[发明专利]封装半导体芯片的方法无效
申请号: | 201210448241.3 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN103107102A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 郭宝明;龚志伟;凯斯瓦库马尔·V·C·穆尼安迪;叶永凤 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 刘光明;穆德骏 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 半导体 芯片 方法 | ||
1.一种封装半导体芯片的方法,包括:
提供具有封装区的加工安装表面;
在所述封装区内的所述加工安装表面上放置嵌入式单元,其中所述嵌入式单元具有第一表面、内表面和外表面,所述第一表面具有穿过所述嵌入式单元的由所述内表面定义的开口,并且其中所述第一表面被定位在所述加工安装表面上用于形成腔;
在所述加工安装表面上和所述腔内放置半导体芯片,其中所述半导体芯片具有用于与外部电路进行电连接的电接触,其中所述嵌入式单元抑制所述半导体芯片的移动;以及
用封装材料覆盖所述嵌入式单元的所述内表面和所述外表面以及所述半导体芯片,从而形成封装的半导体器件。
2.根据权利要求1所述的封装半导体芯片的方法,其中所述加工安装表面是衬底,并且所述方法还包括移除所述加工安装表面以暴露所述半导体芯片的所述电接触。
3.根据权利要求1所述的封装半导体芯片的方法,其中所述加工安装表面包括所述封装的半导体器件内的层上的表面。
4.根据权利要求1所述的封装半导体芯片的方法,还包括:
在所述加工安装表面上和所述封装区内放置至少两个、单独的嵌入式单元;
在每个嵌入式单元的每个腔内放置至少一个半导体芯片,并且其中所述至少两个嵌入式单元中每个的所述第一表面在所述加工安装表面上被间隔开并且被封装材料分离开。
5.根据权利要求4所述的封装半导体芯片的方法,还包括从所述至少两个嵌入式单元形成至少两个封装的半导体器件而不穿透所述至少两个嵌入式单元。
6.根据权利要求4所述的封装半导体芯片的方法,其中所述至少两个嵌入式单元具有不同尺寸并且由不同材料形成。
7.根据权利要求1所述的封装半导体芯片的方法,其中所述嵌入式单元的所述第一表面具有穿过所述嵌入式单元的至少两个开口,并且半导体芯片被放置在由所述至少两个开口形成的每个腔内。
8.根据权利要求7所述的封装半导体芯片的方法,其中所述至少两个开口具有不同的尺寸。
9.根据权利要求1所述的封装半导体芯片的方法,其中在所述加工安装表面上放置所述半导体芯片先于在所述加工安装表面的所述封装区之上和之中放置所述嵌入式单元而发生。
10.根据权利要求1所述的封装半导体芯片的方法,还包括:
在所述加工安装表面上的所述封装区内放置至少两个嵌入式单元,其中所述至少两个嵌入式单元中每个被连接;
在每个嵌入式单元的每个腔内放置至少一个半导体芯片;以及
从所述至少两个嵌入式单元的每个相邻的嵌入式单元之间移除材料以形成间隙并且分离所述嵌入式单元,以便所述至少两个嵌入式单元中每个的所述第一表面在所述加工安装表面上被间隔开并且所述至少两个嵌入式单元中每个被分离开且不连接。
11.一种封装的集成电路,包括:
加工安装表面平面;
嵌入式单元,所述嵌入式单元具有第一表面、内表面和外表面,所述第一表面具有穿过所述嵌入式单元由所述内表面定义的开口,并且所述第一表面在所述加工安装表面平面上;
集成电路,所述集成电路具有第一表面和第二表面,所述集成电路的所述第一表面在所述加工安装表面平面上,所述集成电路被定位在由所述嵌入式单元的所述内表面定义的所述开口内,所述集成电路具有用于与外部电路电连接的电接触,所述嵌入式单元和所述集成电路被安排为抑制封装期间所述集成电路的移动;以及
封装材料,所述封装材料覆盖所述嵌入式单元的所述外表面、所述嵌入式单元的所述内表面以及所述集成电路的所述第二表面的至少一部分,用于形成封装的集成电路。
12.根据权利要求11所述的封装的集成电路,其中所述加工安装表面平面是由被移除以暴露所述集成电路的所述电接触的临时表面形成的。
13.根据权利要求12所述的封装的集成电路,其中所述临时表面是衬底、平板或带条。
14.根据权利要求11所述的封装的集成电路,其中所述封装的集成电路包括至少两个层并且所述加工安装表面平面是由在所述封装的集成电路内的层上的表面形成的。
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- 本发明涉及一种用于在接合件(1)上生成具有粘结剂(3)的层(31)的方法。为此提供载体(30),在其上涂有粘结剂(3)。该粘结剂(3)包含以大量金属颗粒的形式构成的金属。接合件(1)被放置到位于载体(30)上的粘结剂(3)上并且按压位于载体上的粘结剂(3),从而由粘结剂(3)形成的层(31)粘附在接合件(1)上。该接合件(1)与粘附在其上的层(31)一起从载体(30)取下。通过气流(50)除去层(31)的边缘(32),在边缘处,层(31)从接合件(1)的侧面突出,从而留下粘附在接合件(1)上的层(31)的层剩余。
- 无芯板制造方法-201410856829.1
- 张志强;李志东;谢添华 - 广州兴森快捷电路科技有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司
- 2014-12-31 - 2018-07-20 - H01L21/58
- 一种无芯板制造方法,包括:提供支撑载体;在支撑载体上积层压合内层铜箔,各内层铜箔层之间设有内半固化片,然后在外半固化片外侧设置外层铜箔并制成无芯板;其中,压合内层铜箔与内半固化片的压合最高温度为140~180℃;把无芯板从支撑载体分离。采用本申请的无芯板制造方法,在压合过程中,内半固化片与内层铜箔采用预压合,外层采用全压合,压合温度与压合时间均提高。与常规的压合相比,采用本方案中的压合参数压合后的内半固化片固化程度只占常规参数的70~95%,在最终外层的压合过程再采用全压合参数进行压合,降低各内层半固化片整体的残留应力,降低无芯板的翘曲。
- 预封装件和制造半导体封装件的方法以及电子装置-201510802368.4
- 张根豪;姜芸炳;赵泰济 - 三星电子株式会社
- 2015-11-19 - 2018-07-06 - H01L21/58
- 本发明提供了制造半导体封装件的方法。所述方法包括步骤:在衬底的第一表面上形成包括金属的保护层,以覆盖设置在衬底的第一表面上的半导体器件;利用粘合构件将支承衬底附着至保护层;处理与保护层相对的衬底的第二表面,以去除衬底的一部分;以及将支承衬底从衬底拆卸。
- 集成电路封装件及其形成方法-201510059724.8
- 余振华;吴集锡;邱文智;李祥帆;戴世芃;邱当荣 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2015-02-05 - 2018-06-08 - H01L21/58
- 本发明提出了一种形成集成电路封装件的方法。第一多个第一层堆叠件被安装在衬底上,其中,衬底具有与第一层堆叠件中的每一个堆叠件均相应的一个或多个接触焊盘并且具有与第一层堆叠件中的每一个堆叠件均相配套的一个或多个探测焊盘。电测试第一层堆叠件中的每一个堆叠件并且识别已知良好的第一层堆叠件和已知不良的第一层堆叠件。第一多个堆叠衬底被安装在已知良好的第一层堆叠件上,由此形成多个第二层堆叠件。电测试第二层堆叠件中的每一个堆叠件以识别已知良好的第二层堆叠件和已知不良的第二层堆叠件。本发明还提供了根据该形成集成电路封装件的方法而形成的半导体器件。
- 将半导体封装连接到板的方法-201510233832.2
- C·马尔贝拉 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2015-02-27 - 2018-03-30 - H01L21/58
- 本发明涉及将半导体封装连接到板的方法。将半导体封装连接到板的方法包括提供具有多个接触区域的板,提供具有多个接触区域的半导体封装,从多个接触区域中选择特定接触区域,施加焊料球到该接触区域并且其中施加两个或更多个特定焊料球到该特定接触区域,并且以这样的方式将该半导体封装连接到板,使得两个或更多个特定焊料球彼此连接或与板的多个接触区域中的接触区域连接。
- 器件晶片的加工方法-201210530080.2
- D·马丁;M·布朗 - 株式会社迪思科
- 2012-12-10 - 2018-01-23 - H01L21/58
- 本发明提供一种器件晶片的加工方法,其用于防止因粘接剂的附着而发生器件不合格。所述器件晶片的加工方法的特征在于具备下述步骤载体晶片准备步骤,准备在与器件晶片的外周剩余区域对应的位置具有载体剩余区域的载体晶片;凹部形成步骤,在载体剩余区域形成凹部;粘接剂配设步骤,在凹部形成步骤实施后,将粘接剂以从载体晶片的表面突出的方式配设在凹部;晶片贴合步骤,在粘接剂配设步骤实施后,将载体晶片的表面侧与器件晶片的表面侧贴合,通过粘接剂将器件晶片固定在载体晶片;以及薄化步骤,在晶片贴合步骤实施后,对器件晶片的背面侧进行磨削或研磨以将器件晶片薄化至预定厚度。
- 部件承载件-201720089687.X
- 米凯尔·图奥米宁 - 奥特斯(中国)有限公司
- 2017-01-20 - 2017-12-29 - H01L21/58
- 一种部件承载件(100),包括芯板(108);具有至少一个接触焊盘(158)的部件(102),尤其是电子部件,所述部件被安装在所述芯板(108)上;至少一个导电层结构(104)和至少一个电绝缘层结构(106),安装在所述芯板(108)上的所述部件(102)被嵌入在所述至少一个导电层结构和所述至少一个电绝缘层结构中。
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造