识别方法-CN202080058129.1在审
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水村通伸
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株式会社V技术
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2020-06-22
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2022-04-01
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G01N21/88
- 本发明能够机械识别多层膜基板中的缺陷部的状态，且能够进行不受操作者的技能影响的修正加工。缺陷部识别装置具备：显微镜，对多层膜基板的表面照射白色落射光，而在表面获得识别缺陷部的单位区域的放大像；光谱分光摄像机，具有成像放大像的摄像面，且按摄像面的每个像素输出放大像的分光光谱信息；及信息处理部，处理从光谱分光摄像机输出的分光光谱信息，信息处理部具备：机械学习部，对每个像素的分光光谱信息进行聚类处理；及缺陷识别部，根据机械学习部的处理结果来识别缺陷部，机械学习部根据单位区域内所存在的层结构来设定集群，并生成将聚类于集群的像素数作为频数的直方图，缺陷识别部将所生成的直方图的频数分布与不存在缺陷的直方图的频数分布进行比较，并通过具有频数差的集群的存在来识别缺陷部。
- 缺陷识别装置方法
- [发明专利]激光退火方法及激光退火装置-CN202080007893.6在审
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水村通伸
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株式会社V技术
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2020-01-17
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2021-08-13
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H01L21/20
- 进行如下工序：准备形成有由微晶硅构成的籽晶区域的被处理基板，其中，在位于栅极布线的上方的区域的非晶硅膜上设定有改性预定区域，在所述改性预定区域的、相对于所述栅极布线而言位于与该栅极布线的长度方向正交的方向上的外侧，形成有所述籽晶区域；进行横向晶体形成工序，在所述横向晶体形成工序中，使连续振荡激光以所述籽晶区域为起点沿着与所述栅极布线的长度方向正交的方向对所述非晶硅膜的表面进行照射并同时移动，以使各所述改性预定区域内的所述非晶硅膜成为晶化硅膜的方式选择性地进行晶体生长。
- 激光退火方法装置
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