专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种城市开放空间微气候调节生态墙-CN202310115706.1在审
  • 刘路云;黄宇;李启珍 - 中南林业科技大学
  • 2023-02-15 - 2023-06-23 - A01G31/06
  • 本发明提出了一种城市开放空间微气候调节生态墙,涉及生态墙技术领域。包括底座、生态墙、无土栽培装置和滴灌装置,底座内设有蓄水池和营养液池,生态墙设于底座上,无土栽培装置设有多个,且分别设于生态墙的周侧,滴灌装置设于生态墙上,且分别与蓄水池和营养液池连通,生态墙内设有吹风组件,生态墙顶部设有可收纳的防护挡板组件;本生态墙的顶部设有防护挡板组件,可以对位于顶部的植物进行遮阳、挡雨,保证顶部植物的存活率,且生态墙内设有吹风组件,也有助于改善周边环境气候。
  • 一种城市开放空间微气候调节生态
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210443256.4在审
  • 黃敬源;李启珍 - 英诺赛科(珠海)科技有限公司
  • 2020-06-04 - 2022-07-29 - H01L29/06
  • 半导体器件包含半导体层、经掺杂氮化物半导体层、未经掺杂III‑V族半导体层、沟道层以及势垒层。半导体层具有向上延伸的位错。经掺杂氮化物半导体层设置于半导体层上。未经掺杂III‑V族半导体层设置于半导体层及经掺杂氮化物半导体层之间,未经掺杂III‑V族半导体层的晶格密度大于半导体层的晶格密度,未经掺杂III‑V族半导体层的晶格密度大于经掺杂氮化物半导体层的晶格密度,未经掺杂III‑V族半导体层接触半导体层以形成第一交界面,其中位错自半导体层延伸至第一交界面并进入未经掺杂III‑V族半导体层,位错在第一交界面处改变行径方向,其中行径方向在第一交界面处的改变角度至少为30度。沟道层设置于经掺杂氮化物半导体层上。势垒层设置于沟道层上。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202080001568.9有效
  • 黄敬源;李启珍 - 英诺赛科(珠海)科技有限公司
  • 2020-06-04 - 2022-05-20 - H01L29/06
  • 本申请实施例公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括半导体层、设置于所述半导体层上的第一经掺杂氮化物半导体层、设置于所述第一经掺杂氮化物半导体层上的第二经掺杂氮化物半导体层。所述半导体装置还包括位于所述半导体层及所述第一经掺杂氮化物半导体层之间的未经掺杂氮化物半导体层。所述未经掺杂氮化物半导体层具有与所述半导体层接触之第一表面及与所述第一经掺杂氮化物半导体层接触之第二表面。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]三族氮基半导体晶圆-CN202180004132.X在审
  • 李启珍;汪可;谢文元;李新华 - 英诺赛科(苏州)科技有限公司
  • 2021-04-02 - 2022-02-22 - H01L29/06
  • 一种三族氮基半导体晶圆,其包括具有中央区域以及边缘区域的衬底。可以选择性提供一层或多层中间层,其选自缓冲层、种子层或转换层。边缘特征形成在衬底或转换层的边缘区域中或其上,其具有一层或多层边缘钝化层或边缘纹理化表面。边缘特征仅形成于边缘区域而不形成在中央区域。一层或多层三族氮化物层落在中央区域上方。在中央区域中,三族氮化物层为外延层,而在边缘区域中,三族氮化物层为多晶态层。在三族氮化物层和衬底之间因晶格失配以及热膨胀系数差异所产生的应力得以释放并使缺陷最小化。
  • 三族氮基半导体

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