“张国义”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果656个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种气化燃烧系统-CN201710341500.5有效
发明人：陈宣;张国义 -专利权人：北京四维天拓技术有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： F23B30/10 文献下载
摘要：一种气化燃烧系统，包括前置的气化装置和后置的炉排燃烧装置，以及位于气化装置下方的与炉排燃烧系统相连的气化燃烧通道。气化装置包括气化室、设置在气化室顶部的进料口，以及气化风室；气化风室连接有气化风管和蒸汽配管。所述炉排燃烧装置包括倾斜布置的炉排、炉膛和风室。炉排前部设置在气化室底部，与气化室相通；气化室下部与炉排上方的空间形成气化燃烧通道，气化燃烧通道与炉排燃烧装置的炉膛连通；在所述气化燃烧通道靠近气化室一侧设置可上下调节的梳形墙，梳形墙与炉膛之间的气化燃烧通道顶部为气化前拱，气化燃烧通道与炉膛连接口收缩。本发明具有燃料适应性广、负荷变化适应性强、尾气污染物排放低、结构简单、操作方便等优点。
一种气化燃烧系统

[发明专利]一种生长金刚石多晶膜用样品托及金刚石多晶膜生长方法-CN202010053354.8有效
发明人：丁雄傑;王忠强;王琦;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明涉及晶体合成技术领域，具体涉及一种生长金刚石多晶膜用样品托及金刚石多晶膜生长方法，本发明的样品托顶部开设有用于放置衬底的容置槽，样品托底部设有由若干个同心圆环间隔分布形成的花纹，若干个同心圆环包括有实心圆环带和空心圆环带，本发明的样品托采用非对称式底部花纹，利用非均匀的底部散热来补偿由于等离子体球倾斜或偏移所导致的金刚石生长衬底的受热不均匀，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长；本发明的生长方法，采用上述结构的样品托进行生长，工艺简单，容易生长，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长。
一种生长金刚石多晶样品方法

[发明专利]基于人工智能的空气品质优化方法及系统-CN202310754626.0在审
发明人：陈良;魏路;张国义;郭云昌 -专利权人：施勒智能科技（上海）股份有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06Q10/0639 文献下载
摘要：本发明提供一种基于人工智能的空气品质优化方法及系统，涉及数据处理技术领域。所述方法包括：获取空气污染指数；确定空气污染严重程度评分、空气污染物聚集评分和确定极端污染评分；获取第一成本指数和第二成本指数；根据空气污染严重程度评分、空气污染物聚集评分、极端污染评分、第一成本指数、第二成本指数，以及已训练的空气品质优化策略模型，确定空气优化策略；根据空气优化策略调节空气净化设备。根据本发明，能够使空气净化设备能够在保障空气品质的情况下，以最低的成本完成空气净化处理。
基于人工智能空气品质优化方法系统

[发明专利]低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法-CN202011387036.1有效
发明人：王琦;梁智文;王新强;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤指一种低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法，在硅衬底依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、N型低掺杂氮化镓层、势垒层及氮化物帽层即得到低损耗氮化镓射频材料外延结构。本发明在势垒层下面增加的N型低掺杂氮化镓层，由于N型低掺杂氮化镓层的方阻比二维电子气的方阻低，在正常开态情况下，参与导通的功能很弱，但从关态到开态的过程，此层的电子可以补充二维电子气浓度的降低；其次从缓冲层的回迁到异质界面的电子能快速通过此层，达到快速补充异质结界面二维电子气的作用；故通过增加N型低掺杂氮化镓层可以最大限度降低动态过程中二维电子气浓度，从而达到了降低射频损耗。
损耗氮化射频材料外延结构制备方法

[发明专利]一种激光辅助加热制备GaN单晶设备-CN202210410043.1有效
发明人：刘南柳;张国义;王琦;童玉珍 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光辅助加热制备GaN单晶设备，涉及GaN材料制备技术领域，包括晶体生长系统、激光产生系统和温控系统，通过将激光产生系统产生的激光传输至衬底生长区域，使激光光斑辐射处的材料吸收激光光能而加速分子热运动以提高晶体生长的温度；利用温控系统以实施探测并反馈晶体生长处的局域温度，以此为依据来调整激光的能量密度与脉冲数，使得材料的吸收谱匹配相应的激光波长，确保材料的分子热运动加速但仍处于简谐振动的范畴，不会出现裂解而影响晶体结构，进而实现高速高质量GaN单晶的生长。此外，通过集成激光提高晶体生长局域温度，在不改变晶体生长系统整体温度布局的同时能够有效降低系统需承受的温场，从而有效降低设备制造成本。
一种激光辅助加热制备 gan 设备

[发明专利]智慧社区信息推送方法、装置、设备及介质-CN202310438656.0在审
发明人：陈良;张国义;张伟;韩爱华;郭云昌;魏路;王灵雨 -专利权人：施勒智能科技（上海）股份有限公司
申请日： 2023-04-22 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H04L67/55 文献下载
摘要：本申请涉及一种智慧社区信息推送方法、装置、设备及介质，属于智慧社区的技术领域，其方法包括：获取待进入人员的基本信息；基于所述基本信息判断所述待进入人员是否为社区内的住户；若所述待进入人员为社区内的住户，则在信息库中查询是否存在与所述待进入人员相匹配的通知信息；若所述信息库中存在与所述待进入人员相匹配的通知信息，则提取与所述待进入人员相匹配的通知信息，将提取的通知信息作为待提示通知信息；将所述待提示通知信息进行推送并显示。本申请具有减小减小住户遗忘通知的可能性的效果。
智慧社区信息推送方法装置设备介质

[实用新型]一种胸部战伤急救止血固定装置-CN202320776322.X有效
发明人：殷路;钟政曦;吴蓓蓓;张国义;白桦林;吝如岩;殷学军 -专利权人：河北爱宏生物科技有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： A61B17/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及胸部战伤急救止血固定装置技术领域，且公开了一种胸部战伤急救止血固定装置，包括主体机构、固定机构和防护机构，所述固定机构位于主体机构的上端，所述防护机构位于主体机构的内部，所述主体机构包括背心、防水涂层和固定带，所述防水涂层固定设置在背心的外端，所述固定带固定设置在背心的上端，所述固定机构包括调节带、固定扣和凹槽。该胸部战伤急救止血固定装置，通过对于固定机构的安装，实现了调节带便于调节背心的大小，可以对体重不同的人员进行使用，便于将背心穿戴在胸部战伤人员的身上，使得穿戴更加的牢固，防止受到外界的影响掉落，可以有效地保护胸部，提高了胸部战伤急救止血固定装置的穿戴牢固性。
一种胸部战伤急救止血固定装置

[发明专利]一种大尺寸高热导率衬底的制备方法-CN202211096206.X在审
发明人：王新强;王琦;梁智文;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种大尺寸高热导率衬底的制备方法，包括以下步骤：准备基础衬底和高导热衬底；在基础衬底上进行离子注入，将基础衬底依次分为功能衬底薄层、离子掩埋层和分离层；在功能衬底薄层上键合第一SiO2介质层；在高导热衬底上键合第二SiO2介质层；将基础衬底的第一SiO2介质层面和高导热衬底的第二SiO2介质层面键合，形成键合体；对键合体进行加热处理，将功能衬底薄层从基础衬底上分离，形成功能衬底薄层/SiO2介质层/高导热衬底的复合衬底。本发明实现大尺寸均匀复合衬底材料制备，解决现有氮化物光电器件散热及复合衬底应力过高的问题。
一种尺寸高热衬底制备方法

[发明专利]一种湿法冶金电解模拟实验系统及方法-CN202111185942.8有效
发明人： 张国义;张益;李刚;李剑;黄照斌;李超 -专利权人：云南大泽电极科技股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C25C7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法冶金电解模拟实验系统及方法，涉及工业电化学过程模拟技术领域。本发明的湿法冶金电解模拟实验系统，包括电解池、电极板和母排，电解池至少设置有两个，每一个电解池中呈阵列设置有七个电极板，还包括称重机构，两个称重机构呈对称设置在七个电极板的两侧，称重机构主要由称重器、牵引绳、竖直板和横板组成，竖直板的一侧面上端位置设置有凸形块，横板的两端顶面上呈对称设置有U形卡板，且电极板滑动插合在两个U形卡板中；凸形块和称重器的感应端之间通过牵引绳固定连接。本发明在实验过程中，可以对电极板的重量变化、电回路电流及电解池电压进行实时便捷的检测，且可以实现多方向数据采集，实用性高。
一种湿法冶金电解模拟实验系统方法

[发明专利]一种利用多层二维晶体掩膜制备氮化镓单晶衬底的方法-CN202211239724.2有效
发明人：王新强;刘放;刘强;郭昱成;吴洁君;于彤军;沈波;张国义 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用多层二维晶体掩膜制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明利用层状结构的二维晶体分离层和厚膜分离层结合原位刻蚀和高温退火等方法制备低位错密度的GaN厚膜，二维晶体分离层和厚膜分离层作为二维晶体掩膜能够防止在GaN厚膜中引入热失配应力，提高GaN单晶衬底的晶体质量，位错密度低，且具有良好的尺寸扩展能力；基板能够重复利用，工艺简单，节能环保；利用多层二维晶体掩膜实现多块GaN单晶衬底的单次原位制备与分离，能够提高产率并降低生产成本。
一种利用多层二维晶体制备氮化镓单晶衬底方法

[发明专利]一种利用边缘金属掩膜技术制备氮化镓单晶衬底的方法-CN202210851067.0有效
发明人：王新强;刘放;刘强;郭昱成;王涛;吴洁君;沈波;张国义 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用边缘金属掩膜技术制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明采用在复合外延基板上制备金属掩膜环，限域外延生长GaN单晶牺牲层，再通过原位温差梯度法，利用单晶石墨烯的层间解耦分离得到自支撑的GaN单晶牺牲层，然后扩径外延得到GaN单晶厚膜，最后化学机械法修整GaN单晶厚膜，得到无应力的自支撑GaN单晶衬底；金属掩膜环与氢化物气相外延法氮化镓单晶制备工艺兼容性良好，对氮源分解反应具有高效催化作用，禁止GaN单晶厚膜的边缘生长的同时提高GaN单晶衬底的晶体质量并增大曲率半径；GaN单晶牺牲层与复合外延基板利用单晶石墨烯的层间解耦分离，最终得到的自支撑GaN单晶衬底中无失配应力积聚与缩径问题。
一种利用边缘金属膜技术制备氮化镓单晶衬底方法

[发明专利]一种高电光转换率倒装结构深紫外micro-LED及其制备方法-CN202011380972.X有效
发明人：王新强;李铎;孙明;刘权锋;刘上锋;康俊杰;袁冶;张国义 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高反射率倒装结构深紫外micro‑LED及其制备方法。本发明刻蚀P型欧姆接触金属，保留下来的P型欧姆接触金属为多个周期性排列的小图形单元构成的二维阵列，形成微栅P型欧姆接触电极，并在微栅P型欧姆接触电极上沉积Al金属，形成反射层覆盖微台面，并且Al金属完全嵌入微栅P型欧姆接触电极的缝隙中，微台面侧壁的倾斜角度在30～90度之间调整；本发明采用微栅P型欧姆接触电极，降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗，Al金属增强了紫外光线的在电极处的反射，以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射，从而大幅度提高了UV LED中紫外光的光提取效率；本发明灵活性强，兼容面内、垂直结构的倒装micro‑LED、mini‑LED等，有利于改善器件性能，实现批量生产。
一种电光转换率倒装结构深紫 micro led 及其制备方法

[发明专利]一种用于气相外延生长的防返流气体输运装置及方法-CN202211727679.5在审
发明人：谢胜杰;陈垦宇;刘南柳;姜永京;王琦;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于气相外延生长的防返流气体输运装置及方法，该装置呈喷头结构，至少包括多路管道进气口、多路气体输运管道、多路管道出气口、喷口多路管道出气口、一内置反应室、及多处变径防返流板。通过在多路管道出气口处设置防返流板，形成类漏斗式结构，避免因多路管道出气口横截面积小、流速大、压强小而导致出气管口受周围气体影响形成湍流乃至导致流体返流。本发明通过调控喷口多路管道出气口压强差的方法，避免喷口因单一管道出气口流速过大而出现虹吸返流现象。调控气流层流输运，可以有效减少预反应产生的颗粒，进而提高晶体质量。本发明结构简单，易于制造且实用性较强，具有极高的商业价值。
一种用于外延生长流气输运装置方法

[实用新型]一种建筑电气弱电竖井-CN202222657192.6有效
发明人： 张国义 -专利权人： 张国义
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： E04F17/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及弱电井技术领域，公开了一种建筑电气弱电竖井，包括井口和等距分布的配电室，所述井口一侧内壁固定连接有攀爬梯，所述配电室一侧均开设有检修口，所述配电室一侧均通过合页铰链连接有检修门，所述检修门位于检修口一侧，所述检修门上均开设有等距分布的第二矩形通风口，所述配电室一侧固定连接有等距分布的承载板，所述承载板位于检修门下方。本实用新型通过设置的攀爬梯，工作人员可以经过攀爬梯的作用进入到井口内，然后工作人员可以站在承载板上将检修门打开，经过检修口的作用对配电室内电气设备的工作状态进行检修维护，达到了便于检修维护的效果，较为实用，适合广泛推广和使用。
一种建筑电气竖井

[发明专利]一种用于极板运输的固定防护架-CN202211503874.X在审
发明人： 张国义;张益;李剑;吕德荣;李永春 -专利权人：云南大泽电极科技股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B65D61/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于极板运输的固定防护架，涉及极板运输相关技术领域。本发明包括底板以及位于底板正上方的顶板，底板上侧和顶板下侧的左右部位均设置有橡胶卡槽板，橡胶卡槽板的前后侧均设置有立板，前后方一致的两个限位块之间均设置有双向筒，左右方一致的两个U形柱之间的上部位均设置有条形板，远离条形板的U形孔内部均设置有伸缩柱，靠近条形板的U形孔内部均设置有弯曲橡胶软杆。本发明通过双向筒的设置使用，实现可对不同长度的橡胶卡槽板进行稳定定位，以此保证橡胶卡槽板在安装后，能够位置稳定，降低极板运输出现晃动的情况，同时条形板通过弯曲橡胶软杆带动伸缩柱的移动，实现可根据极板的高度进行调节工作。
一种用于极板运输固定防护

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 656 条