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[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202010493731.X有效
发明人： 闫发旺;王庆宇;赵倍吉 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，其中所述制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底表面设置有堆叠结构，所述堆叠结构包括沟道层和势垒层；在所述堆叠结构的上表面形成导流装置，所述导流装置用于扩展所述氮化镓基高电子迁移率场效应管的沟道电场区域；在所述堆叠结构的上表面形成所述栅极、源极和漏极，且所述栅极的侧壁与所述导流装置接触。
氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法

[实用新型]一种GaN芯片加工用切割装置-CN202220505085.9有效
发明人：闫怀宝;闫发旺 -专利权人：江西誉鸿锦材料科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN芯片加工用切割装置，包括底座，所述底座的上端面左侧固定连接有支撑板，所述底座的上端面右侧固定连接有收集箱，所述收集箱的右端面通过管道连接有抽风机，使用时，通过定位组件将芯片主体固定在放置槽的内部，之后启动第一电机，第一电机带动将切割刀片伸入切割槽内，然后启动第二电机、抽风机以及第三电机，第二电机与第三电机配合将芯片主体进行切割，抽风机启动时，将收集箱内部空气向外抽去，进而切割产生的碎屑将收集在收集箱的内部，同时切割产生的大块废料也将自动落入到收集箱的内部，进而便于人员收集切割产生的碎屑，避免碎屑影响人员的健康。
一种 gan 芯片工用切割装置

[实用新型]一种GaN基芯片封装用层叠治具-CN202220518694.8有效
发明人：闫怀宝;闫发旺 -专利权人：江西誉鸿锦材料科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN基芯片封装用层叠治具，包括底板，所述底板上端面上设置有一组定位单元，所述定位单元包括一组用于定位芯片的定位块，所述定位单元中的定位块围成方形区域，所述定位芯片放置在方形区域中，所述定位块底部设置有安装座，所述安装座通过螺钉固定连接在底板上，所述底板中位于方形区域的正下方位置设置有镂空孔，所述底板采用模具钢材质，所述定位块采用尼龙材质。本实用新型结构简单，质量较轻，精度高，防护性好。
一种 gan 芯片封装层叠

[发明专利]一种GAN芯片封装制作工艺-CN202210172831.1在审
发明人：闫怀宝;闫发旺 -专利权人：江西誉鸿锦材料科技有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种GAN芯片封装制作工艺，包括以下步骤:步骤1、选择合适大小的基框本体，在基框本体的内底端中部开设一组合适孔径的通口，在基框本体的左右端面固定穿设上导电连接体；步骤2、在通口的上下端分别设置导热板和散热罩；步骤3、在导热板的上方通过粘接剂粘接芯片本体，将芯片本体的两组引脚分别与导电连接体电性连接；步骤4、向基框本体内部注入熔融状态的封装胶，封装胶将充溢于基框本体内部，待封装胶凝固后基框本体内部形成封装层，即完成对芯片本体的封装作业。
一种 gan 芯片封装制作工艺

[发明专利]一种芯片封装缺陷检测方法-CN202210225155.X在审
发明人： 闫发旺;闫怀宝 -专利权人：江西誉鸿锦材料科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片封装缺陷检测方法，包括如下步骤：S1、建立芯片封装缺陷模型；S2、采用工业照相机获取当前封装芯片的图像信息；S3、将S2得到的图像信息输入到芯片封装缺陷模型中，获得处理后的图像信息识别码；S4、芯片封装缺陷模型将S3得到的信息识别码进一步识别，提取信息识别码中芯片尺寸大小信息、芯片引脚位置信息、芯片引脚数量信息、引脚间距信息、外观颜色信息以及文字信息，芯片封装缺陷模型根据其内部预存的样品缺陷信息进行对比，当芯片封装缺陷模型查找到符合样品缺陷信息时，芯片封装缺陷模型将发出信号给现场控制器，控制器将该芯片缺陷信息反馈给现场PC，本发明实现了对封装芯片进行实时检测，提高了产品检测的可靠性。
一种芯片封装缺陷检测方法

[发明专利]一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法-CN202111413596.4在审
发明人：邵春林;闫怀宝;闫发旺 -专利权人：江西誉鸿锦材料科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化镓肖特基势垒二极管，其为多层结构，从下到上依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、i‑GaN外延层(3a)、n‑GaN外延层(3b)，所述n‑GaN外延层(3b)上设有与之构成欧姆接触的欧姆电极(4)和与之构成肖特基势垒接触的肖特基势垒电极(5)，其中所述肖特基势垒电极(5)由下至上依次包括氮化镍层和金层，所述氮化镍层与所述n‑GaN外延层(3b)构成肖特基势垒接触。所述氮化镍层是采用氮离子辅助注入式电子束蒸发镍的方法制成的。本发明解决了传统肖特基势垒二极管的反向泄漏电流较大且稳定性不够好的技术问题。
一种氮化肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法-CN202111675137.3在审
发明人：邵春林;闫怀宝;闫发旺 -专利权人：江西誉鸿锦材料科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，包括由下至上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、n+‑GaN外延层(3a)、n‑‑GaN外延层(3b)，n‑‑GaN外延层(3b)上表面为肖特基电极设置区域(13b)，n+‑GaN外延层(3a)上表面局部露出部分为欧姆电极设置区域(13a)；第一绝缘保护层(6a)覆盖在欧姆电极设置区域(13a)上和肖特基电极设置区域(13b)上，且还覆盖在n+‑GaN外延层(3a)与n‑‑GaN外延层(3b)形成的台阶侧壁面上，第一绝缘保护层(6a)在欧姆电极设置区域(13a)上形成的窗口中设置有欧姆电极(4)，第一绝缘保护层(6a)在肖特基电极设置区域(13b)上形成的窗口中设置有肖特基电极(5)。本发明肖特基势垒二极管增加正向电流，提高反向击穿电压。
一种垂直结构氮化肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]一种垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制作方法-CN202111493320.1在审
发明人：邵春林;闫怀宝;闫发旺 -专利权人：江西誉鸿锦材料科技有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制作方法，其包括n‑‑GaN层(1)，n‑‑GaN层(1)上表面设置有绝缘保护层(3)和肖特基势垒电极(5)，n‑‑GaN层(1)下表面由上至下依次设置有n+‑GaN层(2)、欧姆电极(4)；绝缘保护层(3)设置在n‑‑GaN层(1)上表面局部，肖特基势垒电极(5)设置在n‑‑GaN层(1)上表面未设有绝缘保护层(3)的区域，肖特基势垒电极(5)边缘覆盖在绝缘保护层(3)上构成场板结构。本发明使用GaN材料制成垂直结构的肖特基势垒二极管，GaN材料具有宽的带隙、高的击穿电场强度、高的电子迁移率和高的电子饱和速度等特点，解决了肖特基势垒二极管大电流，高的反向电压等问题，实现二极管的大电流、高耐压、小型化。
一种垂直结构氮化肖特基势垒二极管及其制作方法

[发明专利]一种基于p型Ni1-x-CN201910827734.X在审
发明人：李效民;黎冠杰;闫发旺;朱秋香;赵俊亮;高相东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于p型Ni1‑xLixO盖帽层的HEMT器件异质结构及其制备方法和应用，所述基于p型Ni1‑xLixO盖帽层的HEMT器件异质结构包括：AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底，以及外延生长在所述AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底中AlGaN层表面的p型Ni1‑xLixO盖帽层；其中0.05≤x≤0.30。
一种基于 ni base sub

[发明专利]增强型氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202010493733.9在审
发明人： 闫发旺;王庆宇;赵倍吉 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种增强型氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述增强型氮化镓基高电子迁移率晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上表面设置有堆叠结构，所述堆叠结构包括沟道层和势垒层；在所述堆叠结构的上表面形成源极、漏极和二维电子气消耗装置，所述二维电子气消耗装置用于为二维电子气提供空穴，以消耗所述二维电子气；在所述二维电子气消耗装置上表面形成所述栅极。
增强氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]用于氮化物生长硅衬底实时图形化的方法-CN201610084232.9有效
发明人： 闫发旺;张峰;赵倍吉;谢杰 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2016-02-06 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种用于氮化物生长硅衬底实时图形化的方法，包括如下步骤：(a)提供一衬底；(b)利用金属液滴回融所述衬底，以在所述衬底表面形成图形化表面；(c)在所述衬底图形化表面外延生长氮化物。本发明的优点在于，在衬底上实时生长过程中通入金属有机源，这些金属原子将集聚成纳米尺寸的液滴，高密度且均匀地结合在衬底的表面上，在高温下，这些金属液滴将与衬底形成合金，将衬底腐蚀出凹凸不平的表面，缓解衬底和氮化物外延层异质外延生长过程中由于晶格失配带来的应力，使外延层得到有效的弛豫，同时其能减少外延层中的穿透位错密度，从而降低氮化物外延层材料中的缺陷密度，提高材料的晶体质量，从而能改善器件的光学、电学性能。
用于氮化物生长衬底实时图形方法

[发明专利]氮化镓基反相器芯片及其形成方法-CN201710122934.6有效
发明人：刘春雪;闫发旺;张峰;赵倍吉;李晨 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化镓基反相器芯片及其形成方法，所述氮化镓基反相器芯片包括：衬底；位于所述衬底上的氮化镓沟道层；位于所述氮化镓沟道层上的势垒层；位于部分势垒层表面的P型III族金属氮化物层；位于所述P型III族金属氮化物层表面的第一电极；位于所述势垒层表面第二电极、第三电极和第四电极。所述氮化镓基反相器芯片具有良好的传输性和强的带负载能力。
氮化镓基反相器芯片及其形成方法

[发明专利]氮化镓薄膜材料外延生长的方法-CN201710122952.4有效
发明人： 闫发旺;张峰;赵倍吉;刘春雪;李晨 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种氮化镓薄膜材料外延生长的方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层上形成氮化镓子层；刻蚀部分所述氮化镓子层；多次重复所述形成所述氮化镓子层以及刻蚀部分所述氮化镓子层的步骤，在所述缓冲层表面形成氮化镓层。上述方法可以形成低位错密度、高晶体质量的氮化镓层。
氮化薄膜材料外延生长方法

[发明专利]一种氮化物的外延生长方法-CN201610084233.3有效
发明人： 闫发旺;张峰;赵倍吉;谢杰 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2016-02-06 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物的外延生长方法，包括如下步骤：提供一衬底；在一第一温度及第一氨气流量下，在所述衬底一表面生长第一氮化铝层；在一第二温度及第二氨气流量下，在所述第一氮化铝层一表面生长第二氮化铝层；在一第三温度及第三氨气流量下，在所述第二氮化铝层一表面生长第三氮化铝层，所述第一氮化铝层、第二氮化铝层及第三氮化铝层形成成核层；其中，所述第二温度及第三温度均大于所述第一温度，所述第一氨气流量及第二氨气流量均大于所述第三氨气流量；在所述成核层表面生长氮化物层。本发明优点在于，能够缓解生长氮化物异质外延存在的晶格不匹配及热失配等问题，减小应力，降低位错密度。
一种氮化物外延生长方法

[发明专利]一种高晶体质量的氮化物外延生长的方法-CN201610084235.2有效
发明人： 闫发旺;张峰;赵倍吉;谢杰 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2016-02-06 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种高晶体质量的氮化物外延生长的方法，包括如下步骤：(a)提供一衬底；(b)在第一温度下，在所述衬底一表面外延生长第一氮化物层；(c)中止生长，降温，通入氯气刻蚀；(d)在第二温度下，在所述第一氮化物层表面外延生长第二氮化物层，其中，所述第一温度大于所述第二温度；(e)中止生长，升温，通入氯气刻蚀；(f)在所述第一温度下，在所述第二氮化物层表面外延生长第一氮化物层；(g)循环进行步骤(c)～(f)，形成周期性的氮化物层。本发明的优点在于，缓解氮化物与衬底间存在的晶格不匹配及热失配等问题，有效释放应力，避免外延层裂纹的产生，还能够获得低位错密度、高晶体质量的氮化物薄膜。
一种晶体质量氮化物外延生长方法

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