[发明专利]晶片与晶片键合方法和晶片与晶片键合系统在审

申请号：	201910427024.8	申请日：	2019-05-22
公开（公告）号：	CN110797258A	公开（公告）日：	2020-02-14
发明（设计）人：	李俊昊;金圣协;孙沂周	申请（专利权）人：	三星电子株式会社
主分类号：	H01L21/18	分类号：	H01L21/18;H01L21/3065
代理公司：	11330 北京市立方律师事务所	代理人：	李娜
地址：	韩国***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：	提供了一种晶片与晶片键合方法和一种晶片与晶片键合系统。所述晶片与晶片键合方法包括：对第一晶片的键合表面执行等离子体处理；在对第一晶片的键合表面执行等离子体处理之后，对第一晶片加压；以及使第一晶片键合到第二晶片。所述等离子体处理沿着围绕第一晶片的中心的圆周方向具有不同的等离子体密度。在对第一晶片加压之后，第一晶片的中间部分突出。通过从第一晶片的中间部分向第一晶片的周缘区域逐渐地将第一晶片接合到第二晶片，使第一晶片键合到第二晶片。
搜索关键词：	晶片晶片键合等离子体处理键合表面种晶加压等离子体部分突出晶片接合周缘区域
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【主权项】：

1.一种晶片与晶片键合方法，所述晶片与晶片键合方法包括：/n对第一晶片的键合表面执行等离子体处理，所述等离子体处理沿着围绕所述第一晶片的中心的圆周方向具有不同的等离子体密度；/n在对所述第一晶片的键合表面执行了所述等离子体处理之后，对所述第一晶片加压，其中，在对所述第一晶片加压之后，所述第一晶片的中间部分突出；以及/n通过从所述第一晶片的中间部分向所述第一晶片的周缘区域逐渐地将所述第一晶片接合到第二晶片，使所述第一晶片键合到所述第二晶片。/n

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申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/18
摘要：提供了一种晶片与晶片键合方法和一种晶片与晶片键合系统。所述晶片与晶片键合方法包括：对第一晶片的键合表面执行等离子体处理；在对第一晶片的键合表面执行等离子体处理之后，对第一晶片加压；以及使第一晶片键合到第二晶片。所述等离子体处理沿着围绕第一晶片的中心的圆周方向具有不同的等离子体密度。在对第一晶片加压之后，第一晶片的中间部分突出。通过从第一晶片的中间部分向第一晶片的周缘区域逐渐地将第一晶片接合到第二晶片，使第一晶片键合到第二晶片。

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摘要：提供了用于在晶圆键合期间调整晶圆变形的方法和系统的实施例。所述方法包括：释放第一晶圆的内环，并向第一晶圆的内环施加第一气体压力，以使得第一晶圆的内环与第二晶圆接触；释放第一晶圆的中环，以使得第一晶圆的中环在第二气体压力的作用下变形并与第二晶圆接触；释放第二晶圆的内环，并向第二晶圆的内环施加低于第一气体压力的第三气体压力；释放第二晶圆的中环；以及释放第一晶圆的外环并且同时释放第二晶圆的外环。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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