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[发明专利]钾冰晶石类型闪烁体材料的制备-CN202110461201.1在审
发明人： V·欧斯彭斯基;S·布拉于塔;R·于歇;J·勒热 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及钾冰晶石类型闪烁体材料的制备，具体地用于制备具有理论组成A2BC(1‑y)MyX(6‑y)的钾冰晶石类型结构的晶体闪烁体材料的方法，其中：A选自Cs、Rb、K、Na；B选自Li、K、Na；C选自稀土元素、Al、Ga；M选自碱土金属；X选自F、Cl、Br、I，和y是用M取代C的原子分数并且在0至0.05范围中，该方法包括它从包含r摩尔A和s摩尔B的熔浴开始通过冷却的结晶，该熔浴与包含A和B的材料接触使得2s/r大于1。该方法具有改善的制备收率。而且，获得的晶体可以具有更接近化学计量的组成并具有改善的闪烁性质。
冰晶石类型闪烁材料制备

[发明专利]钾冰晶石类型闪烁体材料的制备-CN201480020858.2有效
发明人： V.欧斯彭斯基;S.布拉于塔;R.于歇;J.勒热 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备具有理论组成A2BC(1‑y)MyX(6‑y)的钾冰晶石类型结构的晶体闪烁体材料的方法，其中：A选自Cs、Rb、K、Na；B选自Li、K、Na；C选自稀土元素、Al、Ga；M选自碱土金属；X选自F、Cl、Br、I，和y是用M取代C的原子分数并且在0至0.05范围中，该方法包括它从包含r摩尔A和s摩尔B的熔浴开始通过冷却的结晶，该熔浴与包含A和B的材料接触使得2s/r大于1。该方法具有改善的制备收率。而且，获得的晶体可以具有更接近化学计量的组成并具有改善的闪烁性质。
冰晶石类型闪烁材料制备

[发明专利]包括共掺杂稀土硅酸盐的闪烁晶体、包括闪烁晶体的辐射检测仪器及其形成方法-CN202110190059.1在审
发明人： S·布拉胡塔;V·奥斯本斯基 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：本申请涉及包括共掺杂稀土硅酸盐的闪烁晶体、包括闪烁晶体的辐射检测仪器及其形成方法。在一个实施例中，在晶体形成之前，第2族共掺杂剂浓度在晶体中可不超过200ppm原子，或在熔体中不超过0.25原子％。第2族浓度/活化剂原子浓度的比率可在0.4至2.5的范围内。在另一个实施例中，闪烁晶体可具有不大于40ns的衰减时间，并且在另一个实施例中，具有与除了不含第2族共掺杂剂之外具有相同组成的另一种晶体相同或更高的光输出。在一个进一步的实施例中，可使晶胚生长为至少75mm的直径，并且不具有螺旋或具有非常低的螺旋且无裂纹。闪烁晶体可用在辐射检测仪器中并且联接到光传感器。
包括掺杂稀土硅酸盐闪烁晶体辐射检测仪器及其形成方法

[发明专利]包括共掺杂稀土硅酸盐的闪烁晶体、包括闪烁晶体的辐射检测仪器及其形成方法-CN201680011693.1有效
发明人： S·布拉胡塔;V·奥斯本斯基 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：本发明提供了可包括稀土硅酸盐、活化剂和第2族共掺杂剂的闪烁晶体。在一个实施例中，在晶体形成之前，第2族共掺杂剂浓度在晶体中可不超过200ppm原子，或在熔体中不超过0.25原子％。第2族浓度/活化剂原子浓度的比率可在0.4至2.5的范围内。在另一个实施例中，闪烁晶体可具有不大于40ns的衰减时间，并且在另一个实施例中，具有与除了不含第2族共掺杂剂之外具有相同组成的另一种晶体相同或更高的光输出。在一个进一步的实施例中，可使晶胚生长为至少75mm的直径，并且不具有螺旋或具有非常低的螺旋且无裂纹。闪烁晶体可用在辐射检测仪器中并且联接到光传感器。
包括掺杂稀土硅酸盐闪烁晶体辐射检测仪器及其形成方法

[发明专利]碱卤化物闪烁体和其用途-CN201780021100.4在审
发明人：杨侃;J·乐加;S·布拉胡塔;V·奥斯本斯基 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司;圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C09K11/61 文献下载
摘要：一种闪烁体可以包括具有通式Na_(1‑y)Li_yX的单晶化合物，其中0
闪烁体单晶化合物碱卤化物脉冲形状品质因数

[发明专利]形成无支撑的半导体晶片的方法-CN201380016899.X有效
发明人： J-P·福里;B·博蒙 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种形成无支撑的半导体晶片的方法，包括提供包括半导体层的半导体衬底，所述半导体层具有后表面和与后表面相对的上表面，其中半导体层包括在上表面与后表面之间的至少一个持久缺陷；从半导体层移除半导体层的后表面的一部分和持久缺陷；以及在移除后表面的一部分和持久缺陷之后形成上表面的一部分。
形成支撑半导体晶片方法

[发明专利]具有抛光的敏感面的稀土卤化物晶体的闪烁体-CN201080059781.1有效
发明人： G.戈蒂埃;D.里绍;P.香浦 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明涉及包含至少50重量%的稀土卤化物并包含抛光的第一面的单晶闪烁体材料。将该材料集成到包含光敏接收器的电离辐射检测器中，该光敏接收器任选通过除抛光的第一面之外的面耦合到该材料上。该材料提供良好的能量分辨率和高光强度。无论晶体的晶体取向如何，都可以实施该抛光。因此防止了取向导致的材料损耗。
具有抛光敏感稀土卤化物晶体闪烁

[发明专利]用于半导体晶体材料形成的系统-CN201280054405.2有效
发明人： J-P·福里;B·博蒙 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种用于半导体晶体材料形成的系统，包括被配置为包含液体金属的第一室以及与第一室流体通联的第二室，第二室具有大于第一储液器室容量的容量。本系统还包括连接至第一室的蒸汽输送导管，此蒸汽输送导管被配置为将气相反应材料输送至第一室以与液体金属反应并形成金属卤化物气相产物。
用于半导体晶体材料形成系统

[发明专利]半导体衬底以及形成方法-CN201280056740.6有效
发明人： J-P·福里;B·博蒙 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种形成半导体衬底的方法，其包括在生长过程中在生长衬底上形成13‑15族材料的基层，在生长过程中形成覆盖在基层上的具有遮罩区域和缺口区域的掩模，以及在生长过程中有选择地移除在掩模下面的基层的一部分。
半导体衬底以及形成方法

[发明专利]具有特别的晶体特征的III‑V族衬底材料和制造方法-CN201380046300.7有效
发明人： J-P·福里;B·博蒙 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种形成半导体衬底的方法包括提供包含半导体材料的基衬底，以及通过氢化物气相外延(HVPE)形成第一半导体层覆盖在具有13‑15族材料的基衬底上，其中第一半导体层包含具有N面取向的上表面。
具有别的晶体特征 iii 衬底材料制造方法

[发明专利]至少一个光电检测器具有纹理化的光致变色层的发光材料-CN201580034003.X在审
发明人： S.勒鲁瓦;E.米蒙 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光材料，其包含涂覆有纹理化层的面，所述层的纹理包含均匀分布在所述面上的相同花纹，所述层减小由所述发光材料发射并穿过所述面的光的提取锥的角度。所述发光材料可以是闪烁体材料或波长转换体材料。
至少一个光电检测器具有纹理变色发光材料

[发明专利]包含掺杂稀土硅酸盐的发光材料-CN201180055193.5有效
发明人：萨米埃尔·布落胡塔;埃里克·麦特曼;达米安·保韦尔斯;布鲁诺·维亚纳 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：本发明涉及一种材料，其包含经不同于Ln的元素B掺杂的稀土(Ln)硅酸盐，B是从Ce、Pr、Tb中选出，其中B至少部分地呈其4+氧化态(B4+)，所述材料中的B4+的量以质量计包含于介于0.0001％与0.1％之间。这种材料可能是闪烁材料，并且相对于在X射线照射期间所测量的强度，其在100ms之后可能呈现一般小于200ppm的余辉。所述材料优选地进行共掺杂。其可以使用氧化退火而获得。其特别适合集成于可以用于医疗成像设备中的电离粒子检测器中。
包含掺杂稀土硅酸盐发光材料

[发明专利]半导体衬底及形成方法-CN201280032113.9有效
发明人： J-P·福里;B·博蒙 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种形成用于电子器件的半导电衬底材料的方法包括在反应室中的连续生长工艺期间在衬底上形成多个半导电层，其中在连续生长工艺期间，通过改变连续生长工艺期间的至少一个生长工艺参数在基层和外延层之间形成释放层。该方法还包括从衬底分离多个半导电层。
半导体衬底形成方法

[发明专利]包括稀土元素的闪烁化合物及其形成方法-CN201280053374.9无效
发明人： S·布拉胡塔;V·奥斯本斯基 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：一种不同于稀土硅酸盐的闪烁化合物可包括处于二价(RE²⁺)、三价(RE³⁺)或四价状态(RE⁴⁺)的稀土元素。所述闪烁化合物可包括容许更好的电荷平衡的另外的元素。所述另外的元素可为所述闪烁化合物的主要成分或者可为掺杂剂或共掺杂剂。在一个实施例中，处于三价状态的金属元素(M³⁺)可被RE⁴⁺和处于二价状态的金属元素(M²⁺)替换。在另一实施例中，M³⁺可被RE²⁺和M⁴⁺替换。在另外的实施例中，M²⁺可被RE³⁺和处于单价状态的金属元素(M¹⁺)替换。用于电子电荷平衡的金属元素可具有单一价态，而不是多个价态，以帮助减小在所述闪烁化合物的形成期间价态变化的可能性。
包括稀土元素闪烁化合物及其形成方法

[发明专利]具有特定结晶特征的III-V族衬底材料及其制备方法-CN201280047605.5在审
发明人： J-P·福里;B·博蒙 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种衬底，包括主体，所述主体包含III-V族材料并且具有上表面，所述主体包含定义在上表面与结晶参考面之间的切割角，所述主体还具有不超过大约0.6度的切割角变化。
具有特定结晶特征 iii 衬底材料及其制备方法

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